Продукція > DIODES INCORPORATED > Всі товари виробника DIODES INCORPORATED (74739) > Сторінка 25 з 1246

Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 124 248 372 496 620 744 868 992 1116 1240 1246  Наступна Сторінка >> ]
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
ZUMT618TA ZUMT618TA Diodes Incorporated ZUMT618.pdf Description: TRANS NPN 20V 1.25A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1.25A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 210MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 1.25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 385 mW
на замовлення 172964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.29 грн
11+31.09 грн
100+19.95 грн
500+14.19 грн
1000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZUMT619TA ZUMT619TA Diodes Incorporated ZUMT619.pdf Description: TRANS NPN 50V 1A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 385 mW
на замовлення 966316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+52.29 грн
11+31.17 грн
100+19.98 грн
500+14.21 грн
1000+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZUMT717TA ZUMT717TA Diodes Incorporated ZUMT717.pdf Description: TRANS PNP 12V 1.25A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1.25A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 53926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.71 грн
13+24.86 грн
100+17.28 грн
500+12.66 грн
1000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ZUMT718TA ZUMT718TA Diodes Incorporated ZUMT718.pdf Description: TRANS PNP 20V 1A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 210MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 835728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+29.88 грн
14+24.38 грн
100+16.96 грн
500+12.43 грн
1000+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
ZUMT720TA ZUMT720TA Diodes Incorporated ZUMT720.pdf Description: TRANS PNP 40V 0.75A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 750mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.71 грн
13+25.10 грн
100+17.44 грн
500+12.78 грн
1000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ZUMT918TA ZUMT918TA Diodes Incorporated zumt918.pdf Description: TRANSISTOR NPN 15V 100MA SC70-3
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTA ZXM61N02FTA Diodes Incorporated ZXM61N02F.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V
на замовлення 57215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+44.82 грн
12+26.86 грн
100+17.18 грн
500+12.20 грн
1000+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTA ZXM61N03FTA Diodes Incorporated ZXM61N03F.pdf description Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 67669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+53.12 грн
11+31.65 грн
100+20.33 грн
500+14.53 грн
1000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N02XTA ZXM64N02XTA Diodes Incorporated ZXM64N02X.pdf Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C02XTA ZXMD63C02XTA Diodes Incorporated ZXMD63C02X.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C03XTA ZXMD63C03XTA Diodes Incorporated ZXMD63C03X.pdf Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP
на замовлення 13602000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N02XTA ZXMD63N02XTA Diodes Incorporated ZXMD63N02X.pdf Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP
на замовлення 483345000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N03XTA ZXMD63N03XTA Diodes Incorporated ZXMD63N03X.pdf Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP
на замовлення 4715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+178.45 грн
10+153.94 грн
100+123.71 грн
500+95.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTA ZXM61P02FTA Diodes Incorporated ZXM61P02F.pdf description Description: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
на замовлення 124882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+43.16 грн
13+25.58 грн
100+16.38 грн
500+11.61 грн
1000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTA ZXM61P03FTA Diodes Incorporated ZXM61P03F.pdf Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 612692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
11+30.71 грн
18+18.38 грн
100+14.67 грн
500+13.17 грн
1000+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P02XTA ZXM64P02XTA Diodes Incorporated ZXM64P02X.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V
на замовлення 9645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+101.26 грн
10+80.01 грн
100+62.22 грн
500+49.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZMV829ATA Diodes Incorporated 830%20Series.pdf Description: DIODE VAR CAP 8.2PF 25V SOD-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZMV831ATA Diodes Incorporated 830%20Series.pdf Description: DIODE VAR CAP 15PF 25V SOD-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZMV832ATA Diodes Incorporated 830%20Series.pdf Description: DIODE VAR CAP 22PF 25V SOD-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZMV833ATA ZMV833ATA Diodes Incorporated 830%20Series.pdf Description: DIODE VAR CAP 33PF 25V SOD-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZMV834ATA Diodes Incorporated 830%20Series.pdf Description: DIODE VAR CAP 47PF 25V SOD-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZMV835ATA Diodes Incorporated 830%20Series.pdf Description: DIODE VAR CAP 68PF 25V SOD-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZMV930TA Diodes Incorporated 930series.pdf Description: DIODE VAR CAP 8.7PF 12V SOD-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZMV931TA Diodes Incorporated 930series.pdf Description: DIODE VAR CAP 14.5PF 12V SOD-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZMV932TA Diodes Incorporated 930series.pdf Description: DIODE VAR CAP 17PF 12V SOD-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZMV933ATA ZMV933ATA Diodes Incorporated 930series.pdf Description: DIODE VAR CAP 42PF 12V SOD-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 50MHz
Q @ Vr, F: 150 @ 4V, 50MHz
Supplier Device Package: SOD-323
Voltage - Peak Reverse (Max): 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZMV933TA Diodes Incorporated 930series.pdf Description: DIODE VAR CAP 42PF 12V SOD-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZMV934ATA Diodes Incorporated 930series.pdf Description: DIODE VAR CAP 95PF 12V SOD-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZMV934TA Diodes Incorporated 930series.pdf Description: DIODE VAR CAP 95PF 12V SOD-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P02E6TA ZXM62P02E6TA Diodes Incorporated ZXM62P02E6.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+18.82 грн
6000+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P02E6TA ZXM62P02E6TA Diodes Incorporated ZXM62P02E6.pdf Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 88362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+54.78 грн
10+45.56 грн
100+31.58 грн
500+24.76 грн
1000+21.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2120GTA ZVP2120GTA Diodes Incorporated ZVP2120G.pdf Description: MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 34629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+55.61 грн
10+46.44 грн
100+32.14 грн
500+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
B1100-13 B1100-13 Diodes Incorporated ds30018.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B520C-13 B520C-13 Diodes Incorporated B520C-B560C.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 20V 5A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B530C-13 B530C-13 Diodes Incorporated B520C-B560C.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B540C-13 B540C-13 Diodes Incorporated B520C-B560C.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 40V 5A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B550C-13 B550C-13 Diodes Incorporated B520C-B560C.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B560C-13 B560C-13 Diodes Incorporated B520C-B560C.pdf Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2A-13 ES2A-13 Diodes Incorporated ES2AA%2CBA%2CCA%2CDA.pdf Description: DIODE SUPERFST SMB 50V 20NS 150C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2B-13 ES2B-13 Diodes Incorporated ES2AA%2CBA%2CCA%2CDA.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 2A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2C-13 ES2C-13 Diodes Incorporated ES2AA%2CBA%2CCA%2CDA.pdf Description: DIODE SUPERFAST SMB 150V 20NS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2D-13 ES2D-13 Diodes Incorporated ES2AA,BA,CA,DA.pdf Description: DIODE GEN PURP 200V 2A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES3A-13 ES3A-13 Diodes Incorporated ES3A%20D.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES3B-13 ES3B-13 Diodes Incorporated ES3A%20D.pdf Description: DIODE STANDARD 100V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES3C-13 ES3C-13 Diodes Incorporated ES3A%20D.pdf Description: DIODE STANDARD 150V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES3D-13 ES3D-13 Diodes Incorporated ES3A%20D.pdf Description: DIODE STANDARD 200V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ10005 GBJ10005 Diodes Incorporated ds21218.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ1001 GBJ1001 Diodes Incorporated ds21218.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 10A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ1002 GBJ1002 Diodes Incorporated ds21218.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 10A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ1004 GBJ1004 Diodes Incorporated ds21218.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 10A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ1501 GBJ1501 Diodes Incorporated ds21219.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 15A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ1502 GBJ1502 Diodes Incorporated ds21219.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 15A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ1504 GBJ1504 Diodes Incorporated ds21219.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 15A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ20005 GBJ20005 Diodes Incorporated ds21220.pdf Description: RECT BRIDGE GPP 50V 20A GBJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ2001 GBJ2001 Diodes Incorporated ds21220.pdf Description: RECT BRIDGE GPP 100V 20A GBJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ2002 GBJ2002 Diodes Incorporated ds21220.pdf Description: RECT BRIDGE GPP 200V 20A GBJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ2004 GBJ2004 Diodes Incorporated GBJ20005~GBJ2010.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 20A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ6005 GBJ6005 Diodes Incorporated ds21216.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ601 GBJ601 Diodes Incorporated ds21216.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A GBJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ602 GBJ602 Diodes Incorporated ds21216.pdf Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A GBJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZUMT618TA ZUMT618.pdf
ZUMT618TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 20V 1.25A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 50mA, 1.25A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 210MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 1.25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 385 mW
на замовлення 172964 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.29 грн
11+31.09 грн
100+19.95 грн
500+14.19 грн
1000+12.73 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZUMT619TA ZUMT619.pdf
ZUMT619TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS NPN 50V 1A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 270mV @ 50mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 215MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 385 mW
на замовлення 966316 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+52.29 грн
11+31.17 грн
100+19.98 грн
500+14.21 грн
1000+12.75 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZUMT717TA ZUMT717.pdf
ZUMT717TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 12V 1.25A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 240mV @ 100mA, 1.25A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 1.25 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 12 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 53926 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.71 грн
13+24.86 грн
100+17.28 грн
500+12.66 грн
1000+10.29 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ZUMT718TA ZUMT718.pdf
ZUMT718TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 20V 1A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 1A
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 210MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 1 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 835728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.88 грн
14+24.38 грн
100+16.96 грн
500+12.43 грн
1000+10.10 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
ZUMT720TA ZUMT720.pdf
ZUMT720TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANS PNP 40V 0.75A SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 100mA, 750mA
Current - Collector Cutoff (Max): 10nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 90 @ 500mA, 2V
Frequency - Transition: 220MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Current - Collector (Ic) (Max): 750 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40 V
Power - Max: 500 mW
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.71 грн
13+25.10 грн
100+17.44 грн
500+12.78 грн
1000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ZUMT918TA zumt918.pdf
ZUMT918TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: TRANSISTOR NPN 15V 100MA SC70-3
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N02FTA ZXM61N02F.pdf
ZXM61N02FTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 1.7A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.7A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 180mOhm @ 930mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 160 pF @ 15 V
на замовлення 57215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+44.82 грн
12+26.86 грн
100+17.18 грн
500+12.20 грн
1000+10.93 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61N03FTA description ZXM61N03F.pdf
ZXM61N03FTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 30V 1.4A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 910mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.1 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 25 V
на замовлення 67669 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+53.12 грн
11+31.65 грн
100+20.33 грн
500+14.53 грн
1000+13.06 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64N02XTA ZXM64N02X.pdf
ZXM64N02XTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 20V 5.4A 8-MSOP
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C02XTA ZXMD63C02X.pdf
ZXMD63C02XTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 20V 8-MSOP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63C03XTA ZXMD63C03X.pdf
ZXMD63C03XTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N/P-CH 30V 8-MSOP
на замовлення 13602000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N02XTA ZXMD63N02X.pdf
ZXMD63N02XTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8-MSOP
на замовлення 483345000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
ZXMD63N03XTA ZXMD63N03X.pdf
ZXMD63N03XTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET 2N-CH 30V 2.3A 8-MSOP
на замовлення 4715 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+178.45 грн
10+153.94 грн
100+123.71 грн
500+95.39 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P02FTA description ZXM61P02F.pdf
ZXM61P02FTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 900MA SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 900mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 610mA, 4.5V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1.5V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 3.5 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 150 pF @ 15 V
на замовлення 124882 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+43.16 грн
13+25.58 грн
100+16.38 грн
500+11.61 грн
1000+10.39 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM61P03FTA ZXM61P03F.pdf
ZXM61P03FTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 30V 1.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 350mOhm @ 600mA, 10V
Power Dissipation (Max): 625mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-23-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 4.8 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 140 pF @ 25 V
на замовлення 612692 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
11+30.71 грн
18+18.38 грн
100+14.67 грн
500+13.17 грн
1000+11.92 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM64P02XTA ZXM64P02X.pdf
ZXM64P02XTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 3.5A 8MSOP
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width)
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 90mOhm @ 2.4A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: 8-MSOP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 6.9 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 900 pF @ 15 V
на замовлення 9645 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+101.26 грн
10+80.01 грн
100+62.22 грн
500+49.49 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
ZMV829ATA 830%20Series.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE VAR CAP 8.2PF 25V SOD-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZMV831ATA 830%20Series.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE VAR CAP 15PF 25V SOD-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZMV832ATA 830%20Series.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE VAR CAP 22PF 25V SOD-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZMV833ATA 830%20Series.pdf
ZMV833ATA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE VAR CAP 33PF 25V SOD-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZMV834ATA 830%20Series.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE VAR CAP 47PF 25V SOD-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZMV835ATA 830%20Series.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE VAR CAP 68PF 25V SOD-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZMV930TA 930series.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE VAR CAP 8.7PF 12V SOD-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZMV931TA 930series.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE VAR CAP 14.5PF 12V SOD-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZMV932TA 930series.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE VAR CAP 17PF 12V SOD-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZMV933ATA 930series.pdf
ZMV933ATA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE VAR CAP 42PF 12V SOD-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-76, SOD-323
Mounting Type: Surface Mount
Diode Type: Single
Capacitance @ Vr, F: 12pF @ 4V, 50MHz
Q @ Vr, F: 150 @ 4V, 50MHz
Supplier Device Package: SOD-323
Voltage - Peak Reverse (Max): 12 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZMV933TA 930series.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE VAR CAP 42PF 12V SOD-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZMV934ATA 930series.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE VAR CAP 95PF 12V SOD-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZMV934TA 930series.pdf
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE VAR CAP 95PF 12V SOD-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P02E6TA ZXM62P02E6.pdf
ZXM62P02E6TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 84000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+18.82 грн
6000+17.90 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
ZXM62P02E6TA ZXM62P02E6.pdf
ZXM62P02E6TA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 20V 2.3A SOT23-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOT-23-6
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.3A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 200mOhm @ 1.6A, 4.5V
Power Dissipation (Max): 1.1W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 700mV @ 250µA (Min)
Supplier Device Package: SOT-23-6
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 2.7V, 4.5V
Vgs (Max): ±12V
Drain to Source Voltage (Vdss): 20 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 5.8 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 320 pF @ 15 V
на замовлення 88362 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
7+54.78 грн
10+45.56 грн
100+31.58 грн
500+24.76 грн
1000+21.08 грн
Мінімальне замовлення: 7
В кошику  од. на суму  грн.
ZVP2120GTA ZVP2120G.pdf
ZVP2120GTA
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET P-CH 200V 200MA SOT223
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-261-4, TO-261AA
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 25Ohm @ 150mA, 10V
Power Dissipation (Max): 2W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 1mA
Supplier Device Package: SOT-223-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 100 pF @ 25 V
на замовлення 34629 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6+55.61 грн
10+46.44 грн
100+32.14 грн
500+25.20 грн
Мінімальне замовлення: 6
В кошику  од. на суму  грн.
B1100-13 ds30018.pdf
B1100-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 100V 1A SMA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B520C-13 B520C-B560C.pdf
B520C-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 20V 5A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 20 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 20 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B530C-13 B520C-B560C.pdf
B530C-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 30V 5A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 30 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B540C-13 B520C-B560C.pdf
B540C-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 40V 5A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 40 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 550 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B550C-13 B520C-B560C.pdf
B550C-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 50V 5A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 125°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
B560C-13 B520C-B560C.pdf
B560C-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SCHOTTKY 60V 5A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Technology: Schottky
Capacitance @ Vr, F: 300pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 5A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 60 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 700 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 500 µA @ 60 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2A-13 ES2AA%2CBA%2CCA%2CDA.pdf
ES2A-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SUPERFST SMB 50V 20NS 150C
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2B-13 ES2AA%2CBA%2CCA%2CDA.pdf
ES2B-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE STANDARD 100V 2A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2C-13 ES2AA%2CBA%2CCA%2CDA.pdf
ES2C-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE SUPERFAST SMB 150V 20NS
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES2D-13 ES2AA,BA,CA,DA.pdf
ES2D-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE GEN PURP 200V 2A SMB
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AA, SMB
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 25pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 2A
Supplier Device Package: SMB
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 2 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES3A-13 ES3A%20D.pdf
ES3A-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE STANDARD 50V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES3B-13 ES3A%20D.pdf
ES3B-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE STANDARD 100V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 100 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES3C-13 ES3A%20D.pdf
ES3C-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE STANDARD 150V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 150 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 150 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
ES3D-13 ES3A%20D.pdf
ES3D-13
Виробник: Diodes Incorporated
Description: DIODE STANDARD 200V 3A SMC
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-214AB, SMC
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 45pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: SMC
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Discontinued at Digi-Key
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 900 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ10005 ds21218.pdf
GBJ10005
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 10A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ1001 ds21218.pdf
GBJ1001
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 10A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ1002 ds21218.pdf
GBJ1002
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 10A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ1004 ds21218.pdf
GBJ1004
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 10A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 10 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ1501 ds21219.pdf
GBJ1501
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 15A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 100 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 100 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ1502 ds21219.pdf
GBJ1502
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 15A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 200 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ1504 ds21219.pdf
GBJ1504
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 15A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 15 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 7.5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ20005 ds21220.pdf
GBJ20005
Виробник: Diodes Incorporated
Description: RECT BRIDGE GPP 50V 20A GBJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ2001 ds21220.pdf
GBJ2001
Виробник: Diodes Incorporated
Description: RECT BRIDGE GPP 100V 20A GBJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ2002 ds21220.pdf
GBJ2002
Виробник: Diodes Incorporated
Description: RECT BRIDGE GPP 200V 20A GBJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ2004 GBJ20005~GBJ2010.pdf
GBJ2004
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 400V 20A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 400 V
Current - Average Rectified (Io): 20 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.05 V @ 10 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 400 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ6005 ds21216.pdf
GBJ6005
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 50V 6A GBJ
Packaging: Tube
Package / Case: 4-SIP, GBJ
Mounting Type: Through Hole
Diode Type: Single Phase
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Technology: Standard
Supplier Device Package: GBJ
Voltage - Peak Reverse (Max): 50 V
Current - Average Rectified (Io): 6 A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 50 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ601 ds21216.pdf
GBJ601
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A GBJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
GBJ602 ds21216.pdf
GBJ602
Виробник: Diodes Incorporated
Description: BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A GBJ
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:    << Попередня Сторінка ]  1 20 21 22 23 24 25 26 27 28 29 30 124 248 372 496 620 744 868 992 1116 1240 1246  Наступна Сторінка >> ]