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CRCW04027M32FKED | VISHAY |
Description: VISHAY - CRCW04027M32FKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.32 Mohm, ± 1%, 62.5 mW, 0402 [Metrisch 1005]tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 62.5mW Widerstandstyp: Universell Widerstand: 7.32Mohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 1% Temperaturkoeffizient: 100ppm/K Produktlänge: 1mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.5mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 1588 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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TR8M106M010C2000 | VISHAY |
Description: VISHAY - TR8M106M010C2000 - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, 10 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 20%, 2 ohm, MtariffCode: 85322100 Produkthöhe: 0.9mm Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608] rohsCompliant: YES Ausfallrate: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 20% Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 2ohm Produktlänge: 1.6mm euEccn: NLR Kapazität: 10µF Spannung (DC): 10V Rippelstrom: 112mA Produktpalette: MICROTAN TR8 Series Hersteller-Größencode: M productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: 0.85mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 5 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
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CRCW0603105RFKEA. | VISHAY |
Description: VISHAY - CRCW0603105RFKEA. - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 105 ohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 100mW Widerstandstyp: Universell Widerstand: 105ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K Produktlänge: 1.55mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.85mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 440 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| WSL1206R0100FEA | VISHAY |
Description: VISHAY - WSL1206R0100FEA - STROMMESSWIDERSTAND, 0R01, 1%, 250MWtariffCode: 85332100 Produkthöhe: 0.635mm rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216] Widerstandstechnologie: Metallband hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 250mW isCanonical: Y Widerstand: 0.01ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -65°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 75ppm/°C Produktlänge: 3.2mm euEccn: NLR Widerstandselement: Metallband Produktpalette: WSL Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 170°C Produktbreite: 1.6mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 11285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MRS25000C9092FCT00 | VISHAY |
Description: VISHAY - MRS25000C9092FCT00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 90.9 kohm, MRS25 Series, 600 mW, ± 1%, Axial bedrahtet, 350 VtariffCode: 85332100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Nennleistung: 600mW Widerstandstyp: Universell isCanonical: Y Widerstand: 90.9kohm Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C Produktlänge: 6.5mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Produktpalette: MRS25 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Nennspannung: 350V Produktdurchmesser: 2.5mm Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: - |
на замовлення 4990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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WSL27261L000FEA | VISHAY |
Description: VISHAY - WSL27261L000FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.001 ohm, WSL Series, 2726 [Metrisch 6966], 3 W, ± 1%tariffCode: 85332100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 |
на замовлення 1370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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WSL27261L000FEA | VISHAY |
Description: VISHAY - WSL27261L000FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.001 ohm, WSL Series, 2726 [Metrisch 6966], 3 W, ± 1%tariffCode: 85332100 Produkthöhe: 0.1055mm rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2726 [Metrisch 6966] Widerstandstechnologie: Metallband hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 3W Widerstand: 0.001ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -65°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 75ppm/°C Produktlänge: 6.9mm euEccn: NLR Produktpalette: WSL Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 170°C Produktbreite: 6.6mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) |
на замовлення 1370 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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WSL2512R5000DEA | VISHAY |
Description: VISHAY - WSL2512R5000DEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.5 ohm, WSL Series, 2512 [Metrisch 6432], 1 W, ± 0.5%tariffCode: 85332100 Produkthöhe: 0.635mm rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2512 [Metrisch 6432] Widerstandstechnologie: Metallband hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 1W Widerstand: 0.5ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -65°C Widerstandstoleranz: ± 0.5% Temperaturkoeffizient: ± 75ppm/°C Produktlänge: 6.35mm euEccn: NLR Produktpalette: WSL Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 170°C Produktbreite: 3.18mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 630 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIR588DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR588DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59.5 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 59.5W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 59.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0063ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 2597 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIR586DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR586DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 78.4 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 78.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 71.4W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIR586DP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIR586DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 78.4 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 78.4A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 71.4W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1781 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIDR570EP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIDR570EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90.9 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 150W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 5805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIDR610EP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIDR610EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0239 ohm, PowerPAK SO-DC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0239ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIDR610EP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIDR610EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0239 ohm, PowerPAK SO-DC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 39.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0239ohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIDR570EP-T1-RE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIDR570EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90.9 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 90.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 5805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CRCW060315K0FKEAC | VISHAY |
Description: VISHAY - CRCW060315K0FKEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 15 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]tariffCode: 85332900 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Nennleistung: 100mW Widerstandstyp: Universell Widerstand: 15kohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 1% Temperaturkoeffizient: 100ppm/K Produktlänge: 1.6mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW_C e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.8mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 86699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CRCW060315K0FKEAC | VISHAY |
Description: VISHAY - CRCW060315K0FKEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 15 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]tariffCode: 85332900 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Nennleistung: 100mW Widerstandstyp: Universell Widerstand: 15kohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 1% Temperaturkoeffizient: 100ppm/K Produktlänge: 1.6mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW_C e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.8mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 86699 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SI2328DS-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.15 A, 0.25 ohm, SOT-23, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 1.15A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 730mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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MAL212518471E3 | VISHAY |
Description: VISHAY - MAL212518471E3 - Elektrolytkondensator, 470 µF, 63 V, ± 20%, Axial bedrahtet, 10000 Stunden bei 105°C, PolarisierttariffCode: 85322200 Produkthöhe: - Bauform / Gehäuse des Kondensators: Axial bedrahtet Polarität: Polarisiert rohsCompliant: YES Anschlussabstand: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 20% Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Lebensdauer bei Temperatur: 10000 Stunden bei 105°C Betriebstemperatur, min.: -40°C Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.226ohm Produktlänge: 30mm euEccn: NLR Kapazität: 470µF Spannung (DC): 63V Rippelstrom: 660mA Produktpalette: 125 ALS Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktdurchmesser: 12.5mm Kondensatoranschlüsse: Axial bedrahtet Betriebstemperatur, max.: 105°C Produktbreite: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1259 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IHLP2020CZER3R3M8A | VISHAY |
Description: VISHAY - IHLP2020CZER3R3M8A - Leistungsinduktivität (SMD), 3.3 µH, 5.3 A, Geschirmt, 5.5 A, IHLP-2020CZ-8A SeriestariffCode: 85045000 Produkthöhe: 3mm rohsCompliant: YES Induktivität: 3.3µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.047ohm Bauform - Leistungsinduktivität: 5.49mm x 5.18mm x 3mm isCanonical: Y usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 5.3A Sättigungsstrom (Isat): 5.5A Produktlänge: 5.49mm euEccn: NLR Produktpalette: IHLP-2020CZ-8A Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 5.18mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 1874 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PTF565K0000BZEK | VISHAY |
Description: VISHAY - PTF565K0000BZEK - Widerstand für Durchsteckmontage, 5 kohm, PTF Series, 125 mW, ± 0.1%, Axial bedrahtet, 300 VtariffCode: 85332100 euEccn: NLR rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Nennleistung: 125mW Widerstandstyp: Hohe Genauigkeit, hohe Stabilität isCanonical: Y Widerstand: 5kohm Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 0.1% Temperaturkoeffizient: ± 5ppm/°C Produktlänge: 7.62mm SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Produktpalette: PTF Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Nennspannung: 300V Produktdurchmesser: 2.31mm Betriebstemperatur, max.: 150°C Produktbreite: - |
на замовлення 20 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SISA12BDN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0027 ohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 5660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SISS30DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISS30DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 0.00685 ohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 80V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54.7A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 57W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00685ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 4768 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SI7212DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7212DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.03 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SI7212DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI7212DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.03 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 2663 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SISA12BDN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0027 ohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 87A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 52W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 5660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIS888DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIS888DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 20.2 A, 0.048 ohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 20.2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 52W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: ThunderFET Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 14684 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SISA18BDN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISA18BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 6830 µohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 60A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V Verlustleistung: 36.8W SVHC: Lead (21-Jan-2025) Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm |
на замовлення 5665 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SSA34-E3/61T | VISHAY |
Description: VISHAY - SSA34-E3/61T - Schottky-Gleichrichterdiode, Baureihe SS, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 490 mVtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-214AC (SMA) Durchlassstoßstrom: 75A euEccn: NLR rohsCompliant: YES Diodenmontage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: N Durchlassspannung, max.: 490mV Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A SVHC: Lead (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 2Pin(s) Produktpalette: SSA34 productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 40V Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 7208 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RCS0603220RFKEA | VISHAY |
Description: VISHAY - RCS0603220RFKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 250 mW, 0603 [Metrisch 1608]tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 250mW Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest isCanonical: N Widerstand: 220ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K Produktlänge: 1.55mm euEccn: NLR Produktpalette: RCS e3 Series productTraceability: No Nennspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.85mm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RCS0603220RFKEA | VISHAY |
Description: VISHAY - RCS0603220RFKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 250 mW, 0603 [Metrisch 1608]tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 250mW Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest isCanonical: Y Widerstand: 220ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K Produktlänge: 1.55mm euEccn: NLR Produktpalette: RCS e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 75V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.85mm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 713 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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VOIH063AT | VISHAY |
Description: VISHAY - VOIH063AT - Optokoppler, 2 Kanäle, 3.75 kV, 10 Mbaud, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 3.75kV euEccn: NLR Bauform - Optokoppler: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Übertragungsrate: 10Mbaud Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 3250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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VOIH063AT | VISHAY |
Description: VISHAY - VOIH063AT - Optokoppler, 2 Kanäle, 3.75 kV, 10 Mbaud, SOIC, 8 Pin(s)tariffCode: 85414900 rohsCompliant: YES Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Isolationsspannung: 3.75kV euEccn: NLR Bauform - Optokoppler: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Übertragungsrate: 10Mbaud Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 3250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PEP0402Y1002WNTA | VISHAY |
Description: VISHAY - PEP0402Y1002WNTA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 kohm, ± 0.05%, 125 mW, 0402 [Metrisch 1005]tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005] Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Nennleistung: 125mW Widerstandstyp: Präzisionswiderstand isCanonical: N Widerstand: 10kohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 0.05% Temperaturkoeffizient: ± 10ppm/°C Produktlänge: 1mm euEccn: NLR Produktpalette: PEP Series productTraceability: No Nennspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.6mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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PEP0402Y1502WNTA | VISHAY |
Description: VISHAY - PEP0402Y1502WNTA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 15 kohm, ± 0.05%, 125 mW, 0402 [Metrisch 1005]tariffCode: 85332100 rohsCompliant: YES Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005] Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Nennleistung: 125mW Widerstandstyp: Präzisionswiderstand Widerstand: 15kohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 0.05% Temperaturkoeffizient: 10ppm/C Produktlänge: 1mm euEccn: NLR Produktpalette: PEP Series productTraceability: No Nennspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.6mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CRCW0402464KFKED | VISHAY |
Description: VISHAY - CRCW0402464KFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 464 kohm, ± 1%, 62.5 mW, 0402 [Metrisch 1005]tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 62.5mW Widerstandstyp: Universell Widerstand: 464kohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K Produktlänge: 1mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.5mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 8430 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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A104M15X7RF5UAA | VISHAY |
Description: VISHAY - A104M15X7RF5UAA - Keramikvielschichtkondensator, 0.1 µF, 50 V, ± 20%, Axial bedrahtet, X7RtariffCode: 85322400 Produkthöhe: - Bauform / Gehäuse des Kondensators: - rohsCompliant: YES Anschlussabstand: - hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 20% Qualifikation: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Dielektrikum: X7R Produktlänge: 3.8mm euEccn: NLR Kapazität: 0.1µF Spannung (DC): 50V Produktpalette: A Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktdurchmesser: 2.6mm Kondensatoranschlüsse: Axial bedrahtet Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: - SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 10800 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SQJ140ELP-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQJ140ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2140 µohm, PowerPAK SO, OberflächenmontagetariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 266A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V euEccn: NLR Verlustleistung: 263W Bauform - Transistor: PowerPAK SO Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2140µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 20555 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IFDC5050JZER1R8N | VISHAY |
Description: VISHAY - IFDC5050JZER1R8N - Leistungsinduktivität (SMD), 1.8 µH, 10.2 A, Geschirmt, IFDC5050JZ SeriestariffCode: 85045000 Produkthöhe: 10mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1.8µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 30% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 8000µohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 10.2A Sättigungsstrom (Isat): - Produktlänge: 12.5mm euEccn: NLR Produktpalette: IFDC5050JZ Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 12.5mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IFSC2020DZER1R8M01 | VISHAY |
Description: VISHAY - IFSC2020DZER1R8M01 - Leistungsinduktivität (SMD), 1.8 µH, 4.3 A, Geschirmt, 6.4 A, IFSC2020DZ-01 SeriestariffCode: 85045000 Produkthöhe: 4mm rohsCompliant: YES Induktivität: 1.8µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.021ohm usEccn: EAR99 RMS-Strom Irms: 4.3A Sättigungsstrom (Isat): 6.4A Produktlänge: 5mm euEccn: NLR Produktpalette: IFSC2020DZ-01 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Produktbreite: 5mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 1500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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VDMG10C0 | VISHAY |
Description: VISHAY - VDMG10C0 - 7-Segment-LED-Anzeige, Grün, 20 mA, 2 V, 4.4 mcd, 1, 10 mmtariffCode: 85312020 rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Gemeinsame Verbindung: Gemeinsame Kathode isCanonical: N usEccn: EAR99 Durchlassstrom If: 20mA Lichtstärke: 4.4mcd Zeichengröße: 10mm euEccn: NLR Durchlassspannung: 2V LED-Farbe: Grün Produktpalette: VDM.10.0 productTraceability: No Anzahl der Ziffern / Zeichen: 1 SVHC: Hexahydromethylphthalic anhydride [1], Hexahydro-4-methylphthalic anhydride [2], Hexahydro-1-methylphthalic anhydride[3] (07-Nov-2024) |
на замовлення 232 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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CRCW2010301RFKEF | VISHAY |
Description: VISHAY - CRCW2010301RFKEF - RES, THICK FILM, 301R, 1%, 0.75W, 2010tariffCode: 85331000 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2010 [5025 Metric] Widerstandstechnologie: Thick Film hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 750mW Widerstandstyp: General Purpose Widerstand: 301ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: ± 1% Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K Produktlänge: 5mm euEccn: NLR Produktpalette: CRCW e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 400V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 2.5mm directShipCharge: 25 |
на замовлення 673 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 673 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
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RCS0402301RFKED | VISHAY |
Description: VISHAY - RCS0402301RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 301 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 200mW Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest Widerstand: 301ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 1% Temperaturkoeffizient: 100ppm/K Produktlänge: 1mm euEccn: NLR Produktpalette: RCS e3 Series productTraceability: No Nennspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.5mm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 5330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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RCS0402301RFKED | VISHAY |
Description: VISHAY - RCS0402301RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 301 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]tariffCode: 85332100 rohsCompliant: Y-EX Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005] Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q200 Nennleistung: 200mW Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest Widerstand: 301ohm usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Widerstandstoleranz: 1% Temperaturkoeffizient: 100ppm/K Produktlänge: 1mm euEccn: NLR Produktpalette: RCS e3 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Nennspannung: 50V Betriebstemperatur, max.: 155°C Produktbreite: 0.5mm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 5330 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SQA470CEJW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQA470CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.25 A, 0.038 ohm, PowerPAK SC-70W, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 8560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SI4459ADY-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SI4459ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 29 A, 5000 µohm, SOIC, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 3.5W Bauform - Transistor: SOIC Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 8106 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIA817EDJ-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIA817EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.054 ohm, PowerPAK SC-70, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 4.5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V euEccn: NLR Verlustleistung: 6.5W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: LITTLE FOOT productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 2895 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SQA470CEJW-T1_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQA470CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.25 A, 0.038 ohm, PowerPAK SC-70W, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2.25A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 13.6W Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V euEccn: NLR Verlustleistung: 13.6W Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: n-Kanal Kanaltyp: n-Kanal Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 8560 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIZF5300DT-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIZF5300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 0.00202 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 125A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 125A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00202ohm Verlustleistung, p-Kanal: 56.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00202ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 13410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIZF5300DT-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIZF5300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 0.00202 ohmtariffCode: 85412900 rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 125A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V usEccn: EAR99 Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 125A Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00202ohm Verlustleistung, p-Kanal: 56.8W Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V euEccn: NLR Bauform - Transistor: PowerPAIR Anzahl der Pins: 12Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen V Series Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00202ohm productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 13410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SQM30010EL_GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SQM30010EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 1350 µohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 120A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V euEccn: NLR Verlustleistung: 375W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm SVHC: To Be Advised |
на замовлення 585 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIS415DNT-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIS415DNT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4000 µohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET Gen III productTraceability: No Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm SVHC: Lead (21-Jan-2025) |
на замовлення 1529 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SISH410DN-T1-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SISH410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 4800 µohm, PowerPAK 1212, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 20V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 52W Bauform - Transistor: PowerPAK 1212 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: TrenchFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm SVHC: Lead (07-Nov-2024) |
на замовлення 213 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIHG075N65E-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHG075N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.079 ohm, TO-247AC, DurchsteckmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-247AC Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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SIHB075N65E-GE3 | VISHAY |
Description: VISHAY - SIHB075N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.079 ohm, TO-263 (D2PAK), OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 650V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 35A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V euEccn: NLR Verlustleistung: 250W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) |
на замовлення 996 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IHLE4040DDEW6R8M5A | VISHAY |
Description: VISHAY - IHLE4040DDEW6R8M5A - Leistungsinduktivität (SMD), 6.8 µH, 8.4 A, Geschirmt, 8 A, IHLE-4040DD-5A SeriestariffCode: 85045000 Produkthöhe: 4.3mm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Induktivität: 6.8µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.02236ohm isCanonical: Y RMS-Strom Irms: 8.4A Sättigungsstrom (Isat): 8A Produktlänge: 10.89mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Produktpalette: IHLE-4040DD-5A Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Produktbreite: 10.89mm |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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IHLE4040DDEW6R8M5A | VISHAY |
Description: VISHAY - IHLE4040DDEW6R8M5A - Leistungsinduktivität (SMD), 6.8 µH, 8.4 A, Geschirmt, 8 A, IHLE-4040DD-5A SeriestariffCode: 85045000 Produkthöhe: 4.3mm euEccn: NLR rohsCompliant: YES Induktivität: 6.8µH Bauart der Induktivität: Geschirmt Induktivitätstoleranz: ± 20% hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Bauform/Gehäuse der Induktivität: - DC-Widerstand, max.: 0.02236ohm isCanonical: N RMS-Strom Irms: 8.4A Sättigungsstrom (Isat): 8A Produktlänge: 10.89mm SVHC: No SVHC (07-Nov-2024) Produktpalette: IHLE-4040DD-5A Series productTraceability: No usEccn: EAR99 Produktbreite: 10.89mm |
на замовлення 40 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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VJ1812Y102KBGTW1HV | VISHAY |
Description: VISHAY - VJ1812Y102KBGTW1HV - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1000 pF, 1 kV, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7RtariffCode: 85322400 Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532] rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 10% Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Dielektrikum: X7R Produktlänge: 4.5mm euEccn: NLR Spannung (AC): - Kapazität: 1000pF Spannung (DC): 1kV Produktpalette: VJ-W1HV High Voltage Commercial Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: 3.2mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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VJ1812Y102KBLTW1HV | VISHAY |
Description: VISHAY - VJ1812Y102KBLTW1HV - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1000 pF, 630 V, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7RtariffCode: 85322400 Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532] euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kapazitätstoleranz: ± 10% Qualifikation: - isCanonical: Y Betriebstemperatur, min.: -55°C Dielektrikum: X7R Produktlänge: 4.5mm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Spannung (AC): - Kapazität: 1000pF Spannung (DC): 630V Produktpalette: VJ-W1HV High Voltage Commercial Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 125°C Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss Produktbreite: 3.2mm |
на замовлення 636 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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VJ1812Y102KBETW1HV | VISHAY |
Description: VISHAY - VJ1812Y102KBETW1HV - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1000 pF, 500 V, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7RtariffCode: 85322400 Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532] rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Kapazitätstoleranz: ± 10% Qualifikation: - usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, min.: -55°C Dielektrikum: X7R Produktlänge: 4.5mm euEccn: NLR Spannung (AC): - Kapazität: 1000pF Spannung (DC): 500V Produktpalette: VJ-W1HV High Voltage Commercial Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss Betriebstemperatur, max.: 125°C Produktbreite: 3.2mm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 674 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
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| CRCW04027M32FKED |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW04027M32FKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.32 Mohm, ± 1%, 62.5 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 62.5mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 7.32Mohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - CRCW04027M32FKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 7.32 Mohm, ± 1%, 62.5 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 62.5mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 7.32Mohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1588 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 538+ | 1.52 грн |
| 658+ | 1.24 грн |
| 1205+ | 0.68 грн |
| TR8M106M010C2000 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - TR8M106M010C2000 - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, 10 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 20%, 2 ohm, M
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 0.9mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 2ohm
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 10V
Rippelstrom: 112mA
Produktpalette: MICROTAN TR8 Series
Hersteller-Größencode: M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - TR8M106M010C2000 - Tantalkondensator zur Oberflächenmontage, 10 µF, 10 V, 0603 [Metrisch 1608], ± 20%, 2 ohm, M
tariffCode: 85322100
Produkthöhe: 0.9mm
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 0603 [Metrisch 1608]
rohsCompliant: YES
Ausfallrate: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 2ohm
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Kapazität: 10µF
Spannung (DC): 10V
Rippelstrom: 112mA
Produktpalette: MICROTAN TR8 Series
Hersteller-Größencode: M
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| CRCW0603105RFKEA. |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW0603105RFKEA. - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 105 ohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 105ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - CRCW0603105RFKEA. - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 105 ohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 105ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 368+ | 2.22 грн |
| WSL1206R0100FEA |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - WSL1206R0100FEA - STROMMESSWIDERSTAND, 0R01, 1%, 250MW
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.635mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
isCanonical: Y
Widerstand: 0.01ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 75ppm/°C
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Widerstandselement: Metallband
Produktpalette: WSL Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - WSL1206R0100FEA - STROMMESSWIDERSTAND, 0R01, 1%, 250MW
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.635mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 1206 [Metrisch 3216]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
isCanonical: Y
Widerstand: 0.01ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 75ppm/°C
Produktlänge: 3.2mm
euEccn: NLR
Widerstandselement: Metallband
Produktpalette: WSL Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 1.6mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 11285 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 47.90 грн |
| 50+ | 27.86 грн |
| 100+ | 25.50 грн |
| 250+ | 22.09 грн |
| 500+ | 19.48 грн |
| 1000+ | 18.50 грн |
| MRS25000C9092FCT00 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - MRS25000C9092FCT00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 90.9 kohm, MRS25 Series, 600 mW, ± 1%, Axial bedrahtet, 350 V
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 600mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: Y
Widerstand: 90.9kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Produktlänge: 6.5mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produktpalette: MRS25 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 350V
Produktdurchmesser: 2.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -
Description: VISHAY - MRS25000C9092FCT00 - Widerstand für Durchsteckmontage, 90.9 kohm, MRS25 Series, 600 mW, ± 1%, Axial bedrahtet, 350 V
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 600mW
Widerstandstyp: Universell
isCanonical: Y
Widerstand: 90.9kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 50ppm/°C
Produktlänge: 6.5mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Produktpalette: MRS25 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 350V
Produktdurchmesser: 2.5mm
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: -
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 85+ | 9.61 грн |
| 129+ | 6.35 грн |
| 500+ | 4.94 грн |
| 1000+ | 4.12 грн |
| 2500+ | 3.41 грн |
| WSL27261L000FEA |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - WSL27261L000FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.001 ohm, WSL Series, 2726 [Metrisch 6966], 3 W, ± 1%
tariffCode: 85332100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Description: VISHAY - WSL27261L000FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.001 ohm, WSL Series, 2726 [Metrisch 6966], 3 W, ± 1%
tariffCode: 85332100
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 97.76 грн |
| 250+ | 88.51 грн |
| 500+ | 79.60 грн |
| WSL27261L000FEA |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - WSL27261L000FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.001 ohm, WSL Series, 2726 [Metrisch 6966], 3 W, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.1055mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2726 [Metrisch 6966]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 3W
Widerstand: 0.001ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 75ppm/°C
Produktlänge: 6.9mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSL Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 6.6mm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Description: VISHAY - WSL27261L000FEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.001 ohm, WSL Series, 2726 [Metrisch 6966], 3 W, ± 1%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.1055mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2726 [Metrisch 6966]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 3W
Widerstand: 0.001ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 75ppm/°C
Produktlänge: 6.9mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSL Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 6.6mm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 8+ | 102.65 грн |
| 50+ | 100.20 грн |
| 100+ | 97.76 грн |
| 250+ | 88.51 грн |
| 500+ | 79.60 грн |
| WSL2512R5000DEA |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - WSL2512R5000DEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.5 ohm, WSL Series, 2512 [Metrisch 6432], 1 W, ± 0.5%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.635mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2512 [Metrisch 6432]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstand: 0.5ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 0.5%
Temperaturkoeffizient: ± 75ppm/°C
Produktlänge: 6.35mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSL Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 3.18mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - WSL2512R5000DEA - Strommesswiderstand, Oberflächenmontage, 0.5 ohm, WSL Series, 2512 [Metrisch 6432], 1 W, ± 0.5%
tariffCode: 85332100
Produkthöhe: 0.635mm
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2512 [Metrisch 6432]
Widerstandstechnologie: Metallband
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 1W
Widerstand: 0.5ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -65°C
Widerstandstoleranz: ± 0.5%
Temperaturkoeffizient: ± 75ppm/°C
Produktlänge: 6.35mm
euEccn: NLR
Produktpalette: WSL Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 170°C
Produktbreite: 3.18mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 630 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 139.31 грн |
| 50+ | 91.24 грн |
| 250+ | 71.77 грн |
| 500+ | 61.20 грн |
| SIR588DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR588DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59.5 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 59.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0063ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIR588DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 59.5 A, 8000 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 59.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 59.5W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 59.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0063ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 2597 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 50.35 грн |
| 500+ | 36.69 грн |
| 1000+ | 30.86 грн |
| SIR586DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR586DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 78.4 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIR586DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 78.4 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 71.4W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0046ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 65.17 грн |
| 500+ | 47.96 грн |
| 1000+ | 40.64 грн |
| SIR586DP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIR586DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 78.4 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIR586DP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 78.4 A, 5800 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 78.4A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 71.4W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5800µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1781 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 151.53 грн |
| 10+ | 96.94 грн |
| 100+ | 65.17 грн |
| 500+ | 47.96 грн |
| 1000+ | 40.64 грн |
| SIDR570EP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR570EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90.9 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIDR570EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90.9 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 150W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0065ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 153.16 грн |
| 500+ | 113.47 грн |
| 1000+ | 99.16 грн |
| SIDR610EP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR610EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0239 ohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0239ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIDR610EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0239 ohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0239ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 145.82 грн |
| 500+ | 111.96 грн |
| 1000+ | 97.06 грн |
| SIDR610EP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR610EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0239 ohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0239ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIDR610EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 39.6 A, 0.0239 ohm, PowerPAK SO-DC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 39.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO-DC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0239ohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 281.87 грн |
| 10+ | 202.03 грн |
| 100+ | 145.82 грн |
| 500+ | 111.96 грн |
| 1000+ | 97.06 грн |
| SIDR570EP-T1-RE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIDR570EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90.9 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIDR570EP-T1-RE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 90.9 A, 0.0065 ohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 90.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0065ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 225.66 грн |
| 10+ | 189.81 грн |
| 100+ | 153.16 грн |
| 500+ | 113.47 грн |
| 1000+ | 99.16 грн |
| CRCW060315K0FKEAC |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW060315K0FKEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 15 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 15kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - CRCW060315K0FKEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 15 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 15kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 86699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 589+ | 1.38 грн |
| 1000+ | 0.81 грн |
| 1112+ | 0.73 грн |
| 1429+ | 0.53 грн |
| 2500+ | 0.35 грн |
| 5000+ | 0.21 грн |
| 25000+ | 0.20 грн |
| CRCW060315K0FKEAC |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW060315K0FKEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 15 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 15kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - CRCW060315K0FKEAC - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 15 kohm, ± 1%, 100 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332900
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 100mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 15kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1.6mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW_C e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.8mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 86699 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 589+ | 1.38 грн |
| 1000+ | 0.81 грн |
| 1112+ | 0.73 грн |
| 1429+ | 0.53 грн |
| 2500+ | 0.35 грн |
| 5000+ | 0.21 грн |
| 25000+ | 0.20 грн |
| SI2328DS-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.15 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI2328DS-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 1.15 A, 0.25 ohm, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 1.15A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 730mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.25ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 27.86 грн |
| 9000+ | 26.39 грн |
| MAL212518471E3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - MAL212518471E3 - Elektrolytkondensator, 470 µF, 63 V, ± 20%, Axial bedrahtet, 10000 Stunden bei 105°C, Polarisiert
tariffCode: 85322200
Produkthöhe: -
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Axial bedrahtet
Polarität: Polarisiert
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 10000 Stunden bei 105°C
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.226ohm
Produktlänge: 30mm
euEccn: NLR
Kapazität: 470µF
Spannung (DC): 63V
Rippelstrom: 660mA
Produktpalette: 125 ALS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 12.5mm
Kondensatoranschlüsse: Axial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - MAL212518471E3 - Elektrolytkondensator, 470 µF, 63 V, ± 20%, Axial bedrahtet, 10000 Stunden bei 105°C, Polarisiert
tariffCode: 85322200
Produkthöhe: -
Bauform / Gehäuse des Kondensators: Axial bedrahtet
Polarität: Polarisiert
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Lebensdauer bei Temperatur: 10000 Stunden bei 105°C
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Äquivalenter Serienwiderstand (ESR): 0.226ohm
Produktlänge: 30mm
euEccn: NLR
Kapazität: 470µF
Spannung (DC): 63V
Rippelstrom: 660mA
Produktpalette: 125 ALS Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 12.5mm
Kondensatoranschlüsse: Axial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 105°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 295.72 грн |
| 10+ | 207.74 грн |
| 50+ | 169.45 грн |
| 200+ | 132.38 грн |
| 400+ | 118.71 грн |
| 780+ | 114.52 грн |
| IHLP2020CZER3R3M8A |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IHLP2020CZER3R3M8A - Leistungsinduktivität (SMD), 3.3 µH, 5.3 A, Geschirmt, 5.5 A, IHLP-2020CZ-8A Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 3.3µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.047ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 5.49mm x 5.18mm x 3mm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 5.3A
Sättigungsstrom (Isat): 5.5A
Produktlänge: 5.49mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IHLP-2020CZ-8A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 5.18mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - IHLP2020CZER3R3M8A - Leistungsinduktivität (SMD), 3.3 µH, 5.3 A, Geschirmt, 5.5 A, IHLP-2020CZ-8A Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 3mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 3.3µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.047ohm
Bauform - Leistungsinduktivität: 5.49mm x 5.18mm x 3mm
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 5.3A
Sättigungsstrom (Isat): 5.5A
Produktlänge: 5.49mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IHLP-2020CZ-8A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 5.18mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1874 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 71.85 грн |
| 50+ | 58.90 грн |
| 250+ | 50.10 грн |
| 500+ | 45.01 грн |
| 1000+ | 40.29 грн |
| PTF565K0000BZEK |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PTF565K0000BZEK - Widerstand für Durchsteckmontage, 5 kohm, PTF Series, 125 mW, ± 0.1%, Axial bedrahtet, 300 V
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Hohe Genauigkeit, hohe Stabilität
isCanonical: Y
Widerstand: 5kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 5ppm/°C
Produktlänge: 7.62mm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Produktpalette: PTF Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 300V
Produktdurchmesser: 2.31mm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produktbreite: -
Description: VISHAY - PTF565K0000BZEK - Widerstand für Durchsteckmontage, 5 kohm, PTF Series, 125 mW, ± 0.1%, Axial bedrahtet, 300 V
tariffCode: 85332100
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: Axial bedrahtet
Widerstandstechnologie: Metallschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Hohe Genauigkeit, hohe Stabilität
isCanonical: Y
Widerstand: 5kohm
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.1%
Temperaturkoeffizient: ± 5ppm/°C
Produktlänge: 7.62mm
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
Produktpalette: PTF Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Nennspannung: 300V
Produktdurchmesser: 2.31mm
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Produktbreite: -
на замовлення 20 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 679.42 грн |
| 5+ | 581.66 грн |
| 10+ | 502.64 грн |
| 20+ | 396.39 грн |
| SISA12BDN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 11+ | 78.29 грн |
| 15+ | 56.13 грн |
| 100+ | 38.94 грн |
| 500+ | 26.63 грн |
| 1000+ | 22.55 грн |
| 5000+ | 19.90 грн |
| SISS30DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISS30DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 0.00685 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00685ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SISS30DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 80 V, 54.7 A, 0.00685 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 80V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 54.7A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 57W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.00685ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 4768 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 54.17 грн |
| 500+ | 39.34 грн |
| 1000+ | 29.54 грн |
| SI7212DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7212DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI7212DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 82.28 грн |
| 500+ | 70.12 грн |
| 1000+ | 58.93 грн |
| SI7212DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI7212DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI7212DN-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 4.9 A, 4.9 A, 0.03 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 4.9A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 4.9A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.03ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 1.3W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.03ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 1.3W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 2663 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 120.57 грн |
| 10+ | 95.31 грн |
| 100+ | 82.28 грн |
| 500+ | 70.12 грн |
| 1000+ | 58.93 грн |
| SISA12BDN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SISA12BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 87 A, 0.0027 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 87A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.0027ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0027ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 5660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 38.94 грн |
| 500+ | 26.63 грн |
| 1000+ | 22.55 грн |
| 5000+ | 19.90 грн |
| SIS888DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS888DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 20.2 A, 0.048 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIS888DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 20.2 A, 0.048 ohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 20.2A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 52W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4.2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: -
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: ThunderFET Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.048ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.048ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 14684 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 72.10 грн |
| 500+ | 51.59 грн |
| 1000+ | 43.64 грн |
| 5000+ | 38.75 грн |
| SISA18BDN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISA18BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 6830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 36.8W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
Description: VISHAY - SISA18BDN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 60 A, 6830 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 60A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.4V
Verlustleistung: 36.8W
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6830µohm
на замовлення 5665 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 35.44 грн |
| 500+ | 25.49 грн |
| 1000+ | 21.37 грн |
| 5000+ | 18.50 грн |
| SSA34-E3/61T |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SSA34-E3/61T - Schottky-Gleichrichterdiode, Baureihe SS, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 490 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 75A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 490mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SSA34
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: VISHAY - SSA34-E3/61T - Schottky-Gleichrichterdiode, Baureihe SS, 40 V, 3 A, Einfach, DO-214AC (SMA), 2 Pin(s), 490 mV
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-214AC (SMA)
Durchlassstoßstrom: 75A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Diodenmontage: Oberflächenmontage
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 490mV
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: Lead (04-Feb-2026)
Anzahl der Pins: 2Pin(s)
Produktpalette: SSA34
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 40V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 7208 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 30.31 грн |
| 500+ | 18.08 грн |
| 1000+ | 15.01 грн |
| RCS0603220RFKEA |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - RCS0603220RFKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 250 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
isCanonical: N
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - RCS0603220RFKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 250 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
isCanonical: N
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 269+ | 3.03 грн |
| 313+ | 2.61 грн |
| 500+ | 1.90 грн |
| RCS0603220RFKEA |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - RCS0603220RFKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 250 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
isCanonical: Y
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - RCS0603220RFKEA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 220 ohm, ± 1%, 250 mW, 0603 [Metrisch 1608]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0603 [Metrisch 1608]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 250mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
isCanonical: Y
Widerstand: 220ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1.55mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 75V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.85mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 713 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 269+ | 3.03 грн |
| 313+ | 2.61 грн |
| 500+ | 1.90 грн |
| VOIH063AT |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VOIH063AT - Optokoppler, 2 Kanäle, 3.75 kV, 10 Mbaud, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: 10Mbaud
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - VOIH063AT - Optokoppler, 2 Kanäle, 3.75 kV, 10 Mbaud, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: 10Mbaud
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 212.62 грн |
| 10+ | 140.94 грн |
| 25+ | 130.34 грн |
| 50+ | 110.44 грн |
| 100+ | 92.87 грн |
| 500+ | 84.49 грн |
| VOIH063AT |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VOIH063AT - Optokoppler, 2 Kanäle, 3.75 kV, 10 Mbaud, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: 10Mbaud
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - VOIH063AT - Optokoppler, 2 Kanäle, 3.75 kV, 10 Mbaud, SOIC, 8 Pin(s)
tariffCode: 85414900
rohsCompliant: YES
Anzahl der Kanäle: 2 Kanäle
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Isolationsspannung: 3.75kV
euEccn: NLR
Bauform - Optokoppler: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Übertragungsrate: 10Mbaud
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 3250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 92.87 грн |
| 500+ | 84.49 грн |
| PEP0402Y1002WNTA |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PEP0402Y1002WNTA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 kohm, ± 0.05%, 125 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Präzisionswiderstand
isCanonical: N
Widerstand: 10kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.05%
Temperaturkoeffizient: ± 10ppm/°C
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: PEP Series
productTraceability: No
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.6mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - PEP0402Y1002WNTA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 10 kohm, ± 0.05%, 125 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Präzisionswiderstand
isCanonical: N
Widerstand: 10kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 0.05%
Temperaturkoeffizient: ± 10ppm/°C
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: PEP Series
productTraceability: No
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.6mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 507.53 грн |
| 20+ | 433.45 грн |
| 40+ | 392.43 грн |
| PEP0402Y1502WNTA |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - PEP0402Y1502WNTA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 15 kohm, ± 0.05%, 125 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Präzisionswiderstand
Widerstand: 15kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0.05%
Temperaturkoeffizient: 10ppm/C
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: PEP Series
productTraceability: No
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.6mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - PEP0402Y1502WNTA - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 15 kohm, ± 0.05%, 125 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: YES
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dünnschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Nennleistung: 125mW
Widerstandstyp: Präzisionswiderstand
Widerstand: 15kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 0.05%
Temperaturkoeffizient: 10ppm/C
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: PEP Series
productTraceability: No
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.6mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 439.10 грн |
| 20+ | 401.68 грн |
| 40+ | 361.01 грн |
| 100+ | 244.40 грн |
| CRCW0402464KFKED |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW0402464KFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 464 kohm, ± 1%, 62.5 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 62.5mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 464kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - CRCW0402464KFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 464 kohm, ± 1%, 62.5 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 62.5mW
Widerstandstyp: Universell
Widerstand: 464kohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 8430 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.24 грн |
| 672+ | 1.21 грн |
| 834+ | 0.98 грн |
| 2500+ | 0.75 грн |
| 5000+ | 0.68 грн |
| A104M15X7RF5UAA |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - A104M15X7RF5UAA - Keramikvielschichtkondensator, 0.1 µF, 50 V, ± 20%, Axial bedrahtet, X7R
tariffCode: 85322400
Produkthöhe: -
Bauform / Gehäuse des Kondensators: -
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 3.8mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.1µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 2.6mm
Kondensatoranschlüsse: Axial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - A104M15X7RF5UAA - Keramikvielschichtkondensator, 0.1 µF, 50 V, ± 20%, Axial bedrahtet, X7R
tariffCode: 85322400
Produkthöhe: -
Bauform / Gehäuse des Kondensators: -
rohsCompliant: YES
Anschlussabstand: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 20%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 3.8mm
euEccn: NLR
Kapazität: 0.1µF
Spannung (DC): 50V
Produktpalette: A Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktdurchmesser: 2.6mm
Kondensatoranschlüsse: Axial bedrahtet
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: -
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 10800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 59+ | 13.93 грн |
| 102+ | 8.00 грн |
| 500+ | 6.37 грн |
| 1000+ | 5.41 грн |
| 2000+ | 4.76 грн |
| 4000+ | 4.52 грн |
| SQJ140ELP-T1_GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQJ140ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2140 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2140µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SQJ140ELP-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 266 A, 2140 µohm, PowerPAK SO, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 266A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 263W
Bauform - Transistor: PowerPAK SO
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen IV Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 2140µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 20555 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 136.05 грн |
| 10+ | 86.35 грн |
| 100+ | 58.33 грн |
| 500+ | 39.49 грн |
| 1000+ | 33.94 грн |
| 5000+ | 31.70 грн |
| IFDC5050JZER1R8N |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IFDC5050JZER1R8N - Leistungsinduktivität (SMD), 1.8 µH, 10.2 A, Geschirmt, IFDC5050JZ Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 10mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 30%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 8000µohm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 10.2A
Sättigungsstrom (Isat): -
Produktlänge: 12.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IFDC5050JZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 12.5mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - IFDC5050JZER1R8N - Leistungsinduktivität (SMD), 1.8 µH, 10.2 A, Geschirmt, IFDC5050JZ Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 10mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 30%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 8000µohm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 10.2A
Sättigungsstrom (Isat): -
Produktlänge: 12.5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IFDC5050JZ Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 12.5mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 12+ | 73.81 грн |
| 13+ | 62.89 грн |
| 50+ | 61.26 грн |
| 100+ | 41.45 грн |
| 200+ | 35.82 грн |
| 400+ | 33.38 грн |
| IFSC2020DZER1R8M01 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IFSC2020DZER1R8M01 - Leistungsinduktivität (SMD), 1.8 µH, 4.3 A, Geschirmt, 6.4 A, IFSC2020DZ-01 Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 4mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.021ohm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 4.3A
Sättigungsstrom (Isat): 6.4A
Produktlänge: 5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IFSC2020DZ-01 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 5mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - IFSC2020DZER1R8M01 - Leistungsinduktivität (SMD), 1.8 µH, 4.3 A, Geschirmt, 6.4 A, IFSC2020DZ-01 Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 4mm
rohsCompliant: YES
Induktivität: 1.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.021ohm
usEccn: EAR99
RMS-Strom Irms: 4.3A
Sättigungsstrom (Isat): 6.4A
Produktlänge: 5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: IFSC2020DZ-01 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Produktbreite: 5mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 24.60 грн |
| 50+ | 20.45 грн |
| 100+ | 16.29 грн |
| 250+ | 12.86 грн |
| 500+ | 9.78 грн |
| 1500+ | 9.22 грн |
| VDMG10C0 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VDMG10C0 - 7-Segment-LED-Anzeige, Grün, 20 mA, 2 V, 4.4 mcd, 1, 10 mm
tariffCode: 85312020
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Gemeinsame Verbindung: Gemeinsame Kathode
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchlassstrom If: 20mA
Lichtstärke: 4.4mcd
Zeichengröße: 10mm
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 2V
LED-Farbe: Grün
Produktpalette: VDM.10.0
productTraceability: No
Anzahl der Ziffern / Zeichen: 1
SVHC: Hexahydromethylphthalic anhydride [1], Hexahydro-4-methylphthalic anhydride [2], Hexahydro-1-methylphthalic anhydride[3] (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - VDMG10C0 - 7-Segment-LED-Anzeige, Grün, 20 mA, 2 V, 4.4 mcd, 1, 10 mm
tariffCode: 85312020
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Gemeinsame Verbindung: Gemeinsame Kathode
isCanonical: N
usEccn: EAR99
Durchlassstrom If: 20mA
Lichtstärke: 4.4mcd
Zeichengröße: 10mm
euEccn: NLR
Durchlassspannung: 2V
LED-Farbe: Grün
Produktpalette: VDM.10.0
productTraceability: No
Anzahl der Ziffern / Zeichen: 1
SVHC: Hexahydromethylphthalic anhydride [1], Hexahydro-4-methylphthalic anhydride [2], Hexahydro-1-methylphthalic anhydride[3] (07-Nov-2024)
на замовлення 232 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 61.59 грн |
| CRCW2010301RFKEF |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - CRCW2010301RFKEF - RES, THICK FILM, 301R, 1%, 0.75W, 2010
tariffCode: 85331000
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2010 [5025 Metric]
Widerstandstechnologie: Thick Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 750mW
Widerstandstyp: General Purpose
Widerstand: 301ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 2.5mm
directShipCharge: 25
Description: VISHAY - CRCW2010301RFKEF - RES, THICK FILM, 301R, 1%, 0.75W, 2010
tariffCode: 85331000
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 2010 [5025 Metric]
Widerstandstechnologie: Thick Film
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 750mW
Widerstandstyp: General Purpose
Widerstand: 301ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: ± 1%
Temperaturkoeffizient: ± 100ppm/K
Produktlänge: 5mm
euEccn: NLR
Produktpalette: CRCW e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 400V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 2.5mm
directShipCharge: 25
на замовлення 673 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| RCS0402301RFKED |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - RCS0402301RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 301 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 301ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - RCS0402301RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 301 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 301ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: No
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 394+ | 2.07 грн |
| 650+ | 1.25 грн |
| 834+ | 0.98 грн |
| 2500+ | 0.71 грн |
| 5000+ | 0.64 грн |
| RCS0402301RFKED |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - RCS0402301RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 301 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 301ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - RCS0402301RFKED - Chipwiderstand, Oberflächenmontage, 301 ohm, ± 1%, 200 mW, 0402 [Metrisch 1005]
tariffCode: 85332100
rohsCompliant: Y-EX
Bauform/Gehäuse des Widerstands: 0402 [Metrisch 1005]
Widerstandstechnologie: Dickschichtwiderstand
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q200
Nennleistung: 200mW
Widerstandstyp: Hochleistung, überspannungsfest
Widerstand: 301ohm
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Widerstandstoleranz: 1%
Temperaturkoeffizient: 100ppm/K
Produktlänge: 1mm
euEccn: NLR
Produktpalette: RCS e3 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Nennspannung: 50V
Betriebstemperatur, max.: 155°C
Produktbreite: 0.5mm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 5330 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 394+ | 2.07 грн |
| 650+ | 1.25 грн |
| 834+ | 0.98 грн |
| 2500+ | 0.71 грн |
| 5000+ | 0.64 грн |
| SQA470CEJW-T1_GE3 |
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Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQA470CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.25 A, 0.038 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQA470CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.25 A, 0.038 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 8560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 19+ | 44.97 грн |
| 29+ | 29.08 грн |
| 100+ | 20.20 грн |
| 500+ | 13.31 грн |
| 1000+ | 10.68 грн |
| 5000+ | 8.31 грн |
| SI4459ADY-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SI4459ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 29 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SI4459ADY-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 29 A, 5000 µohm, SOIC, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 3.5W
Bauform - Transistor: SOIC
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 8106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 102.65 грн |
| 500+ | 80.19 грн |
| 1000+ | 71.92 грн |
| SIA817EDJ-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIA817EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.054 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: LITTLE FOOT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIA817EDJ-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 4.5 A, 0.054 ohm, PowerPAK SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 4.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.3V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 6.5W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: LITTLE FOOT
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.054ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 2895 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 19.88 грн |
| 500+ | 15.05 грн |
| 1000+ | 11.59 грн |
| SQA470CEJW-T1_GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQA470CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.25 A, 0.038 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 13.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SQA470CEJW-T1_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 2.25 A, 0.038 ohm, PowerPAK SC-70W, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 2.25A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Verlustleistung Pd: 13.6W
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 13.6W
Bauform - Transistor: PowerPAK SC-70W
Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: AEC-Q101
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: n-Kanal
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebswiderstand, Rds(on): 0.038ohm
Rds(on)-Prüfspannung: 4.5V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.038ohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 8560 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 20.20 грн |
| 500+ | 13.31 грн |
| 1000+ | 10.68 грн |
| 5000+ | 8.31 грн |
| SIZF5300DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF5300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 0.00202 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 125A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00202ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 56.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00202ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIZF5300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 0.00202 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 125A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00202ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 56.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00202ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 13410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5+ | 177.59 грн |
| 10+ | 128.72 грн |
| 100+ | 96.94 грн |
| 500+ | 66.87 грн |
| 1000+ | 56.70 грн |
| SIZF5300DT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIZF5300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 0.00202 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 125A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00202ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 56.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00202ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIZF5300DT-T1-GE3 - Dual-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 30 V, 125 A, 125 A, 0.00202 ohm
tariffCode: 85412900
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 125A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 30V
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 125A
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.00202ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 56.8W
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 30V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: PowerPAIR
Anzahl der Pins: 12Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen V Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.00202ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 56.8W
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 13410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 96.94 грн |
| 500+ | 66.87 грн |
| 1000+ | 56.70 грн |
| SQM30010EL_GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SQM30010EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 1350 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: To Be Advised
Description: VISHAY - SQM30010EL_GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 120 A, 1350 µohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 375W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 1350µohm
SVHC: To Be Advised
на замовлення 585 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 135.23 грн |
| 500+ | 94.56 грн |
| SIS415DNT-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIS415DNT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - SIS415DNT-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 20 V, 35 A, 4000 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET Gen III
productTraceability: No
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4000µohm
SVHC: Lead (21-Jan-2025)
на замовлення 1529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 34.13 грн |
| 500+ | 27.16 грн |
| 1000+ | 22.14 грн |
| SISH410DN-T1-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SISH410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 4800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SISH410DN-T1-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 20 V, 35 A, 4800 µohm, PowerPAK 1212, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 20V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 52W
Bauform - Transistor: PowerPAK 1212
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: TrenchFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 4800µohm
SVHC: Lead (07-Nov-2024)
на замовлення 213 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 49.37 грн |
| SIHG075N65E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHG075N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.079 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIHG075N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.079 ohm, TO-247AC, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-247AC
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 497.75 грн |
| 10+ | 381.26 грн |
| 100+ | 314.46 грн |
| 500+ | 247.36 грн |
| SIHB075N65E-GE3 |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - SIHB075N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.079 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Description: VISHAY - SIHB075N65E-GE3 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 650 V, 35 A, 0.079 ohm, TO-263 (D2PAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 650V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 35A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 250W
Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.079ohm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 459.47 грн |
| 10+ | 347.04 грн |
| 100+ | 281.06 грн |
| 500+ | 232.99 грн |
| IHLE4040DDEW6R8M5A |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IHLE4040DDEW6R8M5A - Leistungsinduktivität (SMD), 6.8 µH, 8.4 A, Geschirmt, 8 A, IHLE-4040DD-5A Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 4.3mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 6.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.02236ohm
isCanonical: Y
RMS-Strom Irms: 8.4A
Sättigungsstrom (Isat): 8A
Produktlänge: 10.89mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produktpalette: IHLE-4040DD-5A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Produktbreite: 10.89mm
Description: VISHAY - IHLE4040DDEW6R8M5A - Leistungsinduktivität (SMD), 6.8 µH, 8.4 A, Geschirmt, 8 A, IHLE-4040DD-5A Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 4.3mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 6.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.02236ohm
isCanonical: Y
RMS-Strom Irms: 8.4A
Sättigungsstrom (Isat): 8A
Produktlänge: 10.89mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produktpalette: IHLE-4040DD-5A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Produktbreite: 10.89mm
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 97.76 грн |
| 10+ | 83.09 грн |
| IHLE4040DDEW6R8M5A |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - IHLE4040DDEW6R8M5A - Leistungsinduktivität (SMD), 6.8 µH, 8.4 A, Geschirmt, 8 A, IHLE-4040DD-5A Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 4.3mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 6.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.02236ohm
isCanonical: N
RMS-Strom Irms: 8.4A
Sättigungsstrom (Isat): 8A
Produktlänge: 10.89mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produktpalette: IHLE-4040DD-5A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Produktbreite: 10.89mm
Description: VISHAY - IHLE4040DDEW6R8M5A - Leistungsinduktivität (SMD), 6.8 µH, 8.4 A, Geschirmt, 8 A, IHLE-4040DD-5A Series
tariffCode: 85045000
Produkthöhe: 4.3mm
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Induktivität: 6.8µH
Bauart der Induktivität: Geschirmt
Induktivitätstoleranz: ± 20%
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Bauform/Gehäuse der Induktivität: -
DC-Widerstand, max.: 0.02236ohm
isCanonical: N
RMS-Strom Irms: 8.4A
Sättigungsstrom (Isat): 8A
Produktlänge: 10.89mm
SVHC: No SVHC (07-Nov-2024)
Produktpalette: IHLE-4040DD-5A Series
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Produktbreite: 10.89mm
на замовлення 40 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9+ | 97.76 грн |
| 10+ | 83.09 грн |
| VJ1812Y102KBGTW1HV |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1812Y102KBGTW1HV - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1000 pF, 1 kV, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 4.5mm
euEccn: NLR
Spannung (AC): -
Kapazität: 1000pF
Spannung (DC): 1kV
Produktpalette: VJ-W1HV High Voltage Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 3.2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: VISHAY - VJ1812Y102KBGTW1HV - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1000 pF, 1 kV, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 4.5mm
euEccn: NLR
Spannung (AC): -
Kapazität: 1000pF
Spannung (DC): 1kV
Produktpalette: VJ-W1HV High Voltage Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 3.2mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 29.57 грн |
| 50+ | 19.63 грн |
| 100+ | 12.14 грн |
| 250+ | 10.36 грн |
| 500+ | 8.66 грн |
| VJ1812Y102KBLTW1HV |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1812Y102KBLTW1HV - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1000 pF, 630 V, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 4.5mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannung (AC): -
Kapazität: 1000pF
Spannung (DC): 630V
Produktpalette: VJ-W1HV High Voltage Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Produktbreite: 3.2mm
Description: VISHAY - VJ1812Y102KBLTW1HV - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1000 pF, 630 V, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532]
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 4.5mm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Spannung (AC): -
Kapazität: 1000pF
Spannung (DC): 630V
Produktpalette: VJ-W1HV High Voltage Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Produktbreite: 3.2mm
на замовлення 636 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 28.76 грн |
| 64+ | 12.87 грн |
| 100+ | 11.49 грн |
| 250+ | 9.61 грн |
| 500+ | 7.89 грн |
| VJ1812Y102KBETW1HV |
![]() |
Виробник: VISHAY
Description: VISHAY - VJ1812Y102KBETW1HV - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1000 pF, 500 V, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 4.5mm
euEccn: NLR
Spannung (AC): -
Kapazität: 1000pF
Spannung (DC): 500V
Produktpalette: VJ-W1HV High Voltage Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 3.2mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: VISHAY - VJ1812Y102KBETW1HV - Keramikvielschichtkondensator, SMD, 1000 pF, 500 V, 1812 [Metrisch 4532], ± 10%, X7R
tariffCode: 85322400
Bauform / Gehäuse des Kondensators: 1812 [Metrisch 4532]
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Kapazitätstoleranz: ± 10%
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, min.: -55°C
Dielektrikum: X7R
Produktlänge: 4.5mm
euEccn: NLR
Spannung (AC): -
Kapazität: 1000pF
Spannung (DC): 500V
Produktpalette: VJ-W1HV High Voltage Commercial Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kondensatoranschlüsse: Standard-Anschluss
Betriebstemperatur, max.: 125°C
Produktbreite: 3.2mm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 674 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 29+ | 28.84 грн |
| 50+ | 16.37 грн |
| 100+ | 11.98 грн |
| 250+ | 10.21 грн |
| 500+ | 8.59 грн |



































