| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||
|---|---|---|---|---|---|---|---|
| IRFL9014TR | Vishay |
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 500mOhm; 1,8A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL9014; IRFL9014TR; IRFL9014-GURT; IRFL9014TR-BE3; IRFL9014TR TIRFL9014кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 350 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFL9014TR | Vishay |
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 500mOhm; 1,8A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL9014; IRFL9014TR; IRFL9014-GURT; IRFL9014TR-BE3; IRFL9014TR TIRFL9014кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 2480 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFP22N50A | Vishay |
N-MOSFET 500V 22A 230mΩ 277W IRFP22N50A Vishay TIRFP22n50a кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 8 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFP460 | Vishay |
N-MOSFET 20A 500V 250W Replacement: IRFP460A IRFP460 TIRFP460кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 410 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFR9014 | Vishay |
P-MOSFET 5,1A 60V 2,5W IRFR9014 TIRFR9014кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 1990 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFS11N50A | Vishay |
N-MOSFET 500V 11A 170W IRFS11N50A TIRFS11N50Aкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 30 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFU014 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK IRFU014 VISHAY TIRFU014кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFU014 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK IRFU014 VISHAY TIRFU014кількість в упаковці: 15 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFU110 | Vishay |
N-MOSFET 4,3A 100V 2,5W IRFU110 TIRFU110кількість в упаковці: 75 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFU9014 | Vishay |
P-MOSFET 5.1A 60V 2.5W IRFU9014 TIRFU9014кількість в упаковці: 15 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFU9310 | Vishay |
P-MOSFET 1.8A 400V 50W IRFU9310 TIRFU9310кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRFUC20 | Vishay |
N-MOSFET 2A 600V 2,5W IRFUC20 TIRFUC20кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 75 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRL630 | Vishay |
N-MOSFET 9A 200V 74W IRL630 IRL630 TIRL630кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 88 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRLL014TR | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R IRLL014TR TIRLL014кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 850 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| IRLZ44 | Vishay |
N-MOSFET 47A 55V 110W 0.028Ω CDZ44 IRLZ44N TIRLZ44кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 980 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI1012R-T1-GE3 | Vishay |
N-MOSFET 20V 0.5A SI1012R-T1-GE3 TSI1012rкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 420 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI1022R-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A SI1022R-T1-GE3 VISHAY TSI1022rкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI1555DL-T1-GE3 | Vishay |
N/P-MOSFET 660mA 20V 270mW SI1555DL SC70-6 TSI1555dl кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI2301BDS-T1-E3 L1.. | Vishay |
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 2,2A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3; SI2301BDS TSI2301bds кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI2301CDS-T1-GE3 | Vishay |
Transistor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY; SI2301CDS-T1-GE3 TSI2301cdsкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI2301CDS-T1-GE3 | Vishay |
Transistor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY; SI2301CDS-T1-GE3 TSI2301cdsкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1600 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI2302CDS-T1-GE3 | Vishay |
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 75mOhm; 2,6A; 710mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2302CDS-T1-GE3; SI2302CDS-T1; SI2302CDS TSI2302cdsкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI2304BDS-T1-GE3 | Vishay |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 105mOhm; 2,6A; 750mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3; SI2304BDS TSI2304bdsкількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 150 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI2304BDS-T1-E3 L4Y0A | Vishay |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 105mOhm; 2,6A; 750mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3; SI2304BDS TSI2304bds кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI2304DDS-T1-GE3 | Vishay |
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1W; -55°C~150°C; Substitute: SI2304DDS-T1-GE3; SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY TSI2304ddsкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI2305CDS-T1-GE3 | Vishay |
Transistor P-MOSFET; 8V; 8V; 65mOhm; 5,8A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2305CDST1GE3; SI2305CDS-T1-GE3; SI2305DS; SI2305-TP; SI2305CDS-T1-BE3; KSI2305CDS-T1-GE3; SI2305CDS Vishay TSI2305cdsкількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI2305CDS-T1-GE3 | Vishay |
P-MOSFET 3.5A 8V 1.25W 0.052Ω SI2305DS TSI2305dsкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 151 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI2307CDS-T1-GE3 | Vishay |
P-MOSFET 30V 3.5A 1.8W 88mΩ SI2307CDS Vishay TSI2307cdsкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 2370 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI2308BDS-T1-GE3 | Vishay |
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 192mOhm; 2,3A; 1,66W; -55°C~150°C; Replacement: SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-GE3CT-ND; SI2308BDS-T1-BE3; TSI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS TSI2308bds кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI2309CDS-T1-GE3 | Vishay |
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 450mOhm; 1,6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS-T1-E3; G05P06L; SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS VISHAY; SI2309CDS-T1-GE3 TSI2309cdsкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1490 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI2312CDS-TI-GE3 | Vishay |
N-MOSFET 20V 6A 31.8mΩ 2.1W SI2312CDS-T1-GE3 Vishay TSI2312cds кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 74 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI2315BDS-T1-E3 | Vishay |
P-MOSFET 12V 3A 50mΩ 750mW SI2315BDS-T1-E3 Vishay TSI2315bdsкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 140 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI2318DS-T1-E3 | Vishay |
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 58mOhm; 3A; 750mW; -55°C ~ 150°C; SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS TSI2318dsкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI2323DS-T1-E3 D3.. | Vishay |
P-MOSFET 20V 3.7A 39mΩ SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-E3 Vishay TSI2323ds кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 12 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI2323DS-T1-GE3 | Vishay |
P-MOSFET 20V 3.7A 39mΩ SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-E3 Vishay TSI2323dsкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI2333DDS-T1-GE3 O4.. | Vishay |
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 150mOhm; 6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2333DDS-T1-BE3; SI2333DDS-T1; SI2333DDS-T1-GE3 Vishay TSI2333dds кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2700 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI2333DDS-T1-GE3 | Vishay |
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 150mOhm; 6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2333DDS-T1-BE3; SI2333DDS-T1; SI2333DDS-T1-GE3 Vishay TSI2333ddsкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI2333DS-T1-E3 E3.. | Vishay |
P-MOSFET 12V 4.1A 0.75W SI2333DS-T1-E3 TSI2333ds кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 141 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI2337DS-T1-GE3 | Vishay |
P-MOSFET 2.2A 80V 2.5W 0.27Ω SI2337DS-T1-E3 SI2337DS-T1-GE3 TSI2337dsкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI2343DS-T1-E3 F3.. | Vishay |
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 86mOhm; 3,1A; 750mW; -55°C ~ 150°C; SI2343DS TSI2343ds кількість в упаковці: 25 шт |
на замовлення 55 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI2374DS-T1-GE3 F5. | Vishay |
N-MOSFET 5.9A 20V 1.7W 0.030Ω SI2374DS-T1-GE3 TSI2374ds кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI3433CDV-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 5.2A 6-Pin TSOP SI3433CDV-T1-E3; SI3433CDV-T1-GE3; SI3433CDV-T1-BE3; SI3433CDV-T1-E3 VISHAY TSI3433cdv |
на замовлення 580 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||
| SI3440DV-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R SI3440DV-T1-GE3 TSI3440dvкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 7 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI3441BDV-T1-E3 B1... | Vishay |
P-MOSFET 20V 2.45A 90mΩ 860mW obsolete SI3441BDV-T1-E3 Vishay TSI3441bdv кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 180 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI3586DV-T1-E3 | Vishay |
N/P-MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm/220mOhm; 2,9A/2,1A; 830mW; -55°C ~ 150°C; SI3586DV-T1-E3 Vishay TSI3586dvкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 40 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI4936CDY-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin SOIC N SI4936CDY-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 VISHAY TSI4936cdy кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI4948BEY-T1-E3 | Vishay |
2P-MOSFET 60V 2.4A 12mΩ 1.4W SI4948BEY-T1-E3 Vishay TSI4948beyкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 145 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI7615ADN-T1-GE3 | Vishay |
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adnкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI9407BDY-T1-GE3 | Vishay |
P-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12Ω Equivalent SI9407AEY SI9407BDY TSI9407bdyкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 14 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SI9933CDY-T1-GE3 | Vishay |
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 94mOhm; 4A; 3,1W; -50°C ~ 150°C; SI9933CDY TSI9933cdyкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 1163 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SIA431DJ-T1-GE3 | Vishay |
Trans MOSFET P-CH 20V 9.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA431DJ-T1-GE3 TSIA431djкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 60 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SIA433EDJ-T1-GE3 BL. | Vishay | Trans MOSFET P-CH 20V 11.3A 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA433EDJ-T1-GE3 TSIA433edj |
на замовлення 70 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||
| SIHG20N50C-E3 | Vishay |
Transistor: N-MOSFET unipolar 560V 11A 250W TO247AC VISHAY SIHG20N50C-E3 Transistor N-Channel THT SIHG20N50C-E3 TSIHG20n50cкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SIRA28BDP-T1-GE3 | Vishay |
MOSFET N-CH 30V POWERPAK SO-8 SIRA28BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix TSIRA28bdpкількість в упаковці: 2 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SISH110DN-T1-GE3 | Vishay |
N-Channel MOSFET; 20V; 20V; 7,8mOhm; 13,5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; SISH110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix TSISH110dnкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SISS22DN-T1-GE3 | Vishay |
MOSFET N-CH 60V PPAK 1212-8S SISS22DN-T1-GE3 Vishay Siliconix TSISS22dnкількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SIZ240DT-T1-GE3 | Vishay |
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm/13mOhm; 48A/47A; 33W; -55°C ~ 150°C; SIZ240DT-T1-GE3 TSIZ240dtкількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 20 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SQ2309ES-T1-GE3 8P.. | Vishay |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 10V; 1,7A; 336mOhm; 2W; -55°C~175°C; Substitute: SQ2309ES-T1_GE3; SQ2309ES-T1-GE3; SQ2309ES-T1_GE3 VSIG; SQ2309ES-T1_BE3; SQ2309ES-T1_GE3 Vishay TSQ2309es кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SQ2361AEES-T1_GE3 9C.. | Vishay |
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 170mOhm; 2.8A; 2W; -55°C~175°C; SQ2361AEES-T1-GE3; SQ2361AEES-T1_BE3; SQ2361AEES-T1_GE3 TSQ2361aees кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||
| SQ2389ES-T1_GE3 (A9xxx) | Vishay |
MOSFET P-CHAN 40V SO23 SQ2389ES-T1_GE3 SQ2389ES-T1_GE3 TSQ2389es кількість в упаковці: 10 шт |
на замовлення 4 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| IRFL9014TR |
![]() |
Виробник: Vishay
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 500mOhm; 1,8A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL9014; IRFL9014TR; IRFL9014-GURT; IRFL9014TR-BE3; IRFL9014TR TIRFL9014
кількість в упаковці: 50 шт
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 500mOhm; 1,8A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL9014; IRFL9014TR; IRFL9014-GURT; IRFL9014TR-BE3; IRFL9014TR TIRFL9014
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 350 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 26.52 грн |
| IRFL9014TR |
![]() |
Виробник: Vishay
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 500mOhm; 1,8A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL9014; IRFL9014TR; IRFL9014-GURT; IRFL9014TR-BE3; IRFL9014TR TIRFL9014
кількість в упаковці: 50 шт
Tranzystor P-MOSFET; 60V; 20V; 500mOhm; 1,8A; 3,1W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: IRFL9014; IRFL9014TR; IRFL9014-GURT; IRFL9014TR-BE3; IRFL9014TR TIRFL9014
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 26.52 грн |
| IRFP22N50A |
Виробник: Vishay
N-MOSFET 500V 22A 230mΩ 277W IRFP22N50A Vishay TIRFP22n50a
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET 500V 22A 230mΩ 277W IRFP22N50A Vishay TIRFP22n50a
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 8 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 191.95 грн |
| IRFP460 |
![]() |
Виробник: Vishay
N-MOSFET 20A 500V 250W Replacement: IRFP460A IRFP460 TIRFP460
кількість в упаковці: 25 шт
N-MOSFET 20A 500V 250W Replacement: IRFP460A IRFP460 TIRFP460
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 410 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 210.02 грн |
| IRFR9014 |
![]() |
на замовлення 1990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 22.20 грн |
| IRFS11N50A |
![]() |
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 107.86 грн |
| IRFU014 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK IRFU014 VISHAY TIRFU014
кількість в упаковці: 25 шт
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK IRFU014 VISHAY TIRFU014
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 31.04 грн |
| IRFU014 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK IRFU014 VISHAY TIRFU014
кількість в упаковці: 15 шт
Trans MOSFET N-CH 60V 7.7A 3-Pin(3+Tab) IPAK IRFU014 VISHAY TIRFU014
кількість в упаковці: 15 шт
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 31.04 грн |
| IRFU110 |
![]() |
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 75+ | 16.27 грн |
| IRFU9014 |
![]() |
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 21.42 грн |
| IRFU9310 |
![]() |
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 31.24 грн |
| IRFUC20 |
![]() |
на замовлення 75 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 22.59 грн |
| IRL630 |
![]() |
на замовлення 88 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 33.20 грн |
| IRLL014TR |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R IRLL014TR TIRLL014
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 60V 2.7A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R IRLL014TR TIRLL014
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 850 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 15.66 грн |
| IRLZ44 |
![]() |
на замовлення 980 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 62.67 грн |
| SI1012R-T1-GE3 |
![]() |
на замовлення 420 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 13.08 грн |
| SI1022R-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A SI1022R-T1-GE3 VISHAY TSI1022r
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 60V 0.33A 3-Pin SC-75A SI1022R-T1-GE3 VISHAY TSI1022r
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 14.24 грн |
| SI1555DL-T1-GE3 |
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 70+ | 8.29 грн |
| SI2301BDS-T1-E3 L1.. |
Виробник: Vishay
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 2,2A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3; SI2301BDS TSI2301bds
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 20V; 8V; 150mOhm; 2,2A; 700mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI2301BDS-T1-E3; SI2301BDS-T1-GE3; SI2301BDS TSI2301bds
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 11.32 грн |
| SI2301CDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Transistor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY; SI2301CDS-T1-GE3 TSI2301cds
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY; SI2301CDS-T1-GE3 TSI2301cds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 5.56 грн |
| SI2301CDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Transistor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY; SI2301CDS-T1-GE3 TSI2301cds
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-MOSFET; 20V; 8V; 142mOhm; 3,1A; 1,6W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2301CDS-T1-GE3; SI2301CDS-T1-E3; SI2301CDS SOT23 VISHAY; SI2301CDS-T1-GE3 TSI2301cds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1600 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 5.56 грн |
| SI2302CDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 75mOhm; 2,6A; 710mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2302CDS-T1-GE3; SI2302CDS-T1; SI2302CDS TSI2302cds
кількість в упаковці: 100 шт
Tranzystor N-MOSFET; 20V; 8V; 75mOhm; 2,6A; 710mW; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2302CDS-T1-GE3; SI2302CDS-T1; SI2302CDS TSI2302cds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.00 грн |
| SI2304BDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 105mOhm; 2,6A; 750mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3; SI2304BDS TSI2304bds
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 105mOhm; 2,6A; 750mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3; SI2304BDS TSI2304bds
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 150 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 15.21 грн |
| SI2304BDS-T1-E3 L4Y0A |
Виробник: Vishay
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 105mOhm; 2,6A; 750mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3; SI2304BDS TSI2304bds
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 20V; 105mOhm; 2,6A; 750mW; -55°C ~ 150°C; Equivalent: SI2304-TP; SI2304BDS-T1-BE3; SI2304BDS-T1-GE3; SI2304BDS-T1-E3; SI2304BDS TSI2304bds
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 25+ | 22.63 грн |
| SI2304DDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1W; -55°C~150°C; Substitute: SI2304DDS-T1-GE3; SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY TSI2304dds
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 30V; 3,3A; 60mOhm; -/+20V; 1,1W; -55°C~150°C; Substitute: SI2304DDS-T1-GE3; SI2304DDS-T1-GE3 VISHAY TSI2304dds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 8.00 грн |
| SI2305CDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Transistor P-MOSFET; 8V; 8V; 65mOhm; 5,8A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2305CDST1GE3; SI2305CDS-T1-GE3; SI2305DS; SI2305-TP; SI2305CDS-T1-BE3; KSI2305CDS-T1-GE3; SI2305CDS Vishay TSI2305cds
кількість в упаковці: 1000 шт
Transistor P-MOSFET; 8V; 8V; 65mOhm; 5,8A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Odpowiednik: SI2305CDST1GE3; SI2305CDS-T1-GE3; SI2305DS; SI2305-TP; SI2305CDS-T1-BE3; KSI2305CDS-T1-GE3; SI2305CDS Vishay TSI2305cds
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 8.03 грн |
| SI2305CDS-T1-GE3 |
![]() |
на замовлення 151 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 12.22 грн |
| SI2307CDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
P-MOSFET 30V 3.5A 1.8W 88mΩ SI2307CDS Vishay TSI2307cds
кількість в упаковці: 50 шт
P-MOSFET 30V 3.5A 1.8W 88mΩ SI2307CDS Vishay TSI2307cds
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 2370 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 8.76 грн |
| SI2308BDS-T1-GE3 |
Виробник: Vishay
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 192mOhm; 2,3A; 1,66W; -55°C~150°C; Replacement: SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-GE3CT-ND; SI2308BDS-T1-BE3; TSI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS TSI2308bds
кількість в упаковці: 3000 шт
Transistor N-MOSFET; 60V; 20V; 192mOhm; 2,3A; 1,66W; -55°C~150°C; Replacement: SI2308BDS-T1-GE3; SI2308BDS-T1-E3; SI2308BDS-T1-GE3CT-ND; SI2308BDS-T1-BE3; TSI2308BDS-T1-BE3; SI2308BDS TSI2308bds
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 9.80 грн |
| SI2309CDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 450mOhm; 1,6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS-T1-E3; G05P06L; SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS VISHAY; SI2309CDS-T1-GE3 TSI2309cds
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-MOSFET; 60V; 20V; 450mOhm; 1,6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS-T1-E3; G05P06L; SI2309CDS-T1-GE3; SI2309CDS VISHAY; SI2309CDS-T1-GE3 TSI2309cds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1490 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.89 грн |
| SI2312CDS-TI-GE3 |
Виробник: Vishay
N-MOSFET 20V 6A 31.8mΩ 2.1W SI2312CDS-T1-GE3 Vishay TSI2312cds
кількість в упаковці: 50 шт
N-MOSFET 20V 6A 31.8mΩ 2.1W SI2312CDS-T1-GE3 Vishay TSI2312cds
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 74 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 16.78 грн |
| SI2315BDS-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
P-MOSFET 12V 3A 50mΩ 750mW SI2315BDS-T1-E3 Vishay TSI2315bds
кількість в упаковці: 100 шт
P-MOSFET 12V 3A 50mΩ 750mW SI2315BDS-T1-E3 Vishay TSI2315bds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 140 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.65 грн |
| SI2318DS-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 58mOhm; 3A; 750mW; -55°C ~ 150°C; SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS TSI2318ds
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 40V; 20V; 58mOhm; 3A; 750mW; -55°C ~ 150°C; SI2318DS-T1-GE3 SI2318DS TSI2318ds
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.69 грн |
| SI2323DS-T1-E3 D3.. |
Виробник: Vishay
P-MOSFET 20V 3.7A 39mΩ SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-E3 Vishay TSI2323ds
кількість в упаковці: 50 шт
P-MOSFET 20V 3.7A 39mΩ SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-E3 Vishay TSI2323ds
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 12 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 18.96 грн |
| SI2323DS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
P-MOSFET 20V 3.7A 39mΩ SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-E3 Vishay TSI2323ds
кількість в упаковці: 50 шт
P-MOSFET 20V 3.7A 39mΩ SI2323DS-T1-GE3 SI2323DS-T1-E3 Vishay TSI2323ds
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 18.96 грн |
| SI2333DDS-T1-GE3 O4.. |
Виробник: Vishay
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 150mOhm; 6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2333DDS-T1-BE3; SI2333DDS-T1; SI2333DDS-T1-GE3 Vishay TSI2333dds
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 150mOhm; 6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2333DDS-T1-BE3; SI2333DDS-T1; SI2333DDS-T1-GE3 Vishay TSI2333dds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.98 грн |
| SI2333DDS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 150mOhm; 6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2333DDS-T1-BE3; SI2333DDS-T1; SI2333DDS-T1-GE3 Vishay TSI2333dds
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor P-MOSFET; 12V; 8V; 150mOhm; 6A; 1,7W; -55°C ~ 150°C; Replacement: SI2333DDS-T1-BE3; SI2333DDS-T1; SI2333DDS-T1-GE3 Vishay TSI2333dds
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.98 грн |
| SI2333DS-T1-E3 E3.. |
на замовлення 141 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 29.47 грн |
| SI2337DS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
P-MOSFET 2.2A 80V 2.5W 0.27Ω SI2337DS-T1-E3 SI2337DS-T1-GE3 TSI2337ds
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 2.2A 80V 2.5W 0.27Ω SI2337DS-T1-E3 SI2337DS-T1-GE3 TSI2337ds
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 56.58 грн |
| SI2343DS-T1-E3 F3.. |
Виробник: Vishay
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 86mOhm; 3,1A; 750mW; -55°C ~ 150°C; SI2343DS TSI2343ds
кількість в упаковці: 25 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 30V; 20V; 86mOhm; 3,1A; 750mW; -55°C ~ 150°C; SI2343DS TSI2343ds
кількість в упаковці: 25 шт
на замовлення 55 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 22.00 грн |
| SI2374DS-T1-GE3 F5. |
Виробник: Vishay
N-MOSFET 5.9A 20V 1.7W 0.030Ω SI2374DS-T1-GE3 TSI2374ds
кількість в упаковці: 5 шт
N-MOSFET 5.9A 20V 1.7W 0.030Ω SI2374DS-T1-GE3 TSI2374ds
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 113.16 грн |
| SI3433CDV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 5.2A 6-Pin TSOP SI3433CDV-T1-E3; SI3433CDV-T1-GE3; SI3433CDV-T1-BE3; SI3433CDV-T1-E3 VISHAY TSI3433cdv
Trans MOSFET P-CH 20V 5.2A 6-Pin TSOP SI3433CDV-T1-E3; SI3433CDV-T1-GE3; SI3433CDV-T1-BE3; SI3433CDV-T1-E3 VISHAY TSI3433cdv
на замовлення 580 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| SI3440DV-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R SI3440DV-T1-GE3 TSI3440dv
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 150V 1.2A 6-Pin TSOP T/R SI3440DV-T1-GE3 TSI3440dv
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 7 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 66.41 грн |
| SI3441BDV-T1-E3 B1... |
Виробник: Vishay
P-MOSFET 20V 2.45A 90mΩ 860mW obsolete SI3441BDV-T1-E3 Vishay TSI3441bdv
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 20V 2.45A 90mΩ 860mW obsolete SI3441BDV-T1-E3 Vishay TSI3441bdv
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 60+ | 10.91 грн |
| SI3586DV-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
N/P-MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm/220mOhm; 2,9A/2,1A; 830mW; -55°C ~ 150°C; SI3586DV-T1-E3 Vishay TSI3586dv
кількість в упаковці: 10 шт
N/P-MOSFET; 20V; 8V; 100mOhm/220mOhm; 2,9A/2,1A; 830mW; -55°C ~ 150°C; SI3586DV-T1-E3 Vishay TSI3586dv
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 22.00 грн |
| SI4936CDY-GE3 |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin SOIC N SI4936CDY-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 VISHAY TSI4936cdy
кількість в упаковці: 10 шт
Trans MOSFET N-CH 30V 5A 8-Pin SOIC N SI4936CDY-GE3 SI4936CDY-T1-GE3 VISHAY TSI4936cdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 20.82 грн |
| SI4948BEY-T1-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
2P-MOSFET 60V 2.4A 12mΩ 1.4W SI4948BEY-T1-E3 Vishay TSI4948bey
кількість в упаковці: 50 шт
2P-MOSFET 60V 2.4A 12mΩ 1.4W SI4948BEY-T1-E3 Vishay TSI4948bey
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 145 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 29.27 грн |
| SI7615ADN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
кількість в упаковці: 10 шт
Tranzystor P-Channel MOSFET; 20V; 12V; 6mOhm; 22,1A; 52W; -55°C~150°C; SI7615ADN-T1-GE3 VISHAY TSI7615adn
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 25.34 грн |
| SI9407BDY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
P-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12Ω Equivalent SI9407AEY SI9407BDY TSI9407bdy
кількість в упаковці: 10 шт
P-MOSFET 4.7A 60V 5W 0.12Ω Equivalent SI9407AEY SI9407BDY TSI9407bdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 14 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 28.29 грн |
| SI9933CDY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 94mOhm; 4A; 3,1W; -50°C ~ 150°C; SI9933CDY TSI9933cdy
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor 2xP-Channel MOSFET; 20V; 12V; 94mOhm; 4A; 3,1W; -50°C ~ 150°C; SI9933CDY TSI9933cdy
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 1163 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 40+ | 17.13 грн |
| SIA431DJ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 9.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA431DJ-T1-GE3 TSIA431dj
кількість в упаковці: 100 шт
Trans MOSFET P-CH 20V 9.6A 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA431DJ-T1-GE3 TSIA431dj
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 60 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 23.18 грн |
| SIA433EDJ-T1-GE3 BL. |
Виробник: Vishay
Trans MOSFET P-CH 20V 11.3A 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA433EDJ-T1-GE3 TSIA433edj
Trans MOSFET P-CH 20V 11.3A 6-Pin PowerPAK SC-70 SIA433EDJ-T1-GE3 TSIA433edj
на замовлення 70 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| SIHG20N50C-E3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Transistor: N-MOSFET unipolar 560V 11A 250W TO247AC VISHAY SIHG20N50C-E3 Transistor N-Channel THT SIHG20N50C-E3 TSIHG20n50c
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor: N-MOSFET unipolar 560V 11A 250W TO247AC VISHAY SIHG20N50C-E3 Transistor N-Channel THT SIHG20N50C-E3 TSIHG20n50c
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 123.38 грн |
| SIRA28BDP-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
MOSFET N-CH 30V POWERPAK SO-8 SIRA28BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix TSIRA28bdp
кількість в упаковці: 2 шт
MOSFET N-CH 30V POWERPAK SO-8 SIRA28BDP-T1-GE3 Vishay Siliconix TSIRA28bdp
кількість в упаковці: 2 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 56.58 грн |
| SISH110DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
N-Channel MOSFET; 20V; 20V; 7,8mOhm; 13,5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; SISH110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix TSISH110dn
кількість в упаковці: 10 шт
N-Channel MOSFET; 20V; 20V; 7,8mOhm; 13,5A; 1,5W; -55°C ~ 150°C; SISH110DN-T1-GE3 Vishay Siliconix TSISH110dn
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 51.28 грн |
| SISS22DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
MOSFET N-CH 60V PPAK 1212-8S SISS22DN-T1-GE3 Vishay Siliconix TSISS22dn
кількість в упаковці: 10 шт
MOSFET N-CH 60V PPAK 1212-8S SISS22DN-T1-GE3 Vishay Siliconix TSISS22dn
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 82.52 грн |
| SIZ240DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: Vishay
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm/13mOhm; 48A/47A; 33W; -55°C ~ 150°C; SIZ240DT-T1-GE3 TSIZ240dt
кількість в упаковці: 5 шт
Transistor 2xN-Channel MOSFET; 40V; 20V; 12mOhm/13mOhm; 48A/47A; 33W; -55°C ~ 150°C; SIZ240DT-T1-GE3 TSIZ240dt
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 20 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 90.18 грн |
| SQ2309ES-T1-GE3 8P.. |
Виробник: Vishay
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 10V; 1,7A; 336mOhm; 2W; -55°C~175°C; Substitute: SQ2309ES-T1_GE3; SQ2309ES-T1-GE3; SQ2309ES-T1_GE3 VSIG; SQ2309ES-T1_BE3; SQ2309ES-T1_GE3 Vishay TSQ2309es
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 10V; 1,7A; 336mOhm; 2W; -55°C~175°C; Substitute: SQ2309ES-T1_GE3; SQ2309ES-T1-GE3; SQ2309ES-T1_GE3 VSIG; SQ2309ES-T1_BE3; SQ2309ES-T1_GE3 Vishay TSQ2309es
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 26.13 грн |
| SQ2361AEES-T1_GE3 9C.. |
Виробник: Vishay
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 170mOhm; 2.8A; 2W; -55°C~175°C; SQ2361AEES-T1-GE3; SQ2361AEES-T1_BE3; SQ2361AEES-T1_GE3 TSQ2361aees
кількість в упаковці: 10 шт
Transistor P-Channel MOSFET; 60V; 20V; 170mOhm; 2.8A; 2W; -55°C~175°C; SQ2361AEES-T1-GE3; SQ2361AEES-T1_BE3; SQ2361AEES-T1_GE3 TSQ2361aees
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 56.58 грн |
| SQ2389ES-T1_GE3 (A9xxx) |
Виробник: Vishay
MOSFET P-CHAN 40V SO23 SQ2389ES-T1_GE3 SQ2389ES-T1_GE3 TSQ2389es
кількість в упаковці: 10 шт
MOSFET P-CHAN 40V SO23 SQ2389ES-T1_GE3 SQ2389ES-T1_GE3 TSQ2389es
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 4 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 56.58 грн |
