Продукція > VISHAY > Всі товари виробника VISHAY (292077) > Сторінка 762 з 4868

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 486 757 758 759 760 761 762 763 764 765 766 767 972 1458 1944 2430 2916 3402 3888 4374 4860 4868  [ Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
SSC54-E3/9AT VISHAY ssc53l.pdf Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 5A; SMC; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.42V
Case: SMC
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 60mA
Max. forward impulse current: 175A
кількість в упаковці: 3500 шт
товар відсутній
SSC54HE3-A/I VISHAY Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 5A; SMC; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.49V
Case: SMC
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 175A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SUD08P06-155L-GE3 VISHAY sud08p06-155l-ge3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SUD09P10-195-BE3 VISHAY SUD09P10.pdf SUD09P10-195-BE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SUD09P10-195-GE3 VISHAY sud09p10.pdf SUD09P10-195-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SUD15N15-95-E3 SUD15N15-95-E3 VISHAY sud15n15.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 15A; Idm: 25A; 62W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90-E3 VISHAY SUD19N20-90.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 136W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SUD19P06-60-E3 VISHAY sud19p06.pdf SUD19P06-60-E3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SUD19P06-60-GE3 SUD19P06-60-GE3 VISHAY SUD19P06-60.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.19A; 2.3W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.19A
Power dissipation: 2.3W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+68.13 грн
5+ 58.78 грн
24+ 41.62 грн
65+ 39.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
SUD19P06-60L-E3 VISHAY sud19p06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -19A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -19A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 46W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
SUD20N10-66L-GE3 VISHAY sud20n10-66l.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 16.9A; Idm: 25A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 41.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
SUD23N06-31-GE3 SUD23N06-31-GE3 VISHAY SUD23N06-DTE.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17.1A; 31.25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17.1A
Power dissipation: 31.25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
4+71.72 грн
6+ 46.68 грн
25+ 39.62 грн
27+ 35.7 грн
75+ 33.75 грн
500+ 33.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
SUD25N15-52-E3 SUD25N15-52-E3 VISHAY sud25n15.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 50A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
SUD35N10-26P-BE3 VISHAY Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
SUD35N10-26P-E3 VISHAY sud35n10-26p.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
SUD35N10-26P-GE3 VISHAY sud35n10-26p.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
SUD40151EL-GE3 VISHAY sud40151el.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -42A; Idm: -100A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -42A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
SUD40N08-16-E3 VISHAY 71323.pdf SUD40N08-16-E3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SUD40N10-25-E3 SUD40N10-25-E3 VISHAY sud40n10.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 70A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
SUD50N03-06AP-E3 VISHAY 73540.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 90A; Idm: 100A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
SUD50N04-8M8P-4GE3 SUD50N04-8M8P-4GE3 VISHAY sud50n04.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 14A; Idm: 100A; 30.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 30.8W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+89.65 грн
10+ 73.91 грн
25+ 63.26 грн
41+ 23.97 грн
111+ 22.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3 VISHAY SUD50N06-09L-E3.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+136.26 грн
5+ 118.43 грн
12+ 86.57 грн
31+ 82.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
SUD50P04-08-GE3 SUD50P04-08-GE3 VISHAY sud50p04-08.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -50A; Idm: -100A; 73.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 73.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 159nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+91.44 грн
5+ 78.66 грн
17+ 58.27 грн
46+ 54.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
SUD50P04-09L-E3 SUD50P04-09L-E3 VISHAY sud50p04.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -50A; Idm: -100A; 136W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SUD50P06-15-GE3 SUD50P06-15-GE3 VISHAY sud50p06-15.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A; 113W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 113W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+195.43 грн
10+ 168.56 грн
14+ 72.42 грн
37+ 68.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
SUD50P06-15L-E3 SUD50P06-15L-E3 VISHAY sud50p06.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A; 136W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1582 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+198.12 грн
10+ 164.24 грн
12+ 87.4 грн
31+ 82.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
SUD50P08-25L-E3 VISHAY sud50p08.pdf SUD50P08-25L-E3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SUD50P10-43L-E3 SUD50P10-43L-E3 VISHAY sud50p10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -37.1A; Idm: -40A; 95W
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -37.1A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SUD50P10-43L-GE3 SUD50P10-43L-GE3 VISHAY sud50p10.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -36.4A; Idm: -40A; 72.7W
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -36.4A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 72.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SUD70090E-GE3 VISHAY sud70090e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 50A; Idm: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
SUD80460E-GE3 VISHAY sud80460e.pdf SUD80460E-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SUD90330E-GE3 VISHAY sud90330e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
SUG80050E-GE3 VISHAY sug80050e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 100A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SUG90090E-GE3 VISHAY sug90090e.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 100A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 395W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 129nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SUM10250E-GE3 SUM10250E-GE3 VISHAY sum10250e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36.6A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SUM110N10-09-E3 SUM110N10-09-E3 VISHAY sum110n1.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 87A; 375W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 87A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 799 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+300.31 грн
5+ 199.68 грн
14+ 181.47 грн
SUM110P04-04L-E3 VISHAY sum110p0.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3 VISHAY SUM110P04-05-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -33A; 375W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -33A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 280nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 775 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+375.61 грн
4+ 263.65 грн
11+ 239.74 грн
800+ 232.24 грн
SUM110P06-07L-E3 SUM110P06-07L-E3 VISHAY sum110p06-07l.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -110A; Idm: -240A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 345nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+278.8 грн
3+ 242.04 грн
6+ 162.32 грн
17+ 154 грн
SUM110P06-08L-E3 VISHAY 73045.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SUM110P08-11L-E3 SUM110P08-11L-E3 VISHAY sum110p08-11l.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -110A; Idm: -120A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 796 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
1+419.54 грн
4+ 265.38 грн
5+ 254.72 грн
11+ 241.4 грн
SUM40010EL-GE3 VISHAY sum40010el.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 120A; Idm: 300A
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SUM40012EL-GE3 VISHAY sum40012el.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 150A; Idm: 300A
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 150A
On-state resistance: 2.24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 195nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SUM40014M-GE3 VISHAY sum40014m.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A
Case: TO263-7
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
On-state resistance: 1.36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 275nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SUM45N25-58-E3 VISHAY sum45n25.pdf SUM45N25-58-E3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SUM50010E-GE3 VISHAY sum50010e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 150A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 212nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SUM50020E-GE3 VISHAY sum50020e.pdf SUM50020E-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SUM50020EL-GE3 VISHAY sum50020el.pdf SUM50020EL-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SUM55P06-19L-E3 SUM55P06-19L-E3 VISHAY SUM55P06-19L-E3.pdf Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -31A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -31A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
3+127.3 грн
5+ 116.7 грн
11+ 84.91 грн
31+ 79.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
SUM60020E-GE3 VISHAY sum60020e.pdf SUM60020E-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SUM60061EL-GE3 VISHAY sum60061el.pdf SUM60061EL-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SUM60N10-17-E3 VISHAY 72070.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SUM65N20-30-E3 SUM65N20-30-E3 VISHAY SUM65N20-30.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; Idm: 140A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SUM70030E-GE3 VISHAY sum70030e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
On-state resistance: 3.48mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 214nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 500A
Mounting: SMD
Case: TO263
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SUM70030M-GE3 VISHAY sum70030m.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
On-state resistance: 3.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 214nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 500A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SUM70040E-GE3 SUM70040E-GE3 VISHAY sum70040e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 789 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
2+251.9 грн
5+ 218.7 грн
6+ 161.49 грн
17+ 152.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
SUM70040M-GE3 VISHAY sum70040m.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 375W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SUM70042E-GE3 VISHAY sum70042e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 278W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SUM70060E-GE3 VISHAY sum70060e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 131A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 131A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SUM70090E-GE3 VISHAY sum70090e.pdf Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 50A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SSC54-E3/9AT ssc53l.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 5A; SMC; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.42V
Case: SMC
Kind of package: reel; tape
Leakage current: 60mA
Max. forward impulse current: 175A
кількість в упаковці: 3500 шт
товар відсутній
SSC54HE3-A/I
Виробник: VISHAY
Category: SMD Schottky diodes
Description: Diode: Schottky rectifying; SMD; 40V; 5A; SMC; reel,tape
Type of diode: Schottky rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 40V
Load current: 5A
Semiconductor structure: single diode
Max. forward voltage: 0.49V
Case: SMC
Kind of package: reel; tape
Max. forward impulse current: 175A
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SUD08P06-155L-GE3 sud08p06-155l-ge3.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SUD09P10-195-BE3 SUD09P10.pdf
Виробник: VISHAY
SUD09P10-195-BE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SUD09P10-195-GE3 sud09p10.pdf
Виробник: VISHAY
SUD09P10-195-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SUD15N15-95-E3 sud15n15.pdf
SUD15N15-95-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 15A; Idm: 25A; 62W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 15A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 62W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.25Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 25nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SUD19N20-90-E3 SUD19N20-90.pdf
SUD19N20-90-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 11A; 136W; DPAK,TO252
Case: DPAK; TO252
Mounting: SMD
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 11A
On-state resistance: 90mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 136W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 34nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SUD19P06-60-E3 sud19p06.pdf
Виробник: VISHAY
SUD19P06-60-E3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SUD19P06-60-GE3 SUD19P06-60.pdf
SUD19P06-60-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -8.19A; 2.3W; DPAK,TO252
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -8.19A
Power dissipation: 2.3W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 60mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 26nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+68.13 грн
5+ 58.78 грн
24+ 41.62 грн
65+ 39.12 грн
Мінімальне замовлення: 4
SUD19P06-60L-E3 sud19p06.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -60V; -19A; Idm: -30A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -19A
Pulsed drain current: -30A
Power dissipation: 46W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.129Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
SUD20N10-66L-GE3 sud20n10-66l.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 16.9A; Idm: 25A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 16.9A
Pulsed drain current: 25A
Power dissipation: 41.7W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 30nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
SUD23N06-31-GE3 SUD23N06-DTE.pdf
SUD23N06-31-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 17.1A; 31.25W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 17.1A
Power dissipation: 31.25W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 45mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 17nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1969 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+71.72 грн
6+ 46.68 грн
25+ 39.62 грн
27+ 35.7 грн
75+ 33.75 грн
500+ 33.21 грн
Мінімальне замовлення: 4
SUD25N15-52-E3 sud25n15.pdf
SUD25N15-52-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 150V; 25A; Idm: 50A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 25A
Pulsed drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.145Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 40nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
SUD35N10-26P-BE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
SUD35N10-26P-E3 sud35n10-26p.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
SUD35N10-26P-GE3 sud35n10-26p.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 35A; Idm: 40A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 35A
Pulsed drain current: 40A
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 37.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
SUD40151EL-GE3 sud40151el.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; -40V; -42A; Idm: -100A
Type of transistor: P-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -42A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 50W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 112nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
SUD40N08-16-E3 71323.pdf
Виробник: VISHAY
SUD40N08-16-E3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SUD40N10-25-E3 sud40n10.pdf
SUD40N10-25-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 40A; Idm: 70A; 136W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 40A
Pulsed drain current: 70A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 63mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 60nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
SUD50N03-06AP-E3 73540.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 30V; 90A; Idm: 100A; 83W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 30V
Drain current: 90A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 83W
Case: TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 95nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
SUD50N04-8M8P-4GE3 sud50n04.pdf
SUD50N04-8M8P-4GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 14A; Idm: 100A; 30.8W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 14A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 30.8W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 56nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2498 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+89.65 грн
10+ 73.91 грн
25+ 63.26 грн
41+ 23.97 грн
111+ 22.64 грн
Мінімальне замовлення: 3
SUD50N06-09L-E3 SUD50N06-09L-E3.pdf
SUD50N06-09L-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 50A; 136W; DPAK,TO252
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 50A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 47nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2441 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+136.26 грн
5+ 118.43 грн
12+ 86.57 грн
31+ 82.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
SUD50P04-08-GE3 sud50p04-08.pdf
SUD50P04-08-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -50A; Idm: -100A; 73.5W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 73.5W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8.1mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 159nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2520 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+91.44 грн
5+ 78.66 грн
17+ 58.27 грн
46+ 54.94 грн
Мінімальне замовлення: 3
SUD50P04-09L-E3 sud50p04.pdf
SUD50P04-09L-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -50A; Idm: -100A; 136W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -100A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 17mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 150nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SUD50P06-15-GE3 sud50p06-15.pdf
SUD50P06-15-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A; 113W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 113W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 28mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1882 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+195.43 грн
10+ 168.56 грн
14+ 72.42 грн
37+ 68.26 грн
Мінімальне замовлення: 2
SUD50P06-15L-E3 sud50p06.pdf
SUD50P06-15L-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -50A; Idm: -80A; 136W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -50A
Pulsed drain current: -80A
Power dissipation: 136W
Case: DPAK; TO252
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 30mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 165nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1582 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+198.12 грн
10+ 164.24 грн
12+ 87.4 грн
31+ 82.41 грн
Мінімальне замовлення: 2
SUD50P08-25L-E3 sud50p08.pdf
Виробник: VISHAY
SUD50P08-25L-E3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SUD50P10-43L-E3 sud50p10.pdf
SUD50P10-43L-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -37.1A; Idm: -40A; 95W
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -37.1A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 95W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SUD50P10-43L-GE3 sud50p10.pdf
SUD50P10-43L-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -100V; -36.4A; Idm: -40A; 72.7W
Drain-source voltage: -100V
Drain current: -36.4A
On-state resistance: 43mΩ
Type of transistor: P-MOSFET
Power dissipation: 72.7W
Polarisation: unipolar
Kind of package: reel; tape
Gate charge: 160nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: -40A
Mounting: SMD
Case: DPAK; TO252
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SUD70090E-GE3 sud70090e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 50A; Idm: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO252
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Technology: TrenchFET®
Gate charge: 50nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 120A
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
On-state resistance: 9.3mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
SUD80460E-GE3 sud80460e.pdf
Виробник: VISHAY
SUD80460E-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SUD90330E-GE3 sud90330e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET
Type of transistor: N-MOSFET
кількість в упаковці: 2000 шт
товар відсутній
SUG80050E-GE3 sug80050e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 150V; 100A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 150V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 500W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.3mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 165nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SUG90090E-GE3 sug90090e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 200V; 100A; Idm: 300A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 100A
Pulsed drain current: 300A
Power dissipation: 395W
Case: TO247
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 10.4mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 129nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SUM10250E-GE3 sum10250e.pdf
SUM10250E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 250V; 36.6A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 250V
Drain current: 36.6A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 31mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 57.6nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SUM110N10-09-E3 sum110n1.pdf
SUM110N10-09-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 87A; 375W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 87A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 799 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+300.31 грн
5+ 199.68 грн
14+ 181.47 грн
SUM110P04-04L-E3 sum110p0.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SUM110P04-05-E3 SUM110P04-05-E3.pdf
SUM110P04-05-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -40V; -33A; 375W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -40V
Drain current: -33A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 280nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 775 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+375.61 грн
4+ 263.65 грн
11+ 239.74 грн
800+ 232.24 грн
SUM110P06-07L-E3 sum110p06-07l.pdf
SUM110P06-07L-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -110A; Idm: -240A; 375W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -240A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 13.8mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 345nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1627 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+278.8 грн
3+ 242.04 грн
6+ 162.32 грн
17+ 154 грн
SUM110P06-08L-E3 73045.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET
Type of transistor: P-MOSFET
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SUM110P08-11L-E3 sum110p08-11l.pdf
SUM110P08-11L-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -80V; -110A; Idm: -120A; 125W
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -80V
Drain current: -110A
Pulsed drain current: -120A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 11.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.27µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 796 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1+419.54 грн
4+ 265.38 грн
5+ 254.72 грн
11+ 241.4 грн
SUM40010EL-GE3 sum40010el.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 120A; Idm: 300A
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 120A
On-state resistance: 1.9mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 230nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SUM40012EL-GE3 sum40012el.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 150A; Idm: 300A
Case: TO263
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 150A
On-state resistance: 2.24mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 150W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 195nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 300A
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SUM40014M-GE3 sum40014m.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 40V; 200A; Idm: 400A
Case: TO263-7
Kind of package: reel; tape
Mounting: SMD
Technology: TrenchFET®
Drain-source voltage: 40V
Drain current: 200A
On-state resistance: 1.36mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 275nC
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 400A
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SUM45N25-58-E3 sum45n25.pdf
Виробник: VISHAY
SUM45N25-58-E3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SUM50010E-GE3 sum50010e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 60V; 150A; Idm: 500A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 500A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 2.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 212nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SUM50020E-GE3 sum50020e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM50020E-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SUM50020EL-GE3 sum50020el.pdf
Виробник: VISHAY
SUM50020EL-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SUM55P06-19L-E3 SUM55P06-19L-E3.pdf
SUM55P06-19L-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD P channel transistors
Description: Transistor: P-MOSFET; unipolar; -60V; -31A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: P-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: -60V
Drain current: -31A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 115nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1013 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3+127.3 грн
5+ 116.7 грн
11+ 84.91 грн
31+ 79.91 грн
Мінімальне замовлення: 3
SUM60020E-GE3 sum60020e.pdf
Виробник: VISHAY
SUM60020E-GE3 SMD N channel transistors
товар відсутній
SUM60061EL-GE3 sum60061el.pdf
Виробник: VISHAY
SUM60061EL-GE3 SMD P channel transistors
товар відсутній
SUM60N10-17-E3 72070.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 60A; Idm: 100A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Pulsed drain current: 100A
Power dissipation: 150W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 41mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.1µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SUM65N20-30-E3 SUM65N20-30.pdf
SUM65N20-30-E3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 200V; 65A; Idm: 140A; 375W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 200V
Drain current: 65A
Pulsed drain current: 140A
Power dissipation: 375W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 84mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 130nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
SUM70030E-GE3 sum70030e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
On-state resistance: 3.48mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 214nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 500A
Mounting: SMD
Case: TO263
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SUM70030M-GE3 sum70030m.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 500A
Kind of package: reel; tape
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
On-state resistance: 3.7mΩ
Type of transistor: N-MOSFET
Power dissipation: 375W
Polarisation: unipolar
Gate charge: 214nC
Technology: TrenchFET®
Kind of channel: enhanced
Gate-source voltage: ±20V
Pulsed drain current: 500A
Mounting: SMD
Case: TO263-7
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SUM70040E-GE3 sum70040e.pdf
SUM70040E-GE3
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 120A; 125W; D2PAK,TO263
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: D2PAK; TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 76nC
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 789 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+251.9 грн
5+ 218.7 грн
6+ 161.49 грн
17+ 152.33 грн
Мінімальне замовлення: 2
SUM70040M-GE3 sum70040m.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 120A; Idm: 480A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 120A
Pulsed drain current: 480A
Power dissipation: 375W
Case: TO263-7
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.6mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 0.12µC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SUM70042E-GE3 sum70042e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 150A; Idm: 200A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 150A
Pulsed drain current: 200A
Power dissipation: 278W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.5mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 110nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SUM70060E-GE3 sum70060e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 131A; Idm: 240A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 131A
Pulsed drain current: 240A
Power dissipation: 375W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 6.2mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 81nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
SUM70090E-GE3 sum70090e.pdf
Виробник: VISHAY
Category: SMD N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; TrenchFET®; unipolar; 100V; 50A; Idm: 120A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: TrenchFET®
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 50A
Pulsed drain current: 120A
Power dissipation: 125W
Case: TO263
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 9.3mΩ
Mounting: SMD
Gate charge: 50nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhanced
кількість в упаковці: 800 шт
товар відсутній
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 486 757 758 759 760 761 762 763 764 765 766 767 972 1458 1944 2430 2916 3402 3888 4374 4860 4868  [ Наступна Сторінка >> ]