| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
|---|---|---|---|---|---|
 |
Мікросхема ВЧ/НВЧ CGHV31500F1 Cree, Inc | Cree, Inc | GaN MMIC Power Amplifier 2,7-3,1 GHz, 500 W, Gss=14,5 dB Мікросхеми РЧ/ВЧ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
Мікросхема ВЧ/НВЧ CMPA2738060F Cree, Inc | Cree, Inc | GaN MMIC Power Amplifier 2,7-3,8 GHz, 60 W, Gss=35,7 dB Мікросхеми РЧ/ВЧ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
Транзистор RF польовий CGHV1F006S Cree, Inc | Cree, Inc | RF Power Transistor DC-18 GHz 6 Watt 100 V Gain 16 dB GaN HEMT Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
 |
Транзистор ВЧ польовий CGHV40030F Cree, Inc | Cree, Inc | RF Power Transistor DC-6 GHz 30 Watt 50 V Gain 15,8 dB GaN HEMT Транзистори польові ВЧ/НВЧ |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. |
| Мікросхема ВЧ/НВЧ CGHV31500F1 Cree, Inc |
Виробник: Cree, Inc
GaN MMIC Power Amplifier 2,7-3,1 GHz, 500 W, Gss=14,5 dB Мікросхеми РЧ/ВЧ
GaN MMIC Power Amplifier 2,7-3,1 GHz, 500 W, Gss=14,5 dB Мікросхеми РЧ/ВЧ
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| Мікросхема ВЧ/НВЧ CMPA2738060F Cree, Inc |
Виробник: Cree, Inc
GaN MMIC Power Amplifier 2,7-3,8 GHz, 60 W, Gss=35,7 dB Мікросхеми РЧ/ВЧ
GaN MMIC Power Amplifier 2,7-3,8 GHz, 60 W, Gss=35,7 dB Мікросхеми РЧ/ВЧ
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| Транзистор RF польовий CGHV1F006S Cree, Inc |
Виробник: Cree, Inc
RF Power Transistor DC-18 GHz 6 Watt 100 V Gain 16 dB GaN HEMT Транзистори польові ВЧ/НВЧ
RF Power Transistor DC-18 GHz 6 Watt 100 V Gain 16 dB GaN HEMT Транзистори польові ВЧ/НВЧ
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| Транзистор ВЧ польовий CGHV40030F Cree, Inc |
Виробник: Cree, Inc
RF Power Transistor DC-6 GHz 30 Watt 50 V Gain 15,8 dB GaN HEMT Транзистори польові ВЧ/НВЧ
RF Power Transistor DC-6 GHz 30 Watt 50 V Gain 15,8 dB GaN HEMT Транзистори польові ВЧ/НВЧ
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.