Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (245579) > Сторінка 3287 з 4093

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 409 818 1227 1636 2045 2454 2863 3272 3282 3283 3284 3285 3286 3287 3288 3289 3290 3291 3292 3681 4090 4093  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
VCAN36A2-03GHE3-08 VCAN36A2-03GHE3-08 VISHAY VISH-S-A0025448632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VCAN36A2-03GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 63 V, SOT-323, 3 Pin(s), 36 V, 150 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 63V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 8504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+32.70 грн
39+21.13 грн
100+11.74 грн
500+10.00 грн
1000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
VCAN26B2-03G-E3-08 VCAN26B2-03G-E3-08 VISHAY 3327291.pdf Description: VISHAY - VCAN26B2-03G-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 50 V, SOT-323, 3 Pin(s), 26.5 V, 100 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 50V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 26.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.87 грн
1000+4.03 грн
5000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
VCAN36A2-03SHE3-08 VCAN36A2-03SHE3-08 VISHAY VISH-S-A0017898054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VCAN36A2-03SHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 63 V, SOT-23, 3 Pin(s), 36 V, 150 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 63V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 8329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.36 грн
500+8.04 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
VCAN36A2-03SHE3-08 VCAN36A2-03SHE3-08 VISHAY VISH-S-A0017898054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VCAN36A2-03SHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 63 V, SOT-23, 3 Pin(s), 36 V, 150 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 63V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 8329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
28+29.95 грн
39+21.21 грн
100+10.36 грн
500+8.04 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
VCAN16A2-03SHE3-08 VCAN16A2-03SHE3-08 VISHAY VISH-S-A0008953896-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VCAN16A2-03SHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 145 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 145W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VCAN16A2-03GHE3-08 VCAN16A2-03GHE3-08 VISHAY VISH-S-A0025448628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VCAN16A2-03GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, SOT-323, 3 Pin(s), 16 V, 140 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 22915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.77 грн
500+8.12 грн
1000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
VCAN16A2-03S-E3-08 VCAN16A2-03S-E3-08 VISHAY VISH-S-A0018603704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VCAN16A2-03S-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 145 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 145W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.96 грн
500+7.97 грн
1000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
VCAN33A2-03SHE3-08 VCAN33A2-03SHE3-08 VISHAY VISH-S-A0019314289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VCAN33A2-03SHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 56 V, SOT-23, 3 Pin(s), 33 V, 150 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 56V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 33V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.24 грн
27+30.36 грн
100+25.82 грн
500+15.94 грн
1000+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
VCAN16A2-03S-E3-08 VCAN16A2-03S-E3-08 VISHAY VISH-S-A0018603704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VCAN16A2-03S-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 145 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 145W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
47+17.40 грн
69+11.90 грн
100+9.96 грн
500+7.97 грн
1000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
VCAN33A2-03S-E3-08 VCAN33A2-03S-E3-08 VISHAY VISH-S-A0019314289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VCAN33A2-03S-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 56 V, SOT-23, 3 Pin(s), 33 V, 150 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 56V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 33V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+10.77 грн
500+7.43 грн
1000+6.06 грн
5000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
VCAN16A2-03GHE3-08 VCAN16A2-03GHE3-08 VISHAY VISH-S-A0025448628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VCAN16A2-03GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, SOT-323, 3 Pin(s), 16 V, 140 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 22915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+22.26 грн
54+15.22 грн
100+10.77 грн
500+8.12 грн
1000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
VCAN33A2-03GHE3-08 VCAN33A2-03GHE3-08 VISHAY VISH-S-A0025448631-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VCAN33A2-03GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 56 V, SOT-323, 3 Pin(s), 33 V, 140 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 56V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 33V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 6769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.01 грн
500+7.74 грн
1000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR165DP-T1-GE3 SIR165DP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0011029447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR165DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+201.56 грн
50+130.33 грн
100+89.04 грн
500+65.92 грн
1500+56.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR158DP-T1-RE3 SIR158DP-T1-RE3 VISHAY sir158dp.pdf Description: VISHAY - SIR158DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+175.66 грн
10+113.33 грн
100+77.31 грн
500+61.86 грн
1000+55.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR167DP-T1-GE3 SIR167DP-T1-GE3 VISHAY sir167dp.pdf Description: VISHAY - SIR167DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+147.32 грн
50+93.90 грн
100+62.98 грн
500+46.15 грн
1500+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SISS67DN-T1-GE3 SISS67DN-T1-GE3 VISHAY 2687542.pdf Description: VISHAY - SISS67DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0046 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+93.09 грн
10+83.38 грн
100+65.00 грн
500+49.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10BDP-T1-GE3 SIRA10BDP-T1-GE3 VISHAY 2687524.pdf Description: VISHAY - SIRA10BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+56.02 грн
18+45.41 грн
100+29.30 грн
500+22.70 грн
1000+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18BDN-T1-GE3 SISA18BDN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0018324943-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISA18BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 6830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+95.52 грн
17+50.27 грн
100+33.11 грн
500+23.83 грн
1000+19.91 грн
5000+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SISA04DN-T1-GE3 SISA04DN-T1-GE3 VISHAY sisa04dn.pdf Description: VISHAY - SISA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2150 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+144.90 грн
10+92.28 грн
100+61.20 грн
500+46.60 грн
1000+37.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18BDP-T1-GE3 SIRA18BDP-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0025625213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIRA18BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 6830 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 17W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.88 грн
500+14.81 грн
1000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA04DN-T1-GE3 SISHA04DN-T1-GE3 VISHAY VISH-S-A0013329332-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SISHA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+45.09 грн
500+31.87 грн
1000+23.66 грн
5000+21.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1C-HG3_A/H PLZ5V1C-HG3_A/H VISHAY plzseries.pdf Description: VISHAY - PLZ5V1C-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
62+13.19 грн
90+9.07 грн
209+3.89 грн
500+3.16 грн
1000+2.50 грн
5000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1B-G3/H PLZ5V1B-G3/H VISHAY VISH-S-A0011038632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - PLZ5V1B-G3/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
105+7.72 грн
148+5.48 грн
269+3.02 грн
500+2.34 грн
1000+1.88 грн
5000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
TZX5V1B-TAP TZX5V1B-TAP VISHAY VISH-S-A0023658947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - TZX5V1B-TAP - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 175 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TZX5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
89+9.15 грн
126+6.44 грн
313+2.59 грн
500+1.98 грн
1000+1.49 грн
5000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1C-HG3_A/H PLZ5V1C-HG3_A/H VISHAY 3177834.pdf Description: VISHAY - PLZ5V1C-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+3.16 грн
1000+2.50 грн
5000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1B-HG3_A/H PLZ5V1B-HG3_A/H VISHAY VISH-S-A0011038632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - PLZ5V1B-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+8.42 грн
149+5.45 грн
252+3.21 грн
500+2.50 грн
1000+2.11 грн
5000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1A-HG3_A/H PLZ5V1A-HG3_A/H VISHAY 3177834.pdf Description: VISHAY - PLZ5V1A-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1B-G3/H PLZ5V1B-G3/H VISHAY VISH-S-A0011038632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - PLZ5V1B-G3/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.34 грн
1000+1.88 грн
5000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1B-HG3_A/H PLZ5V1B-HG3_A/H VISHAY VISH-S-A0011038632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - PLZ5V1B-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.50 грн
1000+2.11 грн
5000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1A-HG3_A/H PLZ5V1A-HG3_A/H VISHAY 3177834.pdf Description: VISHAY - PLZ5V1A-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
43+18.94 грн
64+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
VS-1N3208 VS-1N3208 VISHAY VISH-S-A0004148052-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - VS-1N3208 - STANDARD DIODE, 15A, 50V, DO-203AB
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CNS471A6 CNS471A6 VISHAY doc?60043 Description: VISHAY - CNS471A6 - Dekadenteiler, 100 Ohm bis 9 MOhm, Produktreihe CNS 471, 6 Elemente, SIP
tariffCode: 85332100
Widerstand, R1: -
Absolute Widerstandstoleranz: 0.1%
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: SIP
Absoluter TCR: 25ppm/K
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Netzwerkelement: Spannungsteiler
usEccn: EAR99
Anzahl der Elemente: 6Element(e)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Nennleistung pro Widerstand: 100mW
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CNS 471 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Widerstand, R2: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+9332.46 грн
2+8166.00 грн
3+7791.21 грн
5+6886.68 грн
10+6035.69 грн
20+5630.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RS3G-E3/57T RS3G-E3/57T VISHAY VISH-S-A0007914366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - RS3G-E3/57T - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
593D105X9025A2TE3 593D105X9025A2TE3 VISHAY 593d.pdf Description: VISHAY - 593D105X9025A2TE3 - CAP, 1UF, 25V, TANT, CASE A
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.6mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [3216 Metric]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 4ohm
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 1µF
Spannung (DC): 25V
Rippelstrom: 140mA
Produktpalette: TANTAMOUNT 593D Series
Hersteller-Größencode: A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+51.00 грн
30+27.52 грн
34+24.28 грн
50+19.54 грн
100+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DG408DQ-T1-E3 DG408DQ-T1-E3 VISHAY VISH-S-A0020654125-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - DG408DQ-T1-E3 - Analoger Multiplexer, 8:1, 1 Schaltkreis, 100 Ohm, ± 5V bis ± 20V, 5V bis 36V, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analoger Multiplexer
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 5V bis ± 20V, 5V bis 36V
Einschaltwiderstand, max.: 100ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 40ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 8:1
Schalterkonfiguration: -
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 1Schaltkreis(e)
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 100ohm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+157.10 грн
250+139.46 грн
500+138.77 грн
1000+137.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW080527R0FKEAHP CRCW080527R0FKEAHP VISHAY crcwhpe3.pdf Description: VISHAY - CRCW080527R0FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 27 ohm, ± 1%, 500 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 500mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
isCanonical: N
Widerstand: 27ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
VS-60APH03L-N3 VS-60APH03L-N3 VISHAY vs-60aph03l-n3.pdf Description: VISHAY - VS-60APH03L-N3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 60 A, Einfach, 1.45 V, 42 ns, 450 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247AD
Durchlassstoßstrom: 450A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.45V
Sperrverzögerungszeit: 42ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: FRED Pt Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 300V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+404.74 грн
10+265.51 грн
100+195.08 грн
500+160.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RO116SF1D502 RO116SF1D502 VISHAY VISH-S-A0001109830-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - RO116SF1D502 - Drehpotentiometer, 5 kohm, 1 Umdrehung(en), Linear, 400 mW, ± 10%, RO11 Series
tariffCode: 85334010
Produkthöhe: -
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: -
Anzahl der Umdrehungen: 1Umdrehung(en)
Widerstandstechnologie: Kunststoff, leitfähig
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Potentiometermontage: Servohalterung
Nennleistung: 400mW
Einstellungsart: Drehschalter
Bahnwiderstand: 5kohm
Widerstandsverlauf: Linear
usEccn: EAR99
Anzahl der Einbaustellen: 1
Wellendurchmesser: 3.175mm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 10%
Temperaturkoeffizient: -
Produktlänge: 37.1mm
euEccn: NLR
Potentiometer: Präzision
Länge der Welle: 16.6mm
Produktpalette: RO11 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Potentiometeranschlüsse: Lötstützpunkt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+81838.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TNPU0805100RBZEN00 TNPU0805100RBZEN00 VISHAY VISH-S-A0009556860-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - TNPU0805100RBZEN00 - RES, THIN FILM, 100R, 0.1%, 0.125W, 0805
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [2012 Metric]
Widerstandstechnologie: Thin Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Precision
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0.1%
Temperaturkoeffizient: 5ppm/K
Produktlänge: 2.01mm
euEccn: NLR
Produktpalette: TNPU e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+195.89 грн
10+135.99 грн
25+118.99 грн
50+95.46 грн
100+77.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
LL103B-GS08 LL103B-GS08 VISHAY VISH-S-A0014148067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - LL103B-GS08 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 15 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 15A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: LL103
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA92EP-T1_GE3 SQJA92EP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0002923619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJA92EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 57 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 57
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
9+97.95 грн
10+87.42 грн
100+68.40 грн
500+52.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIR584DP-T1-RE3 SIR584DP-T1-RE3 VISHAY 3646755.pdf Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+88.23 грн
500+67.20 грн
1000+51.41 грн
5000+50.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR584DP-T1-RE3 SIR584DP-T1-RE3 VISHAY 3646755.pdf Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+121.42 грн
10+109.28 грн
100+88.23 грн
500+67.20 грн
1000+51.41 грн
5000+50.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826BDP-T1-RE3 SIR826BDP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0007359364-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+140.04 грн
10+106.04 грн
100+74.47 грн
500+55.17 грн
1000+48.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826LDP-T1-RE3 SIR826LDP-T1-RE3 VISHAY sir826ldp.pdf Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 0.00415 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00415ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+131.94 грн
50+97.95 грн
100+72.69 грн
500+53.82 грн
1500+45.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826BDP-T1-RE3 SIR826BDP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0007359364-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+74.47 грн
500+55.17 грн
1000+48.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR120DP-T1-RE3 SIR120DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0007341475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 3550 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3550µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 17283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+156.23 грн
10+95.52 грн
100+75.12 грн
500+55.85 грн
1000+48.22 грн
5000+42.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880BDP-T1-RE3 SIR880BDP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0012815736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR120DP-T1-RE3 SIR120DP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0007341475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 3550 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00296ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3550µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 17283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+75.12 грн
500+55.85 грн
1000+48.22 грн
5000+42.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ186EP-T1_GE3 SQJ186EP-T1_GE3 VISHAY sqj186ep.pdf Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 9433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+108.47 грн
13+65.08 грн
100+51.64 грн
500+35.25 грн
1000+29.14 грн
5000+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ186EP-T1_GE3 SQJ186EP-T1_GE3 VISHAY sqj186ep.pdf Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 135W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 9433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+51.64 грн
500+35.25 грн
1000+29.14 грн
5000+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3 SIR5802DP-T1-RE3 VISHAY 3257158.pdf Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+105.23 грн
500+80.43 грн
1000+61.75 грн
3000+58.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ128LDP-T1-GE3 SIJ128LDP-T1-GE3 VISHAY sij128ldp.pdf Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 21591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+65.49 грн
15+56.99 грн
100+52.45 грн
500+43.52 грн
1000+37.40 грн
5000+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880BDP-T1-RE3 SIR880BDP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0012815736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122LDP-T1-RE3 SIR122LDP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0012473390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+73.91 грн
500+54.80 грн
1000+46.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122LDP-T1-RE3 SIR122LDP-T1-RE3 VISHAY VISH-S-A0012473390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+173.23 грн
10+110.90 грн
100+73.91 грн
500+54.80 грн
1000+46.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3 SIR5802DP-T1-RE3 VISHAY 3257158.pdf Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+166.75 грн
10+133.56 грн
100+105.23 грн
500+80.43 грн
1000+61.75 грн
3000+58.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA92EP-T1_GE3 SQJA92EP-T1_GE3 VISHAY VISH-S-A0002923619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: VISHAY - SQJA92EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 57 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 68
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+68.40 грн
500+52.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA62DP-T1-RE3 SIRA62DP-T1-RE3 VISHAY 2687527.pdf Description: VISHAY - SIRA62DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.001 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 65.7
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+66.70 грн
500+50.96 грн
1000+34.83 грн
5000+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826LDP-T1-RE3 SIR826LDP-T1-RE3 VISHAY 3164661.pdf Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 0.00415 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00415ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 18914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+71.48 грн
500+51.19 грн
1000+37.95 грн
5000+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
VCAN36A2-03GHE3-08 VISH-S-A0025448632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VCAN36A2-03GHE3-08
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN36A2-03GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 63 V, SOT-323, 3 Pin(s), 36 V, 150 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 63V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 8504 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
25+32.70 грн
39+21.13 грн
100+11.74 грн
500+10.00 грн
1000+7.29 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
VCAN26B2-03G-E3-08 3327291.pdf
VCAN26B2-03G-E3-08
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN26B2-03G-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 50 V, SOT-323, 3 Pin(s), 26.5 V, 100 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 50V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 26.5V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 15333 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+4.87 грн
1000+4.03 грн
5000+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
VCAN36A2-03SHE3-08 VISH-S-A0017898054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VCAN36A2-03SHE3-08
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN36A2-03SHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 63 V, SOT-23, 3 Pin(s), 36 V, 150 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 63V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 8329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.36 грн
500+8.04 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
VCAN36A2-03SHE3-08 VISH-S-A0017898054-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VCAN36A2-03SHE3-08
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN36A2-03SHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 63 V, SOT-23, 3 Pin(s), 36 V, 150 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 63V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 36V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 8329 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
28+29.95 грн
39+21.21 грн
100+10.36 грн
500+8.04 грн
1000+5.13 грн
Мінімальне замовлення: 28
В кошику  од. на суму  грн.
VCAN16A2-03SHE3-08 VISH-S-A0008953896-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VCAN16A2-03SHE3-08
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN16A2-03SHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 145 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 145W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
VCAN16A2-03GHE3-08 VISH-S-A0025448628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VCAN16A2-03GHE3-08
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN16A2-03GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, SOT-323, 3 Pin(s), 16 V, 140 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 22915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.77 грн
500+8.12 грн
1000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
VCAN16A2-03S-E3-08 VISH-S-A0018603704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VCAN16A2-03S-E3-08
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN16A2-03S-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 145 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 145W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+9.96 грн
500+7.97 грн
1000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
VCAN33A2-03SHE3-08 VISH-S-A0019314289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VCAN33A2-03SHE3-08
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN33A2-03SHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 56 V, SOT-23, 3 Pin(s), 33 V, 150 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 56V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 33V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 4480 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+51.24 грн
27+30.36 грн
100+25.82 грн
500+15.94 грн
1000+13.04 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
VCAN16A2-03S-E3-08 VISH-S-A0018603704-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VCAN16A2-03S-E3-08
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN16A2-03S-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, SOT-23, 3 Pin(s), 16 V, 145 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 145W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 3990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
47+17.40 грн
69+11.90 грн
100+9.96 грн
500+7.97 грн
1000+6.45 грн
Мінімальне замовлення: 47
В кошику  од. на суму  грн.
VCAN33A2-03S-E3-08 VISH-S-A0019314289-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VCAN33A2-03S-E3-08
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN33A2-03S-E3-08 - ESD-Schutzbaustein, 56 V, SOT-23, 3 Pin(s), 33 V, 150 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-23
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 56V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Betriebsspannung: 33V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 5275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+10.77 грн
500+7.43 грн
1000+6.06 грн
5000+4.20 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
VCAN16A2-03GHE3-08 VISH-S-A0025448628-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VCAN16A2-03GHE3-08
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN16A2-03GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 28 V, SOT-323, 3 Pin(s), 16 V, 140 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 28V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 16V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 22915 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
37+22.26 грн
54+15.22 грн
100+10.77 грн
500+8.12 грн
1000+6.68 грн
Мінімальне замовлення: 37
В кошику  од. на суму  грн.
VCAN33A2-03GHE3-08 VISH-S-A0025448631-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VCAN33A2-03GHE3-08
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VCAN33A2-03GHE3-08 - ESD-Schutzbaustein, 56 V, SOT-323, 3 Pin(s), 33 V, 140 W
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOT-323
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 140W
euEccn: NLR
Begrenzungsspannung Vc, max.: 56V
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Betriebsspannung: 33V
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
на замовлення 6769 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+11.01 грн
500+7.74 грн
1000+6.27 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR165DP-T1-GE3 VISH-S-A0011029447-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR165DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR165DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 4600 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4600µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4997 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+201.56 грн
50+130.33 грн
100+89.04 грн
500+65.92 грн
1500+56.13 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR158DP-T1-RE3 sir158dp.pdf
SIR158DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR158DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 1800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1800µohm
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
на замовлення 2474 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+175.66 грн
10+113.33 грн
100+77.31 грн
500+61.86 грн
1000+55.23 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR167DP-T1-GE3 sir167dp.pdf
SIR167DP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR167DP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 5500 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5500µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 1861 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+147.32 грн
50+93.90 грн
100+62.98 грн
500+46.15 грн
1500+38.99 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SISS67DN-T1-GE3 2687542.pdf
SISS67DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS67DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0046 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30
Dauer-Drainstrom Id: 60
hazardous: false
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.8
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.8
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: p-Kanal
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046
SVHC: Lead (10-Jun-2022)
на замовлення 5950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+93.09 грн
10+83.38 грн
100+65.00 грн
500+49.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA10BDP-T1-GE3 2687524.pdf
SIRA10BDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA10BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 0.0023 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 43W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0023ohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 9377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
15+56.02 грн
18+45.41 грн
100+29.30 грн
500+22.70 грн
1000+16.17 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
SISA18BDN-T1-GE3 VISH-S-A0018324943-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SISA18BDN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA18BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 6830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 36.8W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 5665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+95.52 грн
17+50.27 грн
100+33.11 грн
500+23.83 грн
1000+19.91 грн
5000+17.28 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SISA04DN-T1-GE3 sisa04dn.pdf
SISA04DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 2150 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2150µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2954 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+144.90 грн
10+92.28 грн
100+61.20 грн
500+46.60 грн
1000+37.61 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA18BDP-T1-GE3 VISH-S-A0025625213-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIRA18BDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA18BDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 6830 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 17W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 17W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0055ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3448 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+20.88 грн
500+14.81 грн
1000+12.28 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SISHA04DN-T1-GE3 VISH-S-A0013329332-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SISHA04DN-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISHA04DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 40 A, 0.0018 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 40A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0018ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0018ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 7890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+45.09 грн
500+31.87 грн
1000+23.66 грн
5000+21.79 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1C-HG3_A/H plzseries.pdf
PLZ5V1C-HG3_A/H
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1C-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
62+13.19 грн
90+9.07 грн
209+3.89 грн
500+3.16 грн
1000+2.50 грн
5000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 62
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1B-G3/H VISH-S-A0011038632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PLZ5V1B-G3/H
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1B-G3/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
105+7.72 грн
148+5.48 грн
269+3.02 грн
500+2.34 грн
1000+1.88 грн
5000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 105
В кошику  од. на суму  грн.
TZX5V1B-TAP VISH-S-A0023658947-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TZX5V1B-TAP
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - TZX5V1B-TAP - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-35, 2 Pin(s), 175 °C, Durchsteckmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-35
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Durchsteckmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: TZX5V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 27585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
89+9.15 грн
126+6.44 грн
313+2.59 грн
500+1.98 грн
1000+1.49 грн
5000+1.21 грн
Мінімальне замовлення: 89
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1C-HG3_A/H 3177834.pdf
PLZ5V1C-HG3_A/H
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1C-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 10612 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+3.16 грн
1000+2.50 грн
5000+2.45 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1B-HG3_A/H VISH-S-A0011038632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PLZ5V1B-HG3_A/H
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1B-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
97+8.42 грн
149+5.45 грн
252+3.21 грн
500+2.50 грн
1000+2.11 грн
5000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 97
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1A-HG3_A/H 3177834.pdf
PLZ5V1A-HG3_A/H
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1A-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1B-G3/H VISH-S-A0011038632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PLZ5V1B-G3/H
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1B-G3/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 16686 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.34 грн
1000+1.88 грн
5000+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1B-HG3_A/H VISH-S-A0011038632-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
PLZ5V1B-HG3_A/H
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1B-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 15720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.50 грн
1000+2.11 грн
5000+1.91 грн
Мінімальне замовлення: 500
В кошику  од. на суму  грн.
PLZ5V1A-HG3_A/H 3177834.pdf
PLZ5V1A-HG3_A/H
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PLZ5V1A-HG3_A/H - Zener-Diode, 5.1 V, 500 mW, DO-219AC (MicroSMF), 2 Pin(s), 150 °C, Oberflächenmontage
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-219AC (MicroSMF)
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 500mW
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: PLZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Zener-Spannung, nom.: 5.1V
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 71 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
43+18.94 грн
64+12.79 грн
Мінімальне замовлення: 43
В кошику  од. на суму  грн.
VS-1N3208 VISH-S-A0004148052-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
VS-1N3208
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-1N3208 - STANDARD DIODE, 15A, 50V, DO-203AB
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
directShipCharge: 25
usEccn: EAR99
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
CNS471A6 doc?60043
CNS471A6
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CNS471A6 - Dekadenteiler, 100 Ohm bis 9 MOhm, Produktreihe CNS 471, 6 Elemente, SIP
tariffCode: 85332100
Widerstand, R1: -
Absolute Widerstandstoleranz: 0.1%
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: SIP
Absoluter TCR: 25ppm/K
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Netzwerkelement: Spannungsteiler
usEccn: EAR99
Anzahl der Elemente: 6Element(e)
euEccn: NLR
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Nennleistung pro Widerstand: 100mW
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: CNS 471 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Widerstand, R2: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 26 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+9332.46 грн
2+8166.00 грн
3+7791.21 грн
5+6886.68 грн
10+6035.69 грн
20+5630.49 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RS3G-E3/57T VISH-S-A0007914366-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
RS3G-E3/57T
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - RS3G-E3/57T - Diode mit Standard-Erholzeit, 400 V, 3 A, Einfach, 1.3 V, 150 ns, 100 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AB (SMC)
Durchlassstoßstrom: 100A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.3V
Sperrverzögerungszeit: 150ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 400V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+26.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
593D105X9025A2TE3 593d.pdf
593D105X9025A2TE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - 593D105X9025A2TE3 - CAP, 1UF, 25V, TANT, CASE A
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 1.6mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1206 [3216 Metric]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 4ohm
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Kapazität: 1µF
Spannung (DC): 25V
Rippelstrom: 140mA
Produktpalette: TANTAMOUNT 593D Series
Hersteller-Größencode: A
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 1.6mm
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 449 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
16+51.00 грн
30+27.52 грн
34+24.28 грн
50+19.54 грн
100+15.26 грн
Мінімальне замовлення: 16
В кошику  од. на суму  грн.
DG408DQ-T1-E3 VISH-S-A0020654125-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
DG408DQ-T1-E3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - DG408DQ-T1-E3 - Analoger Multiplexer, 8:1, 1 Schaltkreis, 100 Ohm, ± 5V bis ± 20V, 5V bis 36V, TSSOP-16
tariffCode: 85423990
IC-Funktion: Analoger Multiplexer
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: ± 5V bis ± 20V, 5V bis 36V
Einschaltwiderstand, max.: 100ohm
Einschaltwiderstand, typ.: 40ohm
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
IC-Gehäuse / Bauform: TSSOP
MSL: -
usEccn: EAR99
Anzahl der Kanäle: 1Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Multiplexer/Demultiplexer-Konfiguration: 8:1
Schalterkonfiguration: -
euEccn: NLR
Stromversorgung: Einfache & zweifache Spannungsversorgung
Anzahl der Pins: 16Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Anzahl der Schaltkreise: 1Schaltkreis(e)
Schnittstellen: -
Durchlasswiderstand, max.: 100ohm
Betriebstemperatur, max.: 85°C
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 1878 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+157.10 грн
250+139.46 грн
500+138.77 грн
1000+137.38 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
CRCW080527R0FKEAHP crcwhpe3.pdf
CRCW080527R0FKEAHP
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW080527R0FKEAHP - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 27 ohm, ± 1%, 500 mW, 0805 [Metrisch 2012]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [Metrisch 2012]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 500mW
Widerstandstyp: Impulsspannungsfest, Hochleistung
isCanonical: N
Widerstand: 27ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 2mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW-HP e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 1.25mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+2.62 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
VS-60APH03L-N3 vs-60aph03l-n3.pdf
VS-60APH03L-N3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VS-60APH03L-N3 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 300 V, 60 A, Einfach, 1.45 V, 42 ns, 450 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247AD
Durchlassstoßstrom: 450A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.45V
Sperrverzögerungszeit: 42ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 60A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: FRED Pt Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Periodische Spitzensperrspannung: 300V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 571 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+404.74 грн
10+265.51 грн
100+195.08 грн
500+160.85 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
RO116SF1D502 VISH-S-A0001109830-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
RO116SF1D502
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - RO116SF1D502 - Drehpotentiometer, 5 kohm, 1 Umdrehung(en), Linear, 400 mW, ± 10%, RO11 Series
tariffCode: 85334010
Produkthöhe: -
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: -
Anzahl der Umdrehungen: 1Umdrehung(en)
Widerstandstechnologie: Kunststoff, leitfähig
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Potentiometermontage: Servohalterung
Nennleistung: 400mW
Einstellungsart: Drehschalter
Bahnwiderstand: 5kohm
Widerstandsverlauf: Linear
usEccn: EAR99
Anzahl der Einbaustellen: 1
Wellendurchmesser: 3.175mm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 10%
Temperaturkoeffizient: -
Produktlänge: 37.1mm
euEccn: NLR
Potentiometer: Präzision
Länge der Welle: 16.6mm
Produktpalette: RO11 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Potentiometeranschlüsse: Lötstützpunkt
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (16-Jan-2020)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1+81838.10 грн
В кошику  од. на суму  грн.
TNPU0805100RBZEN00 VISH-S-A0009556860-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
TNPU0805100RBZEN00
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - TNPU0805100RBZEN00 - RES, THIN FILM, 100R, 0.1%, 0.125W, 0805
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0805 [2012 Metric]
Widerstandstechnologie: Thin Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Precision
Widerstand: 100ohm
usEccn: EAR99
Netzsteckertyp: 0
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0.1%
Temperaturkoeffizient: 5ppm/K
Produktlänge: 2.01mm
euEccn: NLR
Produktpalette: TNPU e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 150V
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0
directShipCharge: 25
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+195.89 грн
10+135.99 грн
25+118.99 грн
50+95.46 грн
100+77.71 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
LL103B-GS08 VISH-S-A0014148067-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
LL103B-GS08
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - LL103B-GS08 - Kleinsignal-Schottky-Diode, Einfach, 30 V, 200 mA, 600 mV, 15 A, 150 °C
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-80 (MiniMELF)
Durchlassstoßstrom: 15A
rohsCompliant: Y-EX
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: AEC-Q101
Durchlassspannung, max.: 600mV
Sperrverzögerungszeit: 10ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 200mA
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 30V
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: LL103
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2022)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA92EP-T1_GE3 VISH-S-A0002923619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJA92EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA92EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 57 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 57
hazardous: false
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 68
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3
euEccn: NLR
Verlustleistung: 68
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0078
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 175
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+97.95 грн
10+87.42 грн
100+68.40 грн
500+52.47 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
SIR584DP-T1-RE3 3646755.pdf
SIR584DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+88.23 грн
500+67.20 грн
1000+51.41 грн
5000+50.37 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR584DP-T1-RE3 3646755.pdf
SIR584DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR584DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 100 A, 0.0031 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80
Dauer-Drainstrom Id: 100
hazardous: false
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 83.3
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83.3
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0031
Rds(on)-Prüfspannung: 10
Betriebstemperatur, max.: 150
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0031
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 5620 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+121.42 грн
10+109.28 грн
100+88.23 грн
500+67.20 грн
1000+51.41 грн
5000+50.37 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826BDP-T1-RE3 VISH-S-A0007359364-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR826BDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+140.04 грн
10+106.04 грн
100+74.47 грн
500+55.17 грн
1000+48.01 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826LDP-T1-RE3 sir826ldp.pdf
SIR826LDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 0.00415 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00415ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14390 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+131.94 грн
50+97.95 грн
100+72.69 грн
500+53.82 грн
1500+45.52 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826BDP-T1-RE3 VISH-S-A0007359364-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR826BDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 80.8 A, 5100 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80.8A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5100µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 3147 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+74.47 грн
500+55.17 грн
1000+48.01 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR120DP-T1-RE3 VISH-S-A0007341475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR120DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 3550 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3550µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 17283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+156.23 грн
10+95.52 грн
100+75.12 грн
500+55.85 грн
1000+48.22 грн
5000+42.19 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880BDP-T1-RE3 VISH-S-A0012815736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR880BDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR120DP-T1-RE3 VISH-S-A0007341475-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR120DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR120DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 106 A, 3550 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 106A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 100W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.00296ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3550µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 17283 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+75.12 грн
500+55.85 грн
1000+48.22 грн
5000+42.19 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ186EP-T1_GE3 sqj186ep.pdf
SQJ186EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 9433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+108.47 грн
13+65.08 грн
100+51.64 грн
500+35.25 грн
1000+29.14 грн
5000+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
SQJ186EP-T1_GE3 sqj186ep.pdf
SQJ186EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ186EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 60 A, 0.011 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 135W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 135W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 5Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.011ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 9433 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+51.64 грн
500+35.25 грн
1000+29.14 грн
5000+26.64 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3 3257158.pdf
SIR5802DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+105.23 грн
500+80.43 грн
1000+61.75 грн
3000+58.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIJ128LDP-T1-GE3 sij128ldp.pdf
SIJ128LDP-T1-GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIJ128LDP-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 25.5 A, 0.013 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 25.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 22.3W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.013ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 21591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
13+65.49 грн
15+56.99 грн
100+52.45 грн
500+43.52 грн
1000+37.40 грн
5000+35.25 грн
Мінімальне замовлення: 13
В кошику  од. на суму  грн.
SIR880BDP-T1-RE3 VISH-S-A0012815736-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR880BDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR880BDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 70.6 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 70.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0053ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122LDP-T1-RE3 VISH-S-A0012473390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR122LDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 65.7W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0061ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+73.91 грн
500+54.80 грн
1000+46.00 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR122LDP-T1-RE3 VISH-S-A0012473390-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SIR122LDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR122LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 62.3 A, 7350 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 62.3A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 65.7W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7350µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 4657 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+173.23 грн
10+110.90 грн
100+73.91 грн
500+54.80 грн
1000+46.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SIR5802DP-T1-RE3 3257158.pdf
SIR5802DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR5802DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 137.5 A, 0.0024 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 137.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 104W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 104W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0024ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0024ohm
SVHC: No SVHC (19-Jan-2021)
на замовлення 4739 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+166.75 грн
10+133.56 грн
100+105.23 грн
500+80.43 грн
1000+61.75 грн
3000+58.00 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
SQJA92EP-T1_GE3 VISH-S-A0002923619-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
SQJA92EP-T1_GE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJA92EP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 57 A, 0.0078 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 68
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0078
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (10-Jun-2022)
на замовлення 2696 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+68.40 грн
500+52.47 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIRA62DP-T1-RE3 2687527.pdf
SIRA62DP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIRA62DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 80 A, 0.001 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Verlustleistung: 65.7
Kanaltyp: n-Kanal
euEccn: NLR
hazardous: false
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.001
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
SVHC: Lead (19-Jan-2021)
на замовлення 5990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+66.70 грн
500+50.96 грн
1000+34.83 грн
5000+34.14 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
SIR826LDP-T1-RE3 3164661.pdf
SIR826LDP-T1-RE3
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR826LDP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 86 A, 0.00415 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 86A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 83W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00415ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 18914 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+71.48 грн
500+51.19 грн
1000+37.95 грн
5000+36.50 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 409 818 1227 1636 2045 2454 2863 3272 3282 3283 3284 3285 3286 3287 3288 3289 3290 3291 3292 3681 4090 4093  [ Наступна Сторінка >> ]