Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (350611) > Сторінка 3255 з 5844

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 584 1168 1752 2336 2920 3250 3251 3252 3253 3254 3255 3256 3257 3258 3259 3260 3504 4088 4672 5256 5840 5844  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
CRCW06035K10FKEA CRCW06035K10FKEA VISHAY 2310790.pdf Description: VISHAY - CRCW06035K10FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 5.1 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 5.1kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 119450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
519+1.55 грн
633+1.27 грн
910+0.89 грн
1163+0.64 грн
2500+0.50 грн
5000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 519
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW06035K10FKEAHP CRCW06035K10FKEAHP VISHAY 3924202.pdf Description: VISHAY - CRCW06035K10FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 5.1 kohm, ± 1%, 330 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschicht (doppelseitig)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 330mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
Widerstand: 5.1kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW06035K10FKEAHP CRCW06035K10FKEAHP VISHAY 3924202.pdf Description: VISHAY - CRCW06035K10FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 5.1 kohm, ± 1%, 330 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschicht (doppelseitig)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 330mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
Widerstand: 5.1kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
170+4.76 грн
224+3.60 грн
500+2.58 грн
1000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 170
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206Y473JXAAC VJ1206Y473JXAAC VISHAY VISH-S-A0014948057-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VJ1206Y473JXAAC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.047 µF, 50 V, 1206 [Metrisch 3216], ± 5%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch 3216]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.047µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 19045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
53+15.38 грн
82+9.90 грн
250+8.69 грн
500+7.00 грн
1500+5.87 грн
3000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206Y103JXAMC VJ1206Y103JXAMC VISHAY vjcommercialseries.pdf Description: VISHAY - VJ1206Y103JXAMC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.01 µF, 50 V, 1206 [Metrisch 3216], ± 5%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch 3216]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 5%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.01µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206Y104JXAAT VJ1206Y104JXAAT VISHAY 2878570.pdf Description: VISHAY - VJ1206Y104JXAAT - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.1 µF, 50 V, 1206 [Metrisch 3216], ± 5%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch 3216]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.1µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206Y103JXAMC VJ1206Y103JXAMC VISHAY VISH-S-A0014948057-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VJ1206Y103JXAMC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.01 µF, 50 V, 1206 [Metrisch 3216], ± 5%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch 3216]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.01µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: No
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 19974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+16.18 грн
83+9.74 грн
250+7.73 грн
500+5.31 грн
1500+4.69 грн
3000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MAL209637152E3 MAL209637152E3 VISHAY VISH-S-A0002931224-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - MAL209637152E3 - Elektrolytkondensator, lange Lebensdauer, 1500 µF, 450 V, ± 20%, Einrastmontage
tariffCode: 85322200
Produkthöhe: 80mm
Polarität: Polarisiert
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 5000 Stunden bei 85°C
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.067ohm
euEccn: NLR
Spannung (AC): -
Kapazität: 1500µF
Spannung (DC): 450V
Rippelstrom: 6.8A
Produktpalette: 096 PLL-4TSI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 45mm
Kondensatoranschlüsse: Einrastmontage
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+5633.39 грн
3+4929.02 грн
5+4084.57 грн
10+3400.38 грн
20+2897.31 грн
50+2704.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5M6L_GE3 SQD50N04-5M6L_GE3 VISHAY sqd50n04-5m6l.pdf Description: VISHAY - SQD50N04-5M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0043 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.40 грн
10+80.50 грн
100+61.98 грн
500+41.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5M6_GE3 SQD50N04-5M6_GE3 VISHAY 3672811.pdf Description: VISHAY - SQD50N04-5M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0046 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+86.14 грн
12+71.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-4M5L_GE3 SQD50N04-4M5L_GE3 VISHAY SQD50N04-4M5L.pdf Description: VISHAY - SQD50N04-4M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.61 грн
10+130.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-4M5L_GE3 SQD50N04-4M5L_GE3 VISHAY SQD50N04-4M5L.pdf Description: VISHAY - SQD50N04-4M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5M6_GE3 SQD50N04-5M6_GE3 VISHAY sqd50n04-5m6.pdf Description: VISHAY - SQD50N04-5M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0046 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5M6L_GE3 SQD50N04-5M6L_GE3 VISHAY sqd50n04-5m6l.pdf Description: VISHAY - SQD50N04-5M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0043 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+61.02 грн
500+48.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MKT1817210404 MKT1817210404 VISHAY mkt1817.pdf Description: VISHAY - MKT1817210404 - CAPACITOR POLYESTER FILM, 1000PF, 400V, 5%, RADIAL
tariffCode: 85322500
Produkthöhe: 6.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial Box - 2 Pin
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 5%
Kondensatormontage: Through Hole
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 7.2mm
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallized PET
Spannung (AC): 0
Kapazität: 1000pF
Spannung (DC): 400V
Produktpalette: MKT1817 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: PC Pin
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Test Condition A)
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VY1220K31U2JQ6TV0 VY1220K31U2JQ6TV0 VISHAY 4330020.pdf Description: VISHAY - VY1220K31U2JQ6TV0 - Funkentstörkondensator (Keramik), Scheibenkondensator, 22 pF, ± 10%, X1 / Y1, 760 V, 500 V
tariffCode: 85322300
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 10mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Entstörklasse: X1 / Y1
Nennspannung Y: 500V
euEccn: NLR
Kapazität: 22pF
Produktpalette: VY1 Series
Nennspannung X: 760V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 70942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.50 грн
58+14.01 грн
80+10.14 грн
130+5.79 грн
200+5.24 грн
500+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
AY1681M35Y5UC63L0 AY1681M35Y5UC63L0 VISHAY 4330016.pdf Description: VISHAY - AY1681M35Y5UC63L0 - Funkentstörkondensator (Keramik), AEC-Q200, 680 pF, ± 20%, X1 / Y1, 760 V, 500 V, Radial bedrahtet
tariffCode: 85322300
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 10mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 20%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Entstörklasse: X1 / Y1
Nennspannung Y: 500V
euEccn: NLR
Kapazität: 680pF
Produktpalette: AY1 Series
Nennspannung X: 760V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
30+27.61 грн
50+21.74 грн
100+15.86 грн
250+13.90 грн
500+12.01 грн
1000+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
F340X153348MPP2T0 F340X153348MPP2T0 VISHAY VISH-S-A0016632157-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - F340X153348MPP2T0 - Sicherheitskondensator, THB Klasse IIB, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 3.3 µF, ± 20%
tariffCode: 85322900
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
dv/dt: 80V/µs
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 37.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Entstörklasse: X1
Nennspannung Y: -
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallisiertes PP
Kapazität: 3.3µF
Produktpalette: F340X1 Series
Nennspannung X: 480VAC
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE III (Testbedingung B)
SVHC: To Be Advised
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1286.39 грн
5+1112.51 грн
10+938.63 грн
20+812.53 грн
40+695.52 грн
63+644.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMU01020C3302FB300 MMU01020C3302FB300 VISHAY 2278511.pdf Description: VISHAY - MMU01020C3302FB300 - MELF-Widerstand, Oberflächenmontage, 33 kohm, MMU Series, 100 V, Metallschichtwiderstand, 200 mW
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: MicroMELF 0102
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstand: 33kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
euEccn: NLR
Produktpalette: MMU Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 62302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
91+8.86 грн
139+5.80 грн
250+5.02 грн
500+3.92 грн
1500+3.26 грн
3000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
IMC0805ER100J01 IMC0805ER100J01 VISHAY imc08051.pdf Description: VISHAY - IMC0805ER100J01 - Drahtgewickelte Induktivität, 10 µH, 5 ohm, 40 MHz, 80 mA, 0805 [Metrisch 2012], IMC-0805-01 Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Ungeschirmt
Induktivitätstoleranz: 5%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0805 [Metrisch 2012]
DC-Widerstand, max.: 5ohm
Eigenresonanzfrequenz: 40MHz
usEccn: EAR99
Kernmaterial: Ferrit
DC-Nennstrom: 80mA
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IMC-0805-01 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 1.25mm
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.42 грн
250+9.10 грн
500+8.07 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW080540K0FKEA CRCW080540K0FKEA VISHAY dcrcwe3.pdf Description: VISHAY - CRCW080540K0FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 40 kohm, ± 1%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 40kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 56680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+1.79 грн
1000+1.34 грн
2500+1.06 грн
5000+0.89 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
WFMB2512R0500FEA WFMB2512R0500FEA VISHAY 2793367.pdf Description: VISHAY - WFMB2512R0500FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.05 ohm, WFM Series, 2512 [Metrisch 6432], 3 W, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.5mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2512 [Metrisch 6432]
Widerstandstechnologie: Metallplatte
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 3W
Widerstand: 0.05ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Produktlänge: 6.35mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WFM Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 3.18mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+67.30 грн
50+54.74 грн
250+54.02 грн
500+49.48 грн
1000+44.99 грн
2000+44.37 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
WSLP0603R0500FEA WSLP0603R0500FEA VISHAY VISH-S-A0017382399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - WSLP0603R0500FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.05 ohm, WSLP Series, 0603 [Metrisch 1608], 400 mW, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.406mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400mW
Widerstand: 0.05ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 75ppm/C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSLP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+49.35 грн
100+33.81 грн
500+30.11 грн
1000+25.71 грн
2500+23.67 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
WFMB2512R0500FEA WFMB2512R0500FEA VISHAY 2793367.pdf Description: VISHAY - WFMB2512R0500FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.05 ohm, WFM Series, 2512 [Metrisch 6432], 3 W, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.5mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2512 [Metrisch 6432]
Widerstandstechnologie: Metallplatte
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 3W
Widerstand: 0.05ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Produktlänge: 6.35mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WFM Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 3.18mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+54.74 грн
250+54.02 грн
500+49.48 грн
1000+44.99 грн
2000+44.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
T55V336M025C0050 T55V336M025C0050 VISHAY t55.pdf Description: VISHAY - T55V336M025C0050 - Tantal-Polymer-Kondensator, 33 µF, ± 20%, 25 V, V, 0.05 ohm, 2917 [Metrisch 7343]
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.9mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch 7343]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.05ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 33µF
Spannung (DC): 25V
Rippelstrom: 1.93A
Produktpalette: vPolyTan T55 Series
Hersteller-Größencode: V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Produktbreite: 4.3mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+137.66 грн
11+76.64 грн
50+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IHLP5050CEER100M01 IHLP5050CEER100M01 VISHAY 2049151.pdf Description: VISHAY - IHLP5050CEER100M01 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, 7 A, Geschirmt, 14 A, IHLP-5050CE-01 Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 3.5mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.034ohm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 7A
Sättigungsstrom (Isat): 14A
Produktlänge: 13.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IHLP-5050CE-01 Series
productTraceability: No
Produktbreite: 12.9mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+109.48 грн
10+84.52 грн
50+74.78 грн
100+60.40 грн
200+53.75 грн
500+43.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
V10PM45HM3/H V10PM45HM3/H VISHAY VISH-S-A0006899260-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - V10PM45HM3/H - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 10 A, Einfach, TO-277A, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277A
Durchlassstoßstrom: 180A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TMBS eSMP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 6814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+33.65 грн
500+22.20 грн
1000+17.25 грн
5000+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
VS-18TQ045S-M3 VS-18TQ045S-M3 VISHAY 2621714.pdf Description: VISHAY - VS-18TQ045S-M3 - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 18 A, Einfach, TO-263AB, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB
Durchlassstoßstrom: 1.8kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+122.36 грн
10+106.26 грн
100+86.94 грн
500+69.82 грн
1000+57.68 грн
5000+56.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70042E-GE3 SUM70042E-GE3 VISHAY 3257149.pdf Description: VISHAY - SUM70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3+276.92 грн
10+187.56 грн
100+133.63 грн
500+88.95 грн
1000+79.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40P10-40L_GE3 SQM40P10-40L_GE3 VISHAY sqm40p10.pdf Description: VISHAY - SQM40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+209.30 грн
10+152.95 грн
100+102.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40061EL_GE3 SQD40061EL_GE3 VISHAY sqd40061el.pdf Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+146.51 грн
10+99.82 грн
100+73.17 грн
500+63.84 грн
1000+55.20 грн
5000+51.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40061EL_GE3 SQD40061EL_GE3 VISHAY sqd40061el.pdf Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.17 грн
500+63.84 грн
1000+55.20 грн
5000+51.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR402DP-T1-GE3 SIDR402DP-T1-GE3 VISHAY 2687475.pdf Description: VISHAY - SIDR402DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 11329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+195.62 грн
10+156.98 грн
100+119.94 грн
500+82.22 грн
1000+63.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056ADY-T1-GE3 SI4056ADY-T1-GE3 VISHAY si4056ady.pdf Description: VISHAY - SI4056ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0243 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.07 грн
50+57.07 грн
100+38.96 грн
500+29.15 грн
1000+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3 SI7456DDP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0000186109-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI7456DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27.8 A, 0.017 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 6766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+134.44 грн
10+99.82 грн
100+77.60 грн
500+59.43 грн
1000+50.72 грн
5000+45.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40020EL_GE3 SQM40020EL_GE3 VISHAY 2838127.pdf Description: VISHAY - SQM40020EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00178 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00178ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40P10-40L_GE3 SQM40P10-40L_GE3 VISHAY sqm40p10.pdf Description: VISHAY - SQM40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+102.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ410EL-T1_GE3 SQJQ410EL-T1_GE3 VISHAY sqjq410el.pdf Description: VISHAY - SQJQ410EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 0.0028 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+143.29 грн
500+108.39 грн
1000+93.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50034E_GE3 SQM50034E_GE3 VISHAY 2795476.pdf Description: VISHAY - SQM50034E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+128.00 грн
10+106.26 грн
100+84.52 грн
500+58.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 SI2324DS-T1-GE3 VISHAY si2324ds.pdf Description: VISHAY - SI2324DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.195 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+25.36 грн
500+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322ADN-T1-GE3 SI7322ADN-T1-GE3 VISHAY si7322adn.pdf Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+38.48 грн
22+37.92 грн
100+27.37 грн
500+21.98 грн
1000+18.42 грн
5000+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40N10-30_GE3 SQM40N10-30_GE3 VISHAY 3672806.pdf Description: VISHAY - SQM40N10-30_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+183.54 грн
10+139.26 грн
100+101.43 грн
500+82.97 грн
1000+66.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQD100N04-3M6_GE3 SQD100N04-3M6_GE3 VISHAY sqd100n04-3m6.pdf Description: VISHAY - SQD100N04-3M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+182.74 грн
10+117.53 грн
100+80.50 грн
500+55.09 грн
1000+45.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQD100N04-3M6L_GE3 SQD100N04-3M6L_GE3 VISHAY 3672808.pdf Description: VISHAY - SQD100N04-3M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+155.36 грн
10+105.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ900E-T1_GE3 SQJQ900E-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0009376952-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJQ900E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 0.0034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 75W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+197.22 грн
10+160.20 грн
100+131.22 грн
500+91.94 грн
1000+72.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA416DJ-T1-GE3 SIA416DJ-T1-GE3 VISHAY sia416dj.pdf Description: VISHAY - SIA416DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.3 A, 0.068 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
на замовлення 13010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+50.80 грн
19+43.15 грн
100+29.22 грн
500+21.60 грн
1000+16.01 грн
5000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SISS46DN-T1-GE3 SISS46DN-T1-GE3 VISHAY 2786203.pdf Description: VISHAY - SISS46DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45.3 A, 0.0106 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.16 грн
500+49.26 грн
1000+40.43 грн
5000+39.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISH892BDN-T1-GE3 SISH892BDN-T1-GE3 VISHAY sish892bdn.pdf Description: VISHAY - SISH892BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0253 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0253ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 20374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+76.07 грн
16+51.60 грн
100+34.94 грн
500+28.55 грн
1000+22.36 грн
5000+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3 SI4058DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002292478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+57.64 грн
21+38.40 грн
100+26.40 грн
500+23.17 грн
1000+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50034EL_GE3 SQD50034EL_GE3 VISHAY 2838128.pdf Description: VISHAY - SQD50034EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+82.97 грн
500+72.45 грн
2000+67.69 грн
4000+63.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIS110DN-T1-GE3 SIS110DN-T1-GE3 VISHAY sis110dn.pdf Description: VISHAY - SIS110DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14.2 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 24W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 28085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+29.30 грн
500+21.53 грн
1000+15.87 грн
3000+14.70 грн
6000+14.42 грн
12000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 SI2328DS-T1-GE3 VISHAY 2049165.pdf Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.195 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+40.41 грн
500+34.09 грн
1500+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680DP-T1-GE3 SIDR680DP-T1-GE3 VISHAY sidr680dp.pdf Description: VISHAY - SIDR680DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+167.44 грн
10+149.73 грн
25+135.24 грн
100+112.12 грн
500+86.25 грн
1000+84.87 грн
3000+82.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3 SI4058DY-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0002292478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.40 грн
500+23.17 грн
1000+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322ADN-T1-GE3 SI7322ADN-T1-GE3 VISHAY si7322adn.pdf Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 26W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+31.48 грн
500+23.02 грн
1000+17.87 грн
3000+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3 SUD50P10-43L-GE3 VISHAY VISH-S-A0009497839-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+119.14 грн
500+100.91 грн
1000+80.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH112E-T1-GE3 SIJH112E-T1-GE3 VISHAY sijh112e.pdf Description: VISHAY - SIJH112E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 0.0023 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+233.97 грн
500+167.67 грн
2000+162.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3 SUD50P10-43L-GE3 VISHAY VISH-S-A0009497839-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+162.61 грн
50+140.88 грн
100+119.14 грн
500+100.91 грн
1000+80.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQD70140EL_GE3 SQD70140EL_GE3 VISHAY sqd70140el.pdf Description: VISHAY - SQD70140EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.04 грн
10+86.14 грн
100+63.11 грн
500+54.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ15CA-E3/57T SMCJ15CA-E3/57T VISHAY VISH-S-A0013009735-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SMCJ15CA-E3/57T - TVS-Diode, TRANSZORB SMCJ, Bidirektional, 15 V, 24.4 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 16.7V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 18.5V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 15V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 24.4V
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
21+39.20 грн
28+29.62 грн
100+24.47 грн
500+20.71 грн
1000+17.25 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW06035K10FKEA 2310790.pdf
CRCW06035K10FKEA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW06035K10FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 5.1 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 5.1kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 119450 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
519+1.55 грн
633+1.27 грн
910+0.89 грн
1163+0.64 грн
2500+0.50 грн
5000+0.40 грн
Мінімальне замовлення: 519
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW06035K10FKEAHP 3924202.pdf
CRCW06035K10FKEAHP
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW06035K10FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 5.1 kohm, ± 1%, 330 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschicht (doppelseitig)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 330mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
Widerstand: 5.1kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 130 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW06035K10FKEAHP 3924202.pdf
CRCW06035K10FKEAHP
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW06035K10FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 5.1 kohm, ± 1%, 330 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschicht (doppelseitig)
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 330mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
Widerstand: 5.1kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
170+4.76 грн
224+3.60 грн
500+2.58 грн
1000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 170
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206Y473JXAAC VISH-S-A0014948057-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VJ1206Y473JXAAC
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1206Y473JXAAC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.047 µF, 50 V, 1206 [Metrisch 3216], ± 5%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch 3216]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.047µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 19045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
53+15.38 грн
82+9.90 грн
250+8.69 грн
500+7.00 грн
1500+5.87 грн
3000+5.28 грн
Мінімальне замовлення: 53
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206Y103JXAMC vjcommercialseries.pdf
VJ1206Y103JXAMC
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1206Y103JXAMC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.01 µF, 50 V, 1206 [Metrisch 3216], ± 5%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch 3216]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 5%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.01µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+5.96 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206Y104JXAAT 2878570.pdf
VJ1206Y104JXAAT
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1206Y104JXAAT - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.1 µF, 50 V, 1206 [Metrisch 3216], ± 5%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch 3216]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.1µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+23.18 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
VJ1206Y103JXAMC VISH-S-A0014948057-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VJ1206Y103JXAMC
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1206Y103JXAMC - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 0.01 µF, 50 V, 1206 [Metrisch 3216], ± 5%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [Metrisch 3216]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 5%
Qualifikation: -
MSL: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.01µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: VJ Commercial Series
productTraceability: No
Kondensatoranschlüsse: Umwickelt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 19974 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
50+16.18 грн
83+9.74 грн
250+7.73 грн
500+5.31 грн
1500+4.69 грн
3000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 50
В кошику  од. на суму  грн.
MAL209637152E3 VISH-S-A0002931224-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
MAL209637152E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - MAL209637152E3 - Elektrolytkondensator, lange Lebensdauer, 1500 µF, 450 V, ± 20%, Einrastmontage
tariffCode: 85322200
Produkthöhe: 80mm
Polarität: Polarisiert
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 5000 Stunden bei 85°C
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.067ohm
euEccn: NLR
Spannung (AC): -
Kapazität: 1500µF
Spannung (DC): 450V
Rippelstrom: 6.8A
Produktpalette: 096 PLL-4TSI Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 45mm
Kondensatoranschlüsse: Einrastmontage
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+5633.39 грн
3+4929.02 грн
5+4084.57 грн
10+3400.38 грн
20+2897.31 грн
50+2704.11 грн
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5M6L_GE3 sqd50n04-5m6l.pdf
SQD50N04-5M6L_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50N04-5M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0043 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 649 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+97.40 грн
10+80.50 грн
100+61.98 грн
500+41.04 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5M6_GE3 3672811.pdf
SQD50N04-5M6_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50N04-5M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0046 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
10+86.14 грн
12+71.56 грн
Мінімальне замовлення: 10
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-4M5L_GE3 SQD50N04-4M5L.pdf
SQD50N04-4M5L_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50N04-4M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+162.61 грн
10+130.41 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-4M5L_GE3 SQD50N04-4M5L.pdf
SQD50N04-4M5L_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50N04-4M5L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 21 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5M6_GE3 sqd50n04-5m6.pdf
SQD50N04-5M6_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50N04-5M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0046 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 25 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50N04-5M6L_GE3 sqd50n04-5m6l.pdf
SQD50N04-5M6L_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50N04-5M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 50 A, 0.0043 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 50A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pins
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0043ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0043ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 949 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+61.02 грн
500+48.06 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
MKT1817210404 mkt1817.pdf
MKT1817210404
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - MKT1817210404 - CAPACITOR POLYESTER FILM, 1000PF, 400V, 5%, RADIAL
tariffCode: 85322500
Produkthöhe: 6.5mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial Box - 2 Pin
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 5%
Kondensatormontage: Through Hole
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Produktlänge: 7.2mm
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallized PET
Spannung (AC): 0
Kapazität: 1000pF
Spannung (DC): 400V
Produktpalette: MKT1817 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: PC Pin
Betriebstemperatur, max.: 100°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE II (Test Condition A)
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 590 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VY1220K31U2JQ6TV0 4330020.pdf
VY1220K31U2JQ6TV0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VY1220K31U2JQ6TV0 - Funkentstörkondensator (Keramik), Scheibenkondensator, 22 pF, ± 10%, X1 / Y1, 760 V, 500 V
tariffCode: 85322300
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 10mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Entstörklasse: X1 / Y1
Nennspannung Y: 500V
euEccn: NLR
Kapazität: 22pF
Produktpalette: VY1 Series
Nennspannung X: 760V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 70942 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
29+28.50 грн
58+14.01 грн
80+10.14 грн
130+5.79 грн
200+5.24 грн
500+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 29
В кошику  од. на суму  грн.
AY1681M35Y5UC63L0 4330016.pdf
AY1681M35Y5UC63L0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - AY1681M35Y5UC63L0 - Funkentstörkondensator (Keramik), AEC-Q200, 680 pF, ± 20%, X1 / Y1, 760 V, 500 V, Radial bedrahtet
tariffCode: 85322300
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radial bedrahtet
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 10mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 20%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Entstörklasse: X1 / Y1
Nennspannung Y: 500V
euEccn: NLR
Kapazität: 680pF
Produktpalette: AY1 Series
Nennspannung X: 760V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5958 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
30+27.61 грн
50+21.74 грн
100+15.86 грн
250+13.90 грн
500+12.01 грн
1000+11.25 грн
Мінімальне замовлення: 30
В кошику  од. на суму  грн.
F340X153348MPP2T0 VISH-S-A0016632157-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
F340X153348MPP2T0
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - F340X153348MPP2T0 - Sicherheitskondensator, THB Klasse IIB, Metallisiertes PP, Radiales Gehäuse, 2 Pins, 3.3 µF, ± 20%
tariffCode: 85322900
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Radiales Gehäuse, 2 Pins
dv/dt: 80V/µs
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: 37.5mm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Kondensatormontage: Durchsteckmontage
Qualifikation: AEC-Q200
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Entstörklasse: X1
Nennspannung Y: -
euEccn: NLR
Dielektrikum: Metallisiertes PP
Kapazität: 3.3µF
Produktpalette: F340X1 Series
Nennspannung X: 480VAC
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Feuchtigkeitsklasse: GRADE III (Testbedingung B)
SVHC: To Be Advised
на замовлення 92 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+1286.39 грн
5+1112.51 грн
10+938.63 грн
20+812.53 грн
40+695.52 грн
63+644.46 грн
В кошику  од. на суму  грн.
MMU01020C3302FB300 2278511.pdf
MMU01020C3302FB300
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - MMU01020C3302FB300 - MELF-Widerstand, Oberflächenmontage, 33 kohm, MMU Series, 100 V, Metallschichtwiderstand, 200 mW
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: MicroMELF 0102
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstand: 33kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
euEccn: NLR
Produktpalette: MMU Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 100V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 62302 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
91+8.86 грн
139+5.80 грн
250+5.02 грн
500+3.92 грн
1500+3.26 грн
3000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 91
В кошику  од. на суму  грн.
IMC0805ER100J01 imc08051.pdf
IMC0805ER100J01
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IMC0805ER100J01 - Drahtgewickelte Induktivität, 10 µH, 5 ohm, 40 MHz, 80 mA, 0805 [Metrisch 2012], IMC-0805-01 Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 1.2mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Ungeschirmt
Induktivitätstoleranz: 5%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: 0805 [Metrisch 2012]
DC-Widerstand, max.: 5ohm
Eigenresonanzfrequenz: 40MHz
usEccn: EAR99
Kernmaterial: Ferrit
DC-Nennstrom: 80mA
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IMC-0805-01 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 1.25mm
на замовлення 1210 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.42 грн
250+9.10 грн
500+8.07 грн
1000+7.18 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW080540K0FKEA dcrcwe3.pdf
CRCW080540K0FKEA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW080540K0FKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 40 kohm, ± 1%, 125 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 40kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 56680 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+1.79 грн
1000+1.34 грн
2500+1.06 грн
5000+0.89 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
WFMB2512R0500FEA 2793367.pdf
WFMB2512R0500FEA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - WFMB2512R0500FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.05 ohm, WFM Series, 2512 [Metrisch 6432], 3 W, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.5mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2512 [Metrisch 6432]
Widerstandstechnologie: Metallplatte
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 3W
Widerstand: 0.05ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Produktlänge: 6.35mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WFM Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 3.18mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+67.30 грн
50+54.74 грн
250+54.02 грн
500+49.48 грн
1000+44.99 грн
2000+44.37 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
WSLP0603R0500FEA VISH-S-A0017382399-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
WSLP0603R0500FEA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - WSLP0603R0500FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.05 ohm, WSLP Series, 0603 [Metrisch 1608], 400 mW, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.406mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 400mW
Widerstand: 0.05ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 75ppm/C
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSLP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
17+49.35 грн
100+33.81 грн
500+30.11 грн
1000+25.71 грн
2500+23.67 грн
Мінімальне замовлення: 17
В кошику  од. на суму  грн.
WFMB2512R0500FEA 2793367.pdf
WFMB2512R0500FEA
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - WFMB2512R0500FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.05 ohm, WFM Series, 2512 [Metrisch 6432], 3 W, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.5mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2512 [Metrisch 6432]
Widerstandstechnologie: Metallplatte
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 3W
Widerstand: 0.05ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 50ppm/C
Produktlänge: 6.35mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WFM Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 3.18mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 2221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+54.74 грн
250+54.02 грн
500+49.48 грн
1000+44.99 грн
2000+44.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
T55V336M025C0050 t55.pdf
T55V336M025C0050
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - T55V336M025C0050 - Tantal-Polymer-Kondensator, 33 µF, ± 20%, 25 V, V, 0.05 ohm, 2917 [Metrisch 7343]
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.9mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 2917 [Metrisch 7343]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.05ohm
Produktlänge: 7.3mm
euEccn: NLR
Kapazität: 33µF
Spannung (DC): 25V
Rippelstrom: 1.93A
Produktpalette: vPolyTan T55 Series
Hersteller-Größencode: V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Produktbreite: 4.3mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 89 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+137.66 грн
11+76.64 грн
50+64.80 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
IHLP5050CEER100M01 2049151.pdf
IHLP5050CEER100M01
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IHLP5050CEER100M01 - Leistungsinduktivität (SMD), 10 µH, 7 A, Geschirmt, 14 A, IHLP-5050CE-01 Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 3.5mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 10µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.034ohm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 7A
Sättigungsstrom (Isat): 14A
Produktlänge: 13.2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IHLP-5050CE-01 Series
productTraceability: No
Produktbreite: 12.9mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 796 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+109.48 грн
10+84.52 грн
50+74.78 грн
100+60.40 грн
200+53.75 грн
500+43.82 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
V10PM45HM3/H VISH-S-A0006899260-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
V10PM45HM3/H
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - V10PM45HM3/H - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 10 A, Einfach, TO-277A, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277A
Durchlassstoßstrom: 180A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TMBS eSMP Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 6814 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+33.65 грн
500+22.20 грн
1000+17.25 грн
5000+17.11 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
VS-18TQ045S-M3 2621714.pdf
VS-18TQ045S-M3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-18TQ045S-M3 - Schottky-Gleichrichterdiode, 45 V, 18 A, Einfach, TO-263AB, 3 Pin(s), 600 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-263AB
Durchlassstoßstrom: 1.8kA
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 600mV
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 18A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 45V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 5391 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+122.36 грн
10+106.26 грн
100+86.94 грн
500+69.82 грн
1000+57.68 грн
5000+56.79 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SUM70042E-GE3 3257149.pdf
SUM70042E-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUM70042E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 150 A, 0.0033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 150A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 278W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5011 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3+276.92 грн
10+187.56 грн
100+133.63 грн
500+88.95 грн
1000+79.35 грн
Мінімальне замовлення: 3
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40P10-40L_GE3 sqm40p10.pdf
SQM40P10-40L_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+209.30 грн
10+152.95 грн
100+102.24 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40061EL_GE3 sqd40061el.pdf
SQD40061EL_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+146.51 грн
10+99.82 грн
100+73.17 грн
500+63.84 грн
1000+55.20 грн
5000+51.40 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQD40061EL_GE3 sqd40061el.pdf
SQD40061EL_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD40061EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 40 V, 100 A, 0.0042 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0042ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 6293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.17 грн
500+63.84 грн
1000+55.20 грн
5000+51.40 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR402DP-T1-GE3 2687475.pdf
SIDR402DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR402DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 730 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 730µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 11329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+195.62 грн
10+156.98 грн
100+119.94 грн
500+82.22 грн
1000+63.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4056ADY-T1-GE3 si4056ady.pdf
SI4056ADY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4056ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 8.3 A, 0.0243 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 8.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0243ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3981 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+76.07 грн
50+57.07 грн
100+38.96 грн
500+29.15 грн
1000+23.80 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI7456DDP-T1-GE3 VISH-S-A0000186109-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI7456DDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7456DDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 27.8 A, 0.017 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 27.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 35.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.017ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 6766 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+134.44 грн
10+99.82 грн
100+77.60 грн
500+59.43 грн
1000+50.72 грн
5000+45.33 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40020EL_GE3 2838127.pdf
SQM40020EL_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40020EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.00178 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.7V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00178ohm
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40P10-40L_GE3 sqm40p10.pdf
SQM40P10-40L_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40P10-40L_GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 40 A, 0.033 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.033ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 395 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+102.24 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ410EL-T1_GE3 sqjq410el.pdf
SQJQ410EL-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ410EL-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 135 A, 0.0028 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 135A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0028ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3126 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+143.29 грн
500+108.39 грн
1000+93.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQM50034E_GE3 2795476.pdf
SQM50034E_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM50034E_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0032 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0032ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 539 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+128.00 грн
10+106.26 грн
100+84.52 грн
500+58.45 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SI2324DS-T1-GE3 si2324ds.pdf
SI2324DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2324DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 2.3 A, 0.195 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.5W
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 775 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+25.36 грн
500+18.76 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322ADN-T1-GE3 si7322adn.pdf
SI7322ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 15.1A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 26W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 13201 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+38.48 грн
22+37.92 грн
100+27.37 грн
500+21.98 грн
1000+18.42 грн
5000+16.49 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
SQM40N10-30_GE3 3672806.pdf
SQM40N10-30_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM40N10-30_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 40 A, 0.023 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.023ohm
SVHC: Boric acid (14-Jun-2023)
на замовлення 1390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+183.54 грн
10+139.26 грн
100+101.43 грн
500+82.97 грн
1000+66.72 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQD100N04-3M6_GE3 sqd100n04-3m6.pdf
SQD100N04-3M6_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD100N04-3M6_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1982 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+182.74 грн
10+117.53 грн
100+80.50 грн
500+55.09 грн
1000+45.47 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQD100N04-3M6L_GE3 3672808.pdf
SQD100N04-3M6L_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD100N04-3M6L_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 100 A, 0.003 ohm, TO-252AA, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 136W
Bauform - Transistor: TO-252AA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.003ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 19 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+155.36 грн
10+105.46 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SQJQ900E-T1_GE3 VISH-S-A0009376952-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJQ900E-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJQ900E-T1_GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 V, 100 A, 100 A, 0.0034 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 40V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 100A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.0034ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 75W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 40V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.0034ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 75W
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1801 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+197.22 грн
10+160.20 грн
100+131.22 грн
500+91.94 грн
1000+72.45 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIA416DJ-T1-GE3 sia416dj.pdf
SIA416DJ-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA416DJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 11.3 A, 0.068 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.6V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 19W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.068ohm
на замовлення 13010 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+50.80 грн
19+43.15 грн
100+29.22 грн
500+21.60 грн
1000+16.01 грн
5000+14.49 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
SISS46DN-T1-GE3 2786203.pdf
SISS46DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS46DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 45.3 A, 0.0106 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 45.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0106ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14406 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+71.16 грн
500+49.26 грн
1000+40.43 грн
5000+39.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISH892BDN-T1-GE3 sish892bdn.pdf
SISH892BDN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISH892BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 20 A, 0.0253 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0253ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 20374 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+76.07 грн
16+51.60 грн
100+34.94 грн
500+28.55 грн
1000+22.36 грн
5000+20.84 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3 VISH-S-A0002292478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4058DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14+57.64 грн
21+38.40 грн
100+26.40 грн
500+23.17 грн
1000+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
SQD50034EL_GE3 2838128.pdf
SQD50034EL_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD50034EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 100 A, 0.0033 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 107W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 107W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0033ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0033ohm
на замовлення 5050 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+82.97 грн
500+72.45 грн
2000+67.69 грн
4000+63.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIS110DN-T1-GE3 sis110dn.pdf
SIS110DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS110DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 14.2 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 24W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 28085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+29.30 грн
500+21.53 грн
1000+15.87 грн
3000+14.70 грн
6000+14.42 грн
12000+14.08 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI2328DS-T1-GE3 2049165.pdf
SI2328DS-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.5 A, 0.195 ohm, TO-236, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 1.25W
Bauform - Transistor: TO-236
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.195ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+40.41 грн
500+34.09 грн
1500+30.84 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIDR680DP-T1-GE3 sidr680dp.pdf
SIDR680DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR680DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 100A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 125W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 125W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+167.44 грн
10+149.73 грн
25+135.24 грн
100+112.12 грн
500+86.25 грн
1000+84.87 грн
3000+82.80 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SI4058DY-T1-GE3 VISH-S-A0002292478-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SI4058DY-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4058DY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 10.3 A, 0.0217 ohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 10.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 5.6W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0217ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 4921 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.40 грн
500+23.17 грн
1000+20.22 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SI7322ADN-T1-GE3 si7322adn.pdf
SI7322ADN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7322ADN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 15.1 A, 0.045 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
Verlustleistung: 26W
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.045ohm
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 4610 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+31.48 грн
500+23.02 грн
1000+17.87 грн
3000+17.46 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3 VISH-S-A0009497839-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUD50P10-43L-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+119.14 грн
500+100.91 грн
1000+80.04 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJH112E-T1-GE3 sijh112e.pdf
SIJH112E-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJH112E-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 225 A, 0.0023 ohm, PowerPAK, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 225A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 333W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 333W
Bauform - Transistor: PowerPAK
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 4Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0023ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 5354 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+233.97 грн
500+167.67 грн
2000+162.15 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SUD50P10-43L-GE3 VISH-S-A0009497839-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SUD50P10-43L-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SUD50P10-43L-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 100 V, 36.4 A, 0.036 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 36.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 113.6W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.036ohm
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+162.61 грн
50+140.88 грн
100+119.14 грн
500+100.91 грн
1000+80.04 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQD70140EL_GE3 sqd70140el.pdf
SQD70140EL_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQD70140EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 30 A, 0.012 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.012ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.012ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 1584 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+103.04 грн
10+86.14 грн
100+63.11 грн
500+54.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SMCJ15CA-E3/57T VISH-S-A0013009735-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SMCJ15CA-E3/57T
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SMCJ15CA-E3/57T - TVS-Diode, TRANSZORB SMCJ, Bidirektional, 15 V, 24.4 V, DO-214AB (SMC), 2 Pin(s)
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Durchbruchspannung, min.: 16.7V
Qualifikation: AEC-Q101
Durchbruchspannung, max.: 18.5V
usEccn: EAR99
Sperrspannung: 15V
euEccn: NLR
Spitzenimpulsverlustleistung: 1.5kW
TVS-Polarität: Bidirektional
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TRANSZORB SMCJ
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Klemmspannung, max.: 24.4V
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 2950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21+39.20 грн
28+29.62 грн
100+24.47 грн
500+20.71 грн
1000+17.25 грн
Мінімальне замовлення: 21
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 584 1168 1752 2336 2920 3250 3251 3252 3253 3254 3255 3256 3257 3258 3259 3260 3504 4088 4672 5256 5840 5844  [ Наступна Сторінка >> ]