| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 1.5KE10CA | LGE |
Transient Voltage Suppressor 1.5KE10CA DO-27 1,5kW, 10V, bidirectional DT1.5KE10CA DT1.5KE10CA qкількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 910 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 1.5KE15CA | LGE |
Transient Voltage Suppressor 1.5KE15CA DO-27 1,5kW, 15V, bidirectional DT1.5KE15CA DT1.5KE15CA qкількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 1250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 1.5KE20A | LGE |
Transient Voltage Suppressor 1.5KE20A DO-27 1,5kW, 20V, unidirectional DT1.5KE20A DT1.5KE20A qкількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 650 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 1.5KE20A | LGE |
Сапресор вивідний; W, Вт = 1 500; Uроб, В = 20; Iпульс, А = 56; Uпр, В = 21; Uфікс., В = 27,7; Поляр. = однонапрямлена; Тексп, °C = -55...+175; DO-201 |
на замовлення 490 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 1.5KE6.8A | LGE |
Transient Voltage Suppressor 1.5KE6.8A DO-27 1,5kW, 6,8V, unidirectional DT1.5KE6.8A DT1.5KE6.8A qкількість в упаковці: 1250 шт |
на замовлення 950 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 1.5SMCJ15CA | LGE |
(polish version) 1.5SMCJ15CA DO214AB(SM-C) 1,5kW, 15V, dwukierunkowa DT1.5SMCJ15CAкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1550 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 10A10 | LGE |
10A; 1000V; packaging: ammo; 10A10 diode rectifying DP 10A10 q |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 10MQ40N DO214AC-SMA LGE | LGE |
2A; 40V; package: tape/reel diode Schottky 10MQ40N DO214AC-SMA LGE DS 10MQ40N q кількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 10MQ60N DO214AC-SMA LGE | LGE |
2A; 60V; package: tape/reel diode Schottky 10MQ60N DO214AC-SMA LGE DS 10MQ60N q кількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 10N65 | LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 200 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 10N65 | LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 12N65 | LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 12A; 0,54Ohm; 33.2W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65; LNF12N65; PTF12N65; SLF12N65C; CEF12N65; RS12N65F; AOTF12N65; BRFL12N65; SMF12N65; LNDN12N65; кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 137 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 15MQ040N | LGE |
3A; 40V; package: reel; 15MQ040NTR diode Schottky DS 15MQ040Nкількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 4063 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 1N4002 | LGE |
1A; 100V; packaging: ammo; 1N4002 diode rectifying DP 1N4002кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 7400 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 1N4004 | LGE |
1A; 400V; packaging: ammo; 1N4004 diode rectifying DP 1N4004кількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 4990 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 1N4005 | LGE |
1A; 600V; packaging: ammo; 1N4005 diode rectifying DP 1N4005кількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 1N4007 | LGE |
1A; 1000V; packaging: ammo; 1N4007 diode rectifying DP 1N4007 qкількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 44420 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 1N4007 | LGE |
1A; 1000V; packaging: ammo; 1N4007 diode rectifying DP 1N4007 qкількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 1N4007 | LGE |
1A; 1000V; packaging: ammo; 1N4007 diode rectifying DP 1N4007 qкількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 1N4007 | LGE |
1A; 1000V; packaging: ammo; 1N4007 diode rectifying DP 1N4007 qкількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 50000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 1N4148 | LGE |
0,15A; 75V; <4ns packaging: ammo 1N4148 switching diode DI1N4148 LGEкількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 1N4148 | LGE |
0,15A; 75V; <4ns packaging: ammo 1N4148 switching diode DI1N4148 LGEкількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 30000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 1N4148 | LGE |
0,15A; 75V; <4ns packaging: ammo 1N4148 switching diode DI1N4148 LGEкількість в упаковці: 5000 шт |
на замовлення 1300 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 1N4148 | LGE |
0,15A; 75V; <4ns packaging: ammo 1N4148 switching diode DI1N4148 LGE |
на замовлення 20000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 1N4148W SOD123 LGE | LGE |
0,15A; 75V; SMD; 0,35W; 4ns; packaging: tape&reel 1N4148W SOD123 LGE DI1N4148w sod123 LGE кількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 1N4448 | LGE |
Імпульсний діод вивідний; Ur, В = 100; Iо, A = 0,15; If, A = 0,15; Uf, В = 1; Тексп, °С = -65...+175; DO-35 |
на замовлення 2384 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 1N5338BRLG | LGE |
5W; 5,1V; packaging: ammo; 1N5338B zener diode DZ 5V1.N53кількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 5370 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 1N5341B | LGE |
5W; 6,2V; packaging: ammo; 1N5341B zener diode DZ 6V2.N53кількість в упаковці: 1250 шт |
на замовлення 2067 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
|
1N5341BRLG (017AA-01, ON) Код товару: 37629
Додати до обраних
Обраний товар
|
LGE |
Діоди, діодні мости, стабілітрони > СтабілітрониКорпус: 017AA-01 Монтаж: THT |
товару немає в наявності
|
|
||||||||
| 1N5399 | LGE |
1,5A; 1000V; packaging: ammo; 1N5399 diode rectifying DP 1N5399 qкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 1N5407 | LGE |
3A; 800V; packaging: ammo; 1N5407 DO27 LGE DP 1N5407 LGEкількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 970 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 1N5408 | LGE |
3A; 1000V; packaging: ammo; equivalent: 30S10; 3E10; CPR3-100; GP30M 1N5408 diode rectifying DP 1N5408 qкількість в упаковці: 1250 шт |
на замовлення 450 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 1N5817 DO41 LGE | LGE |
1A; 20V; package: ammo diode Schottky 1N5817 DO41 LGE DS 1N5817 q кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 2250 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 1N5818 | LGE |
1A; 30V; package: ammo diode Schottky 1N5818 DO41 LGE DS 1N5818 qкількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 1N5818 DO41 LGE | LGE |
1A; 30V; package: ammo diode Schottky 1N5818 DO41 LGE DS 1N5818 q кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 450 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 1N5819M | LGE |
1A; 40V package: reel; nearest equivalent:B140; DFLS140 SM5819 1N5819M diode Schottky DS 1N5819M кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 1N5822 | LGE |
3A/80AP; 40V package: ammo; 1N5822 diode Schottky DS 1N5822 qкількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 1824 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 1N5822 | LGE |
3A/80AP; 40V package: ammo; 1N5822 diode Schottky DS 1N5822 qкількість в упаковці: 250 шт |
на замовлення 5000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 1SMB5927B | LGE |
3W; 12V; 5% packaging: tape&reel 1SMB5927BT3G DZ12V0.SMB smdкількість в упаковці: 3000 шт |
на замовлення 917 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 2N3055 TO-3P | LGE |
Tranzystor NPN; 70; 100V; 70V; 2,5MHz; 15A; 115W; -65°C~200°C; 2N3055 TO247 LGE T2N3055 to247 LGE кількість в упаковці: 30 шт |
на замовлення 90 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 2N3055 TO-3P | LGE |
Tranzystor NPN; 70; 100V; 70V; 2,5MHz; 15A; 115W; -65°C~200°C; 2N3055 TO247 LGE T2N3055 to247 LGE кількість в упаковці: 30 шт |
на замовлення 197 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 2N3055 TO-3P | LGE |
Tranzystor NPN; 70; 100V; 70V; 2,5MHz; 15A; 115W; -65°C~200°C; 2N3055 TO247 LGE T2N3055 to247 LGE кількість в упаковці: 30 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 2N3055 TO-3P | LGE |
Tranzystor NPN; 70; 100V; 70V; 2,5MHz; 15A; 115W; -65°C~200°C; 2N3055 TO247 LGE T2N3055 to247 LGE кількість в упаковці: 30 шт |
на замовлення 1800 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 2N3906 | LGE |
PNP 200mA 40V 350mW 250MHz Replacement: 2N3905 2N3906 T2N3906 |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2N5400 | LGE |
Transistor PNP; bipolar; Darlington; 120V; 0,6A; 625mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N5400-LGE; 2N5400 LGE T2N5400 LGEкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 2N5550 | LGE |
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold 2N5550G 2N5550RLRPG 2N5550TA 2N5550TAR 2N5550TFR 2N5550-LGE 2N5550 T2N5550кількість в упаковці: 500 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 2N7000 | LGE |
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 fкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 5380 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 2N7000 | LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGEкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 1100 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 2N7000 | LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2N7002W | LGE |
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Rds = 7,5 Ом; Р, Вт = 0,225; Тексп, °C = -55...+150; SOT-323-3 |
на замовлення 1877 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2N7002W | LGE |
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 50V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7002W-LGE; 2N7002W T2N7002W LGEкількість в упаковці: 1000 шт |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 2SA1013 | LGE | 160V 500mW 320@200mA,5V 1A PNP SOT-89-3L Bipolar (BJT) 2SA1013 SOT89 T2SA1013 |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SA1013 | LGE | Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 900mW; TO92 Substitute: 2SA1013-LGE; 2SA1013 TO92 LGE T2SA1013 TO92 LGE |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SA1020 | LGE |
Transistor PNP; Bipolar; Darlington; 240; -50V; -5V; 100MHz; -2A; 900mW; -55°C~150°C; 2SA1020-LGE; CJ 2SA1020(RANGE:120-240); UTC 2SA1020L-Y-T9N-B; 2SA1020 T2SA1020 LGEкількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 500 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 2SA1037 | LGE | Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 200mW; SOT23 2SA1037-LGE 2SA1037 SOT23 LGE T2SA1037 LGE |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SA720 | LGE | Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0,5A; 0,625W; TO92 Substitute: 2SA720-LGE; 2SA720 TO92 LGE T2SA720 LGE |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | |||||||||
| 2SA970 | LGE |
PNP 0,1A 120V 0,3W 100MHz 2SA970 T2SA970 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 1000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 2SA970 | LGE |
PNP 0,1A 120V 0,3W 100MHz 2SA970 T2SA970 кількість в упаковці: 50 шт |
на замовлення 180 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 2SB772 | LGE |
PNP 3A 30V 10W 80MHz 160 < beta < 320 2SB772P T2SB772кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 2355 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
|||||||||
| 2SB772 | LGE |
PNP 3A 30V 10W 80MHz 160 < beta < 320 2SB772P T2SB772кількість в упаковці: 100 шт |
на замовлення 9000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|
| 1.5KE10CA |
![]() |
Виробник: LGE
Transient Voltage Suppressor 1.5KE10CA DO-27 1,5kW, 10V, bidirectional DT1.5KE10CA DT1.5KE10CA q
кількість в упаковці: 50 шт
Transient Voltage Suppressor 1.5KE10CA DO-27 1,5kW, 10V, bidirectional DT1.5KE10CA DT1.5KE10CA q
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 910 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 150+ | 5.01 грн |
| 1.5KE15CA |
![]() |
Виробник: LGE
Transient Voltage Suppressor 1.5KE15CA DO-27 1,5kW, 15V, bidirectional DT1.5KE15CA DT1.5KE15CA q
кількість в упаковці: 250 шт
Transient Voltage Suppressor 1.5KE15CA DO-27 1,5kW, 15V, bidirectional DT1.5KE15CA DT1.5KE15CA q
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 6.83 грн |
| 1.5KE20A |
![]() |
Виробник: LGE
Transient Voltage Suppressor 1.5KE20A DO-27 1,5kW, 20V, unidirectional DT1.5KE20A DT1.5KE20A q
кількість в упаковці: 250 шт
Transient Voltage Suppressor 1.5KE20A DO-27 1,5kW, 20V, unidirectional DT1.5KE20A DT1.5KE20A q
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 650 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 6.86 грн |
| 1.5KE20A |
![]() |
Виробник: LGE
Сапресор вивідний; W, Вт = 1 500; Uроб, В = 20; Iпульс, А = 56; Uпр, В = 21; Uфікс., В = 27,7; Поляр. = однонапрямлена; Тексп, °C = -55...+175; DO-201
Сапресор вивідний; W, Вт = 1 500; Uроб, В = 20; Iпульс, А = 56; Uпр, В = 21; Uфікс., В = 27,7; Поляр. = однонапрямлена; Тексп, °C = -55...+175; DO-201
на замовлення 490 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 1.5KE6.8A |
![]() |
Виробник: LGE
Transient Voltage Suppressor 1.5KE6.8A DO-27 1,5kW, 6,8V, unidirectional DT1.5KE6.8A DT1.5KE6.8A q
кількість в упаковці: 1250 шт
Transient Voltage Suppressor 1.5KE6.8A DO-27 1,5kW, 6,8V, unidirectional DT1.5KE6.8A DT1.5KE6.8A q
кількість в упаковці: 1250 шт
на замовлення 950 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1250+ | 5.37 грн |
| 1.5SMCJ15CA |
![]() |
Виробник: LGE
(polish version) 1.5SMCJ15CA DO214AB(SM-C) 1,5kW, 15V, dwukierunkowa DT1.5SMCJ15CA
кількість в упаковці: 500 шт
(polish version) 1.5SMCJ15CA DO214AB(SM-C) 1,5kW, 15V, dwukierunkowa DT1.5SMCJ15CA
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1550 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 6.10 грн |
| 10A10 |
![]() |
Виробник: LGE
10A; 1000V; packaging: ammo; 10A10 diode rectifying DP 10A10 q
10A; 1000V; packaging: ammo; 10A10 diode rectifying DP 10A10 q
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 10MQ40N DO214AC-SMA LGE |
Виробник: LGE
2A; 40V; package: tape/reel diode Schottky 10MQ40N DO214AC-SMA LGE DS 10MQ40N q
кількість в упаковці: 5000 шт
2A; 40V; package: tape/reel diode Schottky 10MQ40N DO214AC-SMA LGE DS 10MQ40N q
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 3.25 грн |
| 10MQ60N DO214AC-SMA LGE |
Виробник: LGE
2A; 60V; package: tape/reel diode Schottky 10MQ60N DO214AC-SMA LGE DS 10MQ60N q
кількість в упаковці: 5000 шт
2A; 60V; package: tape/reel diode Schottky 10MQ60N DO214AC-SMA LGE DS 10MQ60N q
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 3.25 грн |
| 10N65 |
Виробник: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 24.81 грн |
| 10N65 |
Виробник: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 10A; 0,63Ohm; 27.5W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 10N65-LGE; 10N65 T10N65F LGE
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 24.81 грн |
| 12N65 |
Виробник: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 12A; 0,54Ohm; 33.2W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65; LNF12N65; PTF12N65; SLF12N65C; CEF12N65; RS12N65F; AOTF12N65; BRFL12N65; SMF12N65; LNDN12N65;
кількість в упаковці: 50 шт
Transistor N-Channel MOSFET; Unipolar; 650V; 12A; 0,54Ohm; 33.2W; -55°C ~ 150°C; Substitute: 12N65-LGE; PTA12N65; 12N65F; DM12N65E; LNE12N65; SW12N65; LND12N65; LNF12N65; PTF12N65; SLF12N65C; CEF12N65; RS12N65F; AOTF12N65; BRFL12N65; SMF12N65; LNDN12N65;
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 137 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 50+ | 26.78 грн |
| 15MQ040N | ![]() |
![]() |
Виробник: LGE
3A; 40V; package: reel; 15MQ040NTR diode Schottky DS 15MQ040N
кількість в упаковці: 5000 шт
3A; 40V; package: reel; 15MQ040NTR diode Schottky DS 15MQ040N
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 4063 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 3.39 грн |
| 1N4002 |
![]() |
Виробник: LGE
1A; 100V; packaging: ammo; 1N4002 diode rectifying DP 1N4002
кількість в упаковці: 500 шт
1A; 100V; packaging: ammo; 1N4002 diode rectifying DP 1N4002
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 7400 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 0.59 грн |
| 1N4004 |
![]() |
Виробник: LGE
1A; 400V; packaging: ammo; 1N4004 diode rectifying DP 1N4004
кількість в упаковці: 5000 шт
1A; 400V; packaging: ammo; 1N4004 diode rectifying DP 1N4004
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 4990 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 0.89 грн |
| 1N4005 |
![]() |
Виробник: LGE
1A; 600V; packaging: ammo; 1N4005 diode rectifying DP 1N4005
кількість в упаковці: 5000 шт
1A; 600V; packaging: ammo; 1N4005 diode rectifying DP 1N4005
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 0.54 грн |
| 1N4007 |
![]() |
Виробник: LGE
1A; 1000V; packaging: ammo; 1N4007 diode rectifying DP 1N4007 q
кількість в упаковці: 5000 шт
1A; 1000V; packaging: ammo; 1N4007 diode rectifying DP 1N4007 q
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 44420 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 0.67 грн |
| 1N4007 |
![]() |
Виробник: LGE
1A; 1000V; packaging: ammo; 1N4007 diode rectifying DP 1N4007 q
кількість в упаковці: 5000 шт
1A; 1000V; packaging: ammo; 1N4007 diode rectifying DP 1N4007 q
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 0.67 грн |
| 1N4007 |
![]() |
Виробник: LGE
1A; 1000V; packaging: ammo; 1N4007 diode rectifying DP 1N4007 q
кількість в упаковці: 5000 шт
1A; 1000V; packaging: ammo; 1N4007 diode rectifying DP 1N4007 q
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 0.67 грн |
| 1N4007 |
![]() |
Виробник: LGE
1A; 1000V; packaging: ammo; 1N4007 diode rectifying DP 1N4007 q
кількість в упаковці: 5000 шт
1A; 1000V; packaging: ammo; 1N4007 diode rectifying DP 1N4007 q
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 50000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 0.67 грн |
| 1N4148 |
![]() |
Виробник: LGE
0,15A; 75V; <4ns packaging: ammo 1N4148 switching diode DI1N4148 LGE
кількість в упаковці: 5000 шт
0,15A; 75V; <4ns packaging: ammo 1N4148 switching diode DI1N4148 LGE
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 0.40 грн |
| 1N4148 |
![]() |
Виробник: LGE
0,15A; 75V; <4ns packaging: ammo 1N4148 switching diode DI1N4148 LGE
кількість в упаковці: 5000 шт
0,15A; 75V; <4ns packaging: ammo 1N4148 switching diode DI1N4148 LGE
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 0.40 грн |
| 1N4148 |
![]() |
Виробник: LGE
0,15A; 75V; <4ns packaging: ammo 1N4148 switching diode DI1N4148 LGE
кількість в упаковці: 5000 шт
0,15A; 75V; <4ns packaging: ammo 1N4148 switching diode DI1N4148 LGE
кількість в упаковці: 5000 шт
на замовлення 1300 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 5000+ | 0.40 грн |
| 1N4148 |
![]() |
Виробник: LGE
0,15A; 75V; <4ns packaging: ammo 1N4148 switching diode DI1N4148 LGE
0,15A; 75V; <4ns packaging: ammo 1N4148 switching diode DI1N4148 LGE
на замовлення 20000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 1N4148W SOD123 LGE |
Виробник: LGE
0,15A; 75V; SMD; 0,35W; 4ns; packaging: tape&reel 1N4148W SOD123 LGE DI1N4148w sod123 LGE
кількість в упаковці: 3000 шт
0,15A; 75V; SMD; 0,35W; 4ns; packaging: tape&reel 1N4148W SOD123 LGE DI1N4148w sod123 LGE
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 0.57 грн |
| 1N4448 |
![]() |
Виробник: LGE
Імпульсний діод вивідний; Ur, В = 100; Iо, A = 0,15; If, A = 0,15; Uf, В = 1; Тексп, °С = -65...+175; DO-35
Імпульсний діод вивідний; Ur, В = 100; Iо, A = 0,15; If, A = 0,15; Uf, В = 1; Тексп, °С = -65...+175; DO-35
на замовлення 2384 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 1N5338BRLG | ![]() |
![]() |
на замовлення 5370 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 8.73 грн |
| 1N5341B |
![]() |
на замовлення 2067 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1250+ | 7.15 грн |
| 1N5341BRLG (017AA-01, ON) Код товару: 37629
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 20.00 грн |
| 10+ | 10.80 грн |
| 100+ | 9.70 грн |
| 1000+ | 8.80 грн |
| 1N5399 |
![]() |
Виробник: LGE
1,5A; 1000V; packaging: ammo; 1N5399 diode rectifying DP 1N5399 q
кількість в упаковці: 3000 шт
1,5A; 1000V; packaging: ammo; 1N5399 diode rectifying DP 1N5399 q
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.22 грн |
| 1N5407 |
![]() |
на замовлення 970 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.17 грн |
| 1N5408 |
![]() |
Виробник: LGE
3A; 1000V; packaging: ammo; equivalent: 30S10; 3E10; CPR3-100; GP30M 1N5408 diode rectifying DP 1N5408 q
кількість в упаковці: 1250 шт
3A; 1000V; packaging: ammo; equivalent: 30S10; 3E10; CPR3-100; GP30M 1N5408 diode rectifying DP 1N5408 q
кількість в упаковці: 1250 шт
на замовлення 450 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1250+ | 2.40 грн |
| 1N5817 DO41 LGE |
Виробник: LGE
1A; 20V; package: ammo diode Schottky 1N5817 DO41 LGE DS 1N5817 q
кількість в упаковці: 500 шт
1A; 20V; package: ammo diode Schottky 1N5817 DO41 LGE DS 1N5817 q
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 2250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 0.84 грн |
| 1N5818 |
![]() |
Виробник: LGE
1A; 30V; package: ammo diode Schottky 1N5818 DO41 LGE DS 1N5818 q
кількість в упаковці: 500 шт
1A; 30V; package: ammo diode Schottky 1N5818 DO41 LGE DS 1N5818 q
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 0.89 грн |
| 1N5818 DO41 LGE |
Виробник: LGE
1A; 30V; package: ammo diode Schottky 1N5818 DO41 LGE DS 1N5818 q
кількість в упаковці: 500 шт
1A; 30V; package: ammo diode Schottky 1N5818 DO41 LGE DS 1N5818 q
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 450 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 1.42 грн |
| 1N5819M |
Виробник: LGE
1A; 40V package: reel; nearest equivalent:B140; DFLS140 SM5819 1N5819M diode Schottky DS 1N5819M
кількість в упаковці: 500 шт
1A; 40V package: reel; nearest equivalent:B140; DFLS140 SM5819 1N5819M diode Schottky DS 1N5819M
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 2.48 грн |
| 1N5822 |
![]() |
Виробник: LGE
3A/80AP; 40V package: ammo; 1N5822 diode Schottky DS 1N5822 q
кількість в упаковці: 250 шт
3A/80AP; 40V package: ammo; 1N5822 diode Schottky DS 1N5822 q
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 1824 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 3.50 грн |
| 1N5822 |
![]() |
Виробник: LGE
3A/80AP; 40V package: ammo; 1N5822 diode Schottky DS 1N5822 q
кількість в упаковці: 250 шт
3A/80AP; 40V package: ammo; 1N5822 diode Schottky DS 1N5822 q
кількість в упаковці: 250 шт
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 250+ | 3.50 грн |
| 1SMB5927B |
![]() |
Виробник: LGE
3W; 12V; 5% packaging: tape&reel 1SMB5927BT3G DZ12V0.SMB smd
кількість в упаковці: 3000 шт
3W; 12V; 5% packaging: tape&reel 1SMB5927BT3G DZ12V0.SMB smd
кількість в упаковці: 3000 шт
на замовлення 917 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.31 грн |
| 2N3055 TO-3P |
Виробник: LGE
Tranzystor NPN; 70; 100V; 70V; 2,5MHz; 15A; 115W; -65°C~200°C; 2N3055 TO247 LGE T2N3055 to247 LGE
кількість в упаковці: 30 шт
Tranzystor NPN; 70; 100V; 70V; 2,5MHz; 15A; 115W; -65°C~200°C; 2N3055 TO247 LGE T2N3055 to247 LGE
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 90 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 31.31 грн |
| 2N3055 TO-3P |
Виробник: LGE
Tranzystor NPN; 70; 100V; 70V; 2,5MHz; 15A; 115W; -65°C~200°C; 2N3055 TO247 LGE T2N3055 to247 LGE
кількість в упаковці: 30 шт
Tranzystor NPN; 70; 100V; 70V; 2,5MHz; 15A; 115W; -65°C~200°C; 2N3055 TO247 LGE T2N3055 to247 LGE
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 197 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 31.31 грн |
| 2N3055 TO-3P |
Виробник: LGE
Tranzystor NPN; 70; 100V; 70V; 2,5MHz; 15A; 115W; -65°C~200°C; 2N3055 TO247 LGE T2N3055 to247 LGE
кількість в упаковці: 30 шт
Tranzystor NPN; 70; 100V; 70V; 2,5MHz; 15A; 115W; -65°C~200°C; 2N3055 TO247 LGE T2N3055 to247 LGE
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 31.31 грн |
| 2N3055 TO-3P |
Виробник: LGE
Tranzystor NPN; 70; 100V; 70V; 2,5MHz; 15A; 115W; -65°C~200°C; 2N3055 TO247 LGE T2N3055 to247 LGE
кількість в упаковці: 30 шт
Tranzystor NPN; 70; 100V; 70V; 2,5MHz; 15A; 115W; -65°C~200°C; 2N3055 TO247 LGE T2N3055 to247 LGE
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 1800 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 30+ | 31.31 грн |
| 2N3906 |
![]() |
Виробник: LGE
PNP 200mA 40V 350mW 250MHz Replacement: 2N3905 2N3906 T2N3906
PNP 200mA 40V 350mW 250MHz Replacement: 2N3905 2N3906 T2N3906
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2N5400 |
![]() |
Виробник: LGE
Transistor PNP; bipolar; Darlington; 120V; 0,6A; 625mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N5400-LGE; 2N5400 LGE T2N5400 LGE
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor PNP; bipolar; Darlington; 120V; 0,6A; 625mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N5400-LGE; 2N5400 LGE T2N5400 LGE
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 400+ | 1.45 грн |
| 2N5550 | ![]() |
![]() |
Виробник: LGE
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold 2N5550G 2N5550RLRPG 2N5550TA 2N5550TAR 2N5550TFR 2N5550-LGE 2N5550 T2N5550
кількість в упаковці: 500 шт
Trans GP BJT NPN 140V 0.6A 625mW 3-Pin TO-92 Fan-Fold 2N5550G 2N5550RLRPG 2N5550TA 2N5550TAR 2N5550TFR 2N5550-LGE 2N5550 T2N5550
кількість в упаковці: 500 шт
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 1.04 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: LGE
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
кількість в упаковці: 100 шт
N-MOSFET 190mA 60V 250mW 2N7000 TO92(ammo, formed PIN) LGE T2N7000 f
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 5380 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 2.11 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 2.35 грн |
| 2N7000 |
![]() |
Виробник: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
Transistor N-Channel MOSFET; 60V; 6Ohm; 200mA; 350mW; -55°C ~ 150°C; 2N7000-LGE; 2N7000 T2N7000 LGE
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2N7002W |
![]() |
Виробник: LGE
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Rds = 7,5 Ом; Р, Вт = 0,225; Тексп, °C = -55...+150; SOT-323-3
N-канальний ПТ; Udss, В = 60; Id = 115 мА; Rds = 7,5 Ом; Р, Вт = 0,225; Тексп, °C = -55...+150; SOT-323-3
на замовлення 1877 шт:
термін постачання 3 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2N7002W |
![]() |
Виробник: LGE
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 50V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7002W-LGE; 2N7002W T2N7002W LGE
кількість в упаковці: 1000 шт
Transistor N-Channel MOSFET; unipolar; 60V; 50V; 7,5Ohm; 115mA; 225mW; -55°C ~ 150°C; Substitute: 2N7002W-LGE; 2N7002W T2N7002W LGE
кількість в упаковці: 1000 шт
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1000+ | 1.69 грн |
| 2SA1013 |
Виробник: LGE
160V 500mW 320@200mA,5V 1A PNP SOT-89-3L Bipolar (BJT) 2SA1013 SOT89 T2SA1013
160V 500mW 320@200mA,5V 1A PNP SOT-89-3L Bipolar (BJT) 2SA1013 SOT89 T2SA1013
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2SA1013 |
Виробник: LGE
Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 900mW; TO92 Substitute: 2SA1013-LGE; 2SA1013 TO92 LGE T2SA1013 TO92 LGE
Transistor: PNP; bipolar; 160V; 1A; 900mW; TO92 Substitute: 2SA1013-LGE; 2SA1013 TO92 LGE T2SA1013 TO92 LGE
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2SA1020 |
![]() |
Виробник: LGE
Transistor PNP; Bipolar; Darlington; 240; -50V; -5V; 100MHz; -2A; 900mW; -55°C~150°C; 2SA1020-LGE; CJ 2SA1020(RANGE:120-240); UTC 2SA1020L-Y-T9N-B; 2SA1020 T2SA1020 LGE
кількість в упаковці: 100 шт
Transistor PNP; Bipolar; Darlington; 240; -50V; -5V; 100MHz; -2A; 900mW; -55°C~150°C; 2SA1020-LGE; CJ 2SA1020(RANGE:120-240); UTC 2SA1020L-Y-T9N-B; 2SA1020 T2SA1020 LGE
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 500+ | 1.39 грн |
| 2SA1037 |
Виробник: LGE
Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 200mW; SOT23 2SA1037-LGE 2SA1037 SOT23 LGE T2SA1037 LGE
Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0.15A; 200mW; SOT23 2SA1037-LGE 2SA1037 SOT23 LGE T2SA1037 LGE
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2SA720 |
Виробник: LGE
Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0,5A; 0,625W; TO92 Substitute: 2SA720-LGE; 2SA720 TO92 LGE T2SA720 LGE
Transistor: PNP; bipolar; 50V; 0,5A; 0,625W; TO92 Substitute: 2SA720-LGE; 2SA720 TO92 LGE T2SA720 LGE
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)В кошику од. на суму грн.
| 2SA970 |
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 300+ | 2.15 грн |
| 2SA970 |
на замовлення 180 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 200+ | 2.84 грн |


