Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (356795) > Сторінка 1191 з 5947

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 594 1186 1187 1188 1189 1190 1191 1192 1193 1194 1195 1196 1782 2376 2970 3564 4158 4752 5346 5940 5947  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
SIHL640STRL-GE3 VISHAY SIHL640STRL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLL014TR-GE3 VISHAY SIHLL014TR-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLL110TR-GE3 SIHLL110TR-GE3 VISHAY sihll110.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.93A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLR024TRL-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLR110TR-GE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLU014-GE3 VISHAY SIHLU014-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLU024-GE3 VISHAY sihlr024.pdf SIHLU024-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLU120-GE3 VISHAY SIHLU120-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLZ24L-GE3 VISHAY SIHLZ24L-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLZ44S-GE3 VISHAY SIHLZ44S-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP050N60E-GE3 VISHAY sihp050n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; Idm: 155A; 278W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 155A
Power dissipation: 278W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP052N60EF-GE3 VISHAY sihp052n60ef.pdf SIHP052N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N60E-GE3 SIHP065N60E-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795E5474B61FCE747&compId=SIHP065N60E.pdf?ci_sign=6f79f5ba913d01040ae1231e9800499694cc785e Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+728.12 грн
3+508.73 грн
7+462.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP068N60EF-GE3 VISHAY sihp068n60ef.pdf SIHP068N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP100N60E-GE3 VISHAY sihp100n60e.pdf SIHP100N60E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP105N60EF-GE3 VISHAY sihp105n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W; TO220AB
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
On-state resistance: 0.102Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 53nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 73A
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP10N40D-GE3 VISHAY sihp10n40d.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6A; Idm: 23A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Pulsed drain current: 23A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP11N80AE-GE3 VISHAY sihp11n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 78W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
Pulsed drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP11N80E-GE3 VISHAY sihp11n80e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 179W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 88nC
Pulsed drain current: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3 VISHAY sihp120n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 179W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP125N60EF-GE3 VISHAY sihp125n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 179W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 66A
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.125Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50E-GE3 SIHP12N50E-GE3 VISHAY sihp12n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 121A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 466 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+149.18 грн
5+129.56 грн
12+95.41 грн
31+90.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N60E-GE3 VISHAY sihp12n6.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N65E-GE3 VISHAY sihp12n65e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Pulsed drain current: 28A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP14N50D-GE3 SIHP14N50D-GE3 VISHAY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8B8B8666226FE8143&compId=sihp14n50d.pdf?ci_sign=1f0da6f93c3c1b40fd495c23e8fc8af88063b8c4 Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP14N60E-BE3 VISHAY sihp14n60e.pdf SIHP14N60E-BE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP14N60E-GE3 VISHAY sihp14n60e.pdf SIHP14N60E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N50E-BE3 VISHAY sihp15n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14.5A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14.5A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N50E-GE3 SIHP15N50E-GE3 VISHAY sihp15n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
3+143.25 грн
5+123.85 грн
12+91.74 грн
33+87.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N60E-GE3 VISHAY sihp15n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N65E-GE3 VISHAY sihp15n65e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N80AEF-GE3 VISHAY sihp15n80aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 54nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP17N60D-GE3 VISHAY sihp17n60d.pdf SIHP17N60D-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP17N80AEF-GE3 VISHAY sihp17n80aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 32A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 179W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 305mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP17N80E-GE3 VISHAY sihp17n80e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 45A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP180N60E-GE3 VISHAY sihp180n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP186N60EF-GE3 VISHAY sihp186n60ef.pdf SIHP186N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP20N50E-GE3 VISHAY sihp20n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 179W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP21N60EF-GE3 VISHAY sihp21n60ef.pdf SIHP21N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP21N80AE-GE3 VISHAY sihp21n80ae.pdf SIHP21N80AE-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP21N80AEF-GE3 VISHAY sihp21n80aef.pdf SIHP21N80AEF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHP22N60AE-GE3 VISHAY sihp22n60ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 49A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 49A
Power dissipation: 179W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP22N60E-GE3 VISHAY sihp22n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP22N60EF-GE3 VISHAY sihp22n60ef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 46A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 179W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 182mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP22N65E-GE3 VISHAY sihp22n65e.pdf SIHP22N65E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP240N60E-GE3 VISHAY sihp240n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 31A; 78W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 78W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N65E-GE3 VISHAY sihp24n65e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 70A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AE-GE3 SIHP24N80AE-GE3 VISHAY sihp24n80ae.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 904 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
2+274.65 грн
5+234.36 грн
6+203.66 грн
15+192.65 грн
100+188.98 грн
500+186.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AEF-GE3 SIHP24N80AEF-GE3 VISHAY sihp24n80aef.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 429 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
1+337.88 грн
3+297.23 грн
6+196.32 грн
15+186.23 грн
500+183.48 грн
1000+178.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-BE3 VISHAY sihp25n50e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; Idm: 50A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-GE3 VISHAY tf-sihp25n50e-ge3.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP28N60EF-GE3 VISHAY sihp28n60ef.pdf SIHP28N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP28N65E-GE3 VISHAY sihp28n65e.pdf SIHP28N65E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP28N65EF-GE3 VISHAY sihp28n65ef.pdf SIHP28N65EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP30N60E-GE3 VISHAY sihp30n60e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 65A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 250W
Gate charge: 130nC
Pulsed drain current: 65A
кількість в упаковці: 500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP33N60E-GE3 VISHAY sihp33n60e.pdf SIHP33N60E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP33N60EF-GE3 VISHAY sihp33n60ef.pdf SIHP33N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP35N60E-GE3 VISHAY sihp35n60e.pdf SIHP35N60E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP35N60EF-GE3 VISHAY sihp35n60ef.pdf SIHP35N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP38N60E-GE3 VISHAY sihp38n60e.pdf SIHP38N60E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHL640STRL-GE3
Виробник: VISHAY
SIHL640STRL-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLL014TR-GE3
Виробник: VISHAY
SIHLL014TR-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLL110TR-GE3 sihll110.pdf
SIHLL110TR-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 0.93A; 3.1W; SOT223
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 0.93A
Power dissipation: 3.1W
Case: SOT223
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLR024TRL-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 9.2A; Idm: 56A; 42W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 42W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 0.14Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 18nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLR110TR-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 2.7A; Idm: 17A; 25W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 2.7A
Pulsed drain current: 17A
Power dissipation: 25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±10V
On-state resistance: 760mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 6.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLU014-GE3
Виробник: VISHAY
SIHLU014-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLU024-GE3 sihlr024.pdf
Виробник: VISHAY
SIHLU024-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLU120-GE3
Виробник: VISHAY
SIHLU120-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLZ24L-GE3
Виробник: VISHAY
SIHLZ24L-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHLZ44S-GE3
Виробник: VISHAY
SIHLZ44S-GE3 SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP050N60E-GE3 sihp050n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; Idm: 155A; 278W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 32A
Pulsed drain current: 155A
Power dissipation: 278W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 50mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 130nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP052N60EF-GE3 sihp052n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
SIHP052N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP065N60E-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1EE795E5474B61FCE747&compId=SIHP065N60E.pdf?ci_sign=6f79f5ba913d01040ae1231e9800499694cc785e
SIHP065N60E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 25A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 25A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 65mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 98nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 474 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+728.12 грн
3+508.73 грн
7+462.36 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP068N60EF-GE3 sihp068n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
SIHP068N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP100N60E-GE3 sihp100n60e.pdf
Виробник: VISHAY
SIHP100N60E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP105N60EF-GE3 sihp105n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 73A; 208W; TO220AB
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
On-state resistance: 0.102Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 208W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 53nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 73A
Mounting: THT
Case: TO220AB
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP10N40D-GE3 sihp10n40d.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 400V; 6A; Idm: 23A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 400V
Drain current: 6A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.6Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 30nC
Pulsed drain current: 23A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP11N80AE-GE3 sihp11n80ae.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 5A; Idm: 22A; 78W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 5A
Power dissipation: 78W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.45Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 42nC
Pulsed drain current: 22A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP11N80E-GE3 sihp11n80e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 32A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 179W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 440mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 88nC
Pulsed drain current: 32A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP120N60E-GE3 sihp120n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 66A
Power dissipation: 179W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.12Ω
Mounting: THT
Gate charge: 45nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP125N60EF-GE3 sihp125n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; Idm: 66A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 179W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 66A
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 16A
On-state resistance: 0.125Ω
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N50E-GE3 sihp12n50e.pdf
SIHP12N50E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 6.6A; Idm: 121A; 114W; TO220AB
Mounting: THT
Case: TO220AB
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 6.6A
On-state resistance: 0.38Ω
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 114W
Polarisation: unipolar
Kind of package: tube
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhancement
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 121A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 466 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+149.18 грн
5+129.56 грн
12+95.41 грн
31+90.82 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N60E-GE3 sihp12n6.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7.8A; Idm: 27A; 147W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7.8A
Pulsed drain current: 27A
Power dissipation: 147W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP12N65E-GE3 sihp12n65e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 8A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.38Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Gate charge: 70nC
Pulsed drain current: 28A
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP14N50D-GE3 pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB0ED61ED8B8B8666226FE8143&compId=sihp14n50d.pdf?ci_sign=1f0da6f93c3c1b40fd495c23e8fc8af88063b8c4
SIHP14N50D-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.4Ω
Mounting: THT
Gate charge: 58nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP14N60E-BE3 sihp14n60e.pdf
Виробник: VISHAY
SIHP14N60E-BE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP14N60E-GE3 sihp14n60e.pdf
Виробник: VISHAY
SIHP14N60E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N50E-BE3 sihp15n50e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14.5A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 14.5A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N50E-GE3 sihp15n50e.pdf
SIHP15N50E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 9.2A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 9.2A
Pulsed drain current: 28A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 66nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
3+143.25 грн
5+123.85 грн
12+91.74 грн
33+87.15 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N60E-GE3 sihp15n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 9.6A; Idm: 39A; 180W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 9.6A
Pulsed drain current: 39A
Power dissipation: 180W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 78nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N65E-GE3 sihp15n65e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 10A; Idm: 38A; 34W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 38A
Power dissipation: 34W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.28Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP15N80AEF-GE3 sihp15n80aef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 8A; Idm: 28A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 8A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.35Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 28A
Gate charge: 54nC
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP17N60D-GE3 sihp17n60d.pdf
Виробник: VISHAY
SIHP17N60D-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP17N80AEF-GE3 sihp17n80aef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 9A; Idm: 32A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 9A
Pulsed drain current: 32A
Power dissipation: 179W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 305mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 63nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP17N80E-GE3 sihp17n80e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 10A; Idm: 45A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 10A
Pulsed drain current: 45A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.29Ω
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP180N60E-GE3 sihp180n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 44A; 156W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 44A
Power dissipation: 156W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 33nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP186N60EF-GE3 sihp186n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
SIHP186N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP20N50E-GE3 sihp20n50e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 12A; Idm: 42A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 42A
Power dissipation: 179W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 92nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP21N60EF-GE3 sihp21n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
SIHP21N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP21N80AE-GE3 sihp21n80ae.pdf
Виробник: VISHAY
SIHP21N80AE-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP21N80AEF-GE3 sihp21n80aef.pdf
Виробник: VISHAY
SIHP21N80AEF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SiHP22N60AE-GE3 sihp22n60ae.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 49A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 49A
Power dissipation: 179W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP22N60E-GE3 sihp22n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; Idm: 56A; 227W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 56A
Power dissipation: 227W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.18Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP22N60EF-GE3 sihp22n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 12A; Idm: 46A; 179W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 12A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 179W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 182mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 96nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP22N65E-GE3 sihp22n65e.pdf
Виробник: VISHAY
SIHP22N65E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP240N60E-GE3 sihp240n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; Idm: 31A; 78W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 7A
Pulsed drain current: 31A
Power dissipation: 78W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.24Ω
Mounting: THT
Gate charge: 23nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N65E-GE3 sihp24n65e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 16A; Idm: 70A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 650V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 122nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AE-GE3 sihp24n80ae.pdf
SIHP24N80AE-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 13A; Idm: 51A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 13A
Pulsed drain current: 51A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 184mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 89nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 904 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
2+274.65 грн
5+234.36 грн
6+203.66 грн
15+192.65 грн
100+188.98 грн
500+186.23 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP24N80AEF-GE3 sihp24n80aef.pdf
SIHP24N80AEF-GE3
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 20A; Idm: 46A; 208W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 20A
Pulsed drain current: 46A
Power dissipation: 208W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.195Ω
Mounting: THT
Gate charge: 90nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 429 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
1+337.88 грн
3+297.23 грн
6+196.32 грн
15+186.23 грн
500+183.48 грн
1000+178.89 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-BE3 sihp25n50e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 26A; Idm: 50A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 26A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP25N50E-GE3 tf-sihp25n50e-ge3.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 16A; Idm: 50A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 16A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 250W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: THT
Gate charge: 86nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP28N60EF-GE3 sihp28n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
SIHP28N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP28N65E-GE3 sihp28n65e.pdf
Виробник: VISHAY
SIHP28N65E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP28N65EF-GE3 sihp28n65ef.pdf
Виробник: VISHAY
SIHP28N65EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP30N60E-GE3 sihp30n60e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 18A; Idm: 65A; 250W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 18A
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 250W
Gate charge: 130nC
Pulsed drain current: 65A
кількість в упаковці: 500 шт
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP33N60E-GE3 sihp33n60e.pdf
Виробник: VISHAY
SIHP33N60E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP33N60EF-GE3 sihp33n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
SIHP33N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP35N60E-GE3 sihp35n60e.pdf
Виробник: VISHAY
SIHP35N60E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP35N60EF-GE3 sihp35n60ef.pdf
Виробник: VISHAY
SIHP35N60EF-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
SIHP38N60E-GE3 sihp38n60e.pdf
Виробник: VISHAY
SIHP38N60E-GE3 THT N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 594 1186 1187 1188 1189 1190 1191 1192 1193 1194 1195 1196 1782 2376 2970 3564 4158 4752 5346 5940 5947  [ Наступна Сторінка >> ]