Продукція > MICROCHIP TECHNOLOGY > Всі товари виробника MICROCHIP TECHNOLOGY (338664) > Сторінка 3334 з 5645
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
ADM00809 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Microchip development kitsDescription: Dev.kit: Microchip; DC/DC converter; Components: MIC45404 Kind of module: DC/DC converter Type of development kit: Microchip Components: MIC45404 кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
ADM00974 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Microchip development kitsDescription: Dev.kit: Microchip; OLED; DC power/energy monitor Type of development kit: Microchip Kind of connector: USB A Kind of display used: OLED Components: PAC1934 Kind of module: DC power/energy monitor кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
![]() +1 |
ADM00995 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Microchip development kits Description: Dev.kit: Microchip; DC/DC converter; Components: MIC28517 Kind of connector: screw Kit contents: prototype board Kind of module: DC/DC converter Type of development kit: Microchip Components: MIC28517 Programmers and development kits features: DC/DC converter кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| ADM01097 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
ADM01097 Microchip development kits |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| ADM01123 | MICROCHIP TECHNOLOGY | ADM01123 Microchip development kits |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| APT1001RSVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT1001RSVRG SMD N channel transistors |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
APT10050LVFRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Case: TO264 Polarisation: unipolar Gate charge: 500nC On-state resistance: 0.5Ω Drain current: 21A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 520W Drain-source voltage: 1kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
APT10050LVRG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Mounting: THT Type of transistor: N-MOSFET Technology: POWER MOS 5® Case: TO264 Polarisation: unipolar Gate charge: 500nC On-state resistance: 0.5Ω Drain current: 21A Gate-source voltage: ±30V Pulsed drain current: 84A Power dissipation: 520W Drain-source voltage: 1kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
APT100DL60HJ | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Sing. ph. diode bridge rectif. - othersDescription: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 100A; screw; screw Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 100A Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Version: module Case: SOT227B Leads: M4 screws Technology: FRED Max. forward voltage: 2V Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 31 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
APT13GP120BDQ1G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 20A; 250W; TO247-3 Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 1.2kV Collector current: 20A Power dissipation: 250W Case: TO247-3 Gate-emitter voltage: ±20V Pulsed collector current: 50A Mounting: THT Gate charge: 55nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: POWER MOS 7®; PT Turn-on time: 21ns Turn-off time: 270ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 28 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| APT14F100B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT14F100B THT N channel transistors |
на замовлення 8 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| APT15D120KG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT15D120KG THT universal diodes |
на замовлення 294 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| APT15D60BCTG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT15D60BCTG THT universal diodes |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| APT15DQ100KG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT15DQ100KG THT universal diodes |
на замовлення 72 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| APT15DQ120BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT15DQ120BG THT universal diodes |
на замовлення 254 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| APT15DQ120KG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT15DQ120KG THT universal diodes |
на замовлення 443 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| APT15DQ60BCTG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT15DQ60BCTG THT universal diodes |
на замовлення 97 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| APT15DQ60BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT15DQ60BG THT universal diodes |
на замовлення 322 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| APT15DQ60KG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT15DQ60KG THT universal diodes |
на замовлення 108 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| APT15GP90BDQ1G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT15GP90BDQ1G THT IGBT transistors |
на замовлення 61 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| APT25GP120BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT25GP120BG THT IGBT transistors |
на замовлення 30 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| APT25GT120BRDQ2G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT25GT120BRDQ2G THT IGBT transistors |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| APT2X101DQ100J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT2X101DQ100J Diode modules |
на замовлення 4 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| APT2X101DQ120J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT2X101DQ120J Diode modules |
на замовлення 13 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
APT2X61D40J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Diode modulesDescription: Module: diode; double independent; 400V; If: 60Ax2; SOT227B; screw Technology: FRED Max. off-state voltage: 0.4kV Load current: 60A x2 Semiconductor structure: double independent Case: SOT227B Max. forward voltage: 1.6V Max. forward impulse current: 0.6kA Kind of package: tube Electrical mounting: screw Type of semiconductor module: diode Mechanical mounting: screw Max. load current: 99A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| APT30D20BCAG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT30D20BCAG THT universal diodes |
на замовлення 90 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| APT30DQ100BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT30DQ100BG THT universal diodes |
на замовлення 92 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| APT30DQ100KG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT30DQ100KG THT universal diodes |
на замовлення 403 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| APT30DQ120KG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT30DQ120KG THT universal diodes |
на замовлення 397 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
APT30DQ60BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 320A; TO247-2; FRED Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 30A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: fast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 0.32kA Case: TO247-2 Application: automotive industry Technology: FRED кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 71 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| APT30GP60BDQ1G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT30GP60BDQ1G THT IGBT transistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
APT30M19JVFR | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; single transistor; 300V; 130A; ISOTOP; screw; Idm: 520A Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 300V Drain current: 130A Case: ISOTOP Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 19mΩ Pulsed drain current: 520A Power dissipation: 700W Technology: POWER MOS V® Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Mechanical mounting: screw Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| APT30M75BFLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT30M75BFLLG THT N channel transistors |
на замовлення 48 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
APT30N60BC6 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3 Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 600V Drain current: 19A Case: TO247-3 Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 0.125Ω Mounting: THT Kind of package: tube Kind of channel: enhancement Power dissipation: 219W Pulsed drain current: 89A Technology: CoolMOS™ Gate charge: 88nC кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| APT30S20BCTG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT30S20BCTG THT Schottky diodes |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| APT35GP120B2DQ2G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT35GP120B2DQ2G THT IGBT transistors |
на замовлення 26 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| APT35GP120BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT35GP120BG THT IGBT transistors |
на замовлення 19 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
APT35GP120J | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 29A; SOT227B Technology: POWER MOS 7®; PT Type of semiconductor module: IGBT Case: SOT227B Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±30V Collector current: 29A Pulsed collector current: 140A Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| APT38F80B2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT38F80B2 THT N channel transistors |
на замовлення 21 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
APT40GP90B2DQ2G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT IGBT transistorsDescription: Transistor: IGBT; PT; 900V; 50A; 543W; T-Max Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 900V Collector current: 50A Power dissipation: 543W Case: T-Max Gate-emitter voltage: ±30V Pulsed collector current: 160A Mounting: THT Gate charge: 145nC Kind of package: tube Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode Technology: POWER MOS 7®; PT Turn-on time: 37ns Turn-off time: 0.22µs кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 29 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| APT43GA90BD30 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT43GA90BD30 THT IGBT transistors |
на замовлення 70 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| APT44F80B2 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT44F80B2 THT N channel transistors |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| APT44F80L | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT44F80L THT N channel transistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
APT4F120K | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT N channel transistorsDescription: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 15A; 225W; TO220-3 Mounting: THT Technology: POWER MOS 8® Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Pulsed drain current: 15A Drain current: 3A Gate charge: 43nC Power dissipation: 225W On-state resistance: 4.2Ω Gate-source voltage: ±30V Case: TO220-3 Kind of package: tube Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
товару немає в наявності |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||
| APT4M120K | MICROCHIP TECHNOLOGY | APT4M120K THT N channel transistors |
на замовлення 2 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
APT5010JVR | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Transistor modules MOSFETDescription: Module; single transistor; 500V; 44A; ISOTOP; screw; Idm: 176A; 450W Type of semiconductor module: MOSFET transistor Semiconductor structure: single transistor Drain-source voltage: 500V Drain current: 44A Case: ISOTOP Electrical mounting: screw Polarisation: unipolar On-state resistance: 0.1Ω Pulsed drain current: 176A Power dissipation: 450W Technology: POWER MOS 5® Gate-source voltage: ±30V Kind of package: tube Mechanical mounting: screw Kind of channel: enhancement кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| APT50GN60BDQ3G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT50GN60BDQ3G THT IGBT transistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| APT50GN60BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT50GN60BG THT IGBT transistors |
на замовлення 82 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| APT6025BLLG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT6025BLLG THT N channel transistors |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
APT60DF20HJ | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Sing. ph. diode bridge rectif. - othersDescription: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 60A; Ifsm: 500A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 200V Load current: 60A Max. forward impulse current: 0.5kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Version: module Case: SOT227B Leads: M4 screws Technology: FRED Max. forward voltage: 1.4V Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
APT60DF60HJ | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Sing. ph. diode bridge rectif. - othersDescription: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 60A; Ifsm: 500A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 0.6kV Load current: 60A Max. forward impulse current: 0.5kA Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Version: module Case: SOT227B Leads: M4 screws Technology: FRED Max. forward voltage: 2.3V Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 25 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| APT60DQ100BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT60DQ100BG THT universal diodes |
на замовлення 31 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
APT60DQ120BG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 60A; tube; Ifsm: 540A; TO247AC; FRED Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 60A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: ultrafast switching Kind of package: tube Max. forward impulse current: 540A Case: TO247AC Application: automotive industry Technology: FRED кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 76 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| APT60DQ60BCTG | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT60DQ60BCTG THT universal diodes |
на замовлення 88 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
APT75GP120JDQ3 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: IGBT modulesDescription: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B Technology: POWER MOS 7® Type of semiconductor module: IGBT Case: SOT227B Mechanical mounting: screw Electrical mounting: screw Semiconductor structure: single transistor Kind of package: tube Gate-emitter voltage: ±20V Collector current: 57A Pulsed collector current: 300A Power dissipation: 543W Max. off-state voltage: 1.2kV кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 5 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| APT75GT120JU3 | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT75GT120JU3 IGBT modules |
на замовлення 10 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
| APT7M120B | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APT7M120B THT N channel transistors |
на замовлення 9 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
|||||||||
|
APT90DR160HJ | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Sing. ph. diode bridge rectif. - othersDescription: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.6kV; If: 90A; Ifsm: 850A Type of bridge rectifier: single-phase Max. off-state voltage: 1.6kV Load current: 90A Max. forward impulse current: 850A Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Version: module Case: SOT227B Leads: M4 screws Max. forward voltage: 1.3V Kind of package: tube кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 3 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
|
APTDF400KK120G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
Category: Diode modulesDescription: Module: diode; double,common cathode; 1.2kV; 400A; SP6C; screw Type of semiconductor module: diode Semiconductor structure: common cathode; double Max. off-state voltage: 1.2kV Load current: 400A Case: SP6C Electrical mounting: screw Mechanical mounting: screw Technology: FRED кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 1 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||
| APTDR90X1601G | MICROCHIP TECHNOLOGY |
APTDR90X1601G Three phase diode bridge rectifiers |
на замовлення 11 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
| ADM00809 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Microchip development kits
Description: Dev.kit: Microchip; DC/DC converter; Components: MIC45404
Kind of module: DC/DC converter
Type of development kit: Microchip
Components: MIC45404
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Microchip development kits
Description: Dev.kit: Microchip; DC/DC converter; Components: MIC45404
Kind of module: DC/DC converter
Type of development kit: Microchip
Components: MIC45404
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 6379.45 грн |
| ADM00974 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Microchip development kits
Description: Dev.kit: Microchip; OLED; DC power/energy monitor
Type of development kit: Microchip
Kind of connector: USB A
Kind of display used: OLED
Components: PAC1934
Kind of module: DC power/energy monitor
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Microchip development kits
Description: Dev.kit: Microchip; OLED; DC power/energy monitor
Type of development kit: Microchip
Kind of connector: USB A
Kind of display used: OLED
Components: PAC1934
Kind of module: DC power/energy monitor
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4450.36 грн |
| ADM00995 |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Microchip development kits
Description: Dev.kit: Microchip; DC/DC converter; Components: MIC28517
Kind of connector: screw
Kit contents: prototype board
Kind of module: DC/DC converter
Type of development kit: Microchip
Components: MIC28517
Programmers and development kits features: DC/DC converter
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Microchip development kits
Description: Dev.kit: Microchip; DC/DC converter; Components: MIC28517
Kind of connector: screw
Kit contents: prototype board
Kind of module: DC/DC converter
Type of development kit: Microchip
Components: MIC28517
Programmers and development kits features: DC/DC converter
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 13255.42 грн |
| ADM01097 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
ADM01097 Microchip development kits
ADM01097 Microchip development kits
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 14087.94 грн |
| ADM01123 |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
ADM01123 Microchip development kits
ADM01123 Microchip development kits
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8227.03 грн |
| APT1001RSVRG |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT1001RSVRG SMD N channel transistors
APT1001RSVRG SMD N channel transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1876.13 грн |
| 2+ | 1774.34 грн |
| APT10050LVFRG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Case: TO264
Polarisation: unipolar
Gate charge: 500nC
On-state resistance: 0.5Ω
Drain current: 21A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 1kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Case: TO264
Polarisation: unipolar
Gate charge: 500nC
On-state resistance: 0.5Ω
Drain current: 21A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 1kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3009.18 грн |
| 3+ | 2611.54 грн |
| 10+ | 2371.11 грн |
| APT10050LVRG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Case: TO264
Polarisation: unipolar
Gate charge: 500nC
On-state resistance: 0.5Ω
Drain current: 21A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 1kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; POWER MOS 5®; unipolar; 1kV; 21A; Idm: 84A
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Mounting: THT
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: POWER MOS 5®
Case: TO264
Polarisation: unipolar
Gate charge: 500nC
On-state resistance: 0.5Ω
Drain current: 21A
Gate-source voltage: ±30V
Pulsed drain current: 84A
Power dissipation: 520W
Drain-source voltage: 1kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3292.90 грн |
| 3+ | 2859.22 грн |
| 10+ | 2502.84 грн |
| APT100DL60HJ |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Sing. ph. diode bridge rectif. - others
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 100A; screw; screw
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 100A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Version: module
Case: SOT227B
Leads: M4 screws
Technology: FRED
Max. forward voltage: 2V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Sing. ph. diode bridge rectif. - others
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 100A; screw; screw
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 100A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Version: module
Case: SOT227B
Leads: M4 screws
Technology: FRED
Max. forward voltage: 2V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2857.64 грн |
| 3+ | 2754.55 грн |
| APT13GP120BDQ1G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 20A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: POWER MOS 7®; PT
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 270ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 1.2kV; 20A; 250W; TO247-3
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 1.2kV
Collector current: 20A
Power dissipation: 250W
Case: TO247-3
Gate-emitter voltage: ±20V
Pulsed collector current: 50A
Mounting: THT
Gate charge: 55nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: POWER MOS 7®; PT
Turn-on time: 21ns
Turn-off time: 270ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 28 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 981.21 грн |
| 3+ | 867.40 грн |
| 10+ | 727.50 грн |
| APT14F100B |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT14F100B THT N channel transistors
APT14F100B THT N channel transistors
на замовлення 8 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 913.50 грн |
| 2+ | 866.21 грн |
| 3+ | 830.10 грн |
| 4+ | 818.31 грн |
| APT15D120KG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15D120KG THT universal diodes
APT15D120KG THT universal diodes
на замовлення 294 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 242.88 грн |
| 6+ | 212.56 грн |
| 16+ | 200.59 грн |
| 100+ | 200.01 грн |
| APT15D60BCTG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15D60BCTG THT universal diodes
APT15D60BCTG THT universal diodes
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 600.76 грн |
| 3+ | 529.91 грн |
| 7+ | 500.97 грн |
| 20+ | 500.54 грн |
| APT15DQ100KG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15DQ100KG THT universal diodes
APT15DQ100KG THT universal diodes
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 169.80 грн |
| 12+ | 101.79 грн |
| 32+ | 96.80 грн |
| APT15DQ120BG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15DQ120BG THT universal diodes
APT15DQ120BG THT universal diodes
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 311.66 грн |
| 6+ | 215.56 грн |
| 16+ | 204.58 грн |
| APT15DQ120KG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15DQ120KG THT universal diodes
APT15DQ120KG THT universal diodes
на замовлення 443 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 120.37 грн |
| 11+ | 108.78 грн |
| 30+ | 102.79 грн |
| 100+ | 102.60 грн |
| APT15DQ60BCTG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15DQ60BCTG THT universal diodes
APT15DQ60BCTG THT universal diodes
на замовлення 97 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 382.60 грн |
| 5+ | 258.47 грн |
| 13+ | 244.50 грн |
| APT15DQ60BG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15DQ60BG THT universal diodes
APT15DQ60BG THT universal diodes
на замовлення 322 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 175.18 грн |
| 8+ | 159.67 грн |
| 21+ | 150.69 грн |
| 90+ | 150.27 грн |
| APT15DQ60KG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15DQ60KG THT universal diodes
APT15DQ60KG THT universal diodes
на замовлення 108 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 114.99 грн |
| 13+ | 92.81 грн |
| 36+ | 87.82 грн |
| APT15GP90BDQ1G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT15GP90BDQ1G THT IGBT transistors
APT15GP90BDQ1G THT IGBT transistors
на замовлення 61 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 810.33 грн |
| 3+ | 575.81 грн |
| 6+ | 544.88 грн |
| APT25GP120BG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT25GP120BG THT IGBT transistors
APT25GP120BG THT IGBT transistors
на замовлення 30 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1255.41 грн |
| 3+ | 1186.55 грн |
| APT25GT120BRDQ2G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT25GT120BRDQ2G THT IGBT transistors
APT25GT120BRDQ2G THT IGBT transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1425.06 грн |
| 2+ | 863.22 грн |
| 4+ | 816.32 грн |
| APT2X101DQ100J |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT2X101DQ100J Diode modules
APT2X101DQ100J Diode modules
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3231.33 грн |
| APT2X101DQ120J |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT2X101DQ120J Diode modules
APT2X101DQ120J Diode modules
на замовлення 13 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2592.65 грн |
| 2+ | 2450.94 грн |
| APT2X61D40J |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 400V; If: 60Ax2; SOT227B; screw
Technology: FRED
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 60A x2
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 0.6kA
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 99A
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double independent; 400V; If: 60Ax2; SOT227B; screw
Technology: FRED
Max. off-state voltage: 0.4kV
Load current: 60A x2
Semiconductor structure: double independent
Case: SOT227B
Max. forward voltage: 1.6V
Max. forward impulse current: 0.6kA
Kind of package: tube
Electrical mounting: screw
Type of semiconductor module: diode
Mechanical mounting: screw
Max. load current: 99A
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2485.79 грн |
| APT30D20BCAG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT30D20BCAG THT universal diodes
APT30D20BCAG THT universal diodes
на замовлення 90 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 827.52 грн |
| 2+ | 743.47 грн |
| 5+ | 703.55 грн |
| APT30DQ100BG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT30DQ100BG THT universal diodes
APT30DQ100BG THT universal diodes
на замовлення 92 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 356.80 грн |
| 4+ | 310.36 грн |
| 11+ | 293.39 грн |
| APT30DQ100KG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT30DQ100KG THT universal diodes
APT30DQ100KG THT universal diodes
на замовлення 403 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 98.87 грн |
| 33+ | 94.80 грн |
| APT30DQ120KG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT30DQ120KG THT universal diodes
APT30DQ120KG THT universal diodes
на замовлення 397 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 178.40 грн |
| 11+ | 112.77 грн |
| 29+ | 106.78 грн |
| APT30DQ60BG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 320A; TO247-2; FRED
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.32kA
Case: TO247-2
Application: automotive industry
Technology: FRED
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 600V; 30A; tube; Ifsm: 320A; TO247-2; FRED
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 30A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 0.32kA
Case: TO247-2
Application: automotive industry
Technology: FRED
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 71 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3+ | 148.31 грн |
| APT30GP60BDQ1G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT30GP60BDQ1G THT IGBT transistors
APT30GP60BDQ1G THT IGBT transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1161.76 грн |
| 2+ | 919.10 грн |
| 4+ | 868.21 грн |
| APT30M19JVFR |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 130A; ISOTOP; screw; Idm: 520A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 130A
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 19mΩ
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 700W
Technology: POWER MOS V®
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 300V; 130A; ISOTOP; screw; Idm: 520A
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 300V
Drain current: 130A
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 19mΩ
Pulsed drain current: 520A
Power dissipation: 700W
Technology: POWER MOS V®
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 8868.47 грн |
| 3+ | 7555.83 грн |
| APT30M75BFLLG |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT30M75BFLLG THT N channel transistors
APT30M75BFLLG THT N channel transistors
на замовлення 48 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1235.45 грн |
| 3+ | 1167.59 грн |
| APT30N60BC6 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 219W
Pulsed drain current: 89A
Technology: CoolMOS™
Gate charge: 88nC
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 19A; Idm: 89A; 219W; TO247-3
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 19A
Case: TO247-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 0.125Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Power dissipation: 219W
Pulsed drain current: 89A
Technology: CoolMOS™
Gate charge: 88nC
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 736.17 грн |
| APT30S20BCTG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT30S20BCTG THT Schottky diodes
APT30S20BCTG THT Schottky diodes
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 969.38 грн |
| 2+ | 648.66 грн |
| 6+ | 613.73 грн |
| APT35GP120B2DQ2G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT35GP120B2DQ2G THT IGBT transistors
APT35GP120B2DQ2G THT IGBT transistors
на замовлення 26 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5326.01 грн |
| APT35GP120BG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT35GP120BG THT IGBT transistors
APT35GP120BG THT IGBT transistors
на замовлення 19 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1477.95 грн |
| 3+ | 1397.12 грн |
| APT35GP120J |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 29A; SOT227B
Technology: POWER MOS 7®; PT
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 29A
Pulsed collector current: 140A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 29A; SOT227B
Technology: POWER MOS 7®; PT
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±30V
Collector current: 29A
Pulsed collector current: 140A
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4069.91 грн |
| 3+ | 3532.83 грн |
| 10+ | 3005.80 грн |
| APT38F80B2 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT38F80B2 THT N channel transistors
APT38F80B2 THT N channel transistors
на замовлення 21 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1803.28 грн |
| 2+ | 1704.48 грн |
| APT40GP90B2DQ2G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 50A; 543W; T-Max
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 50A
Power dissipation: 543W
Case: T-Max
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: POWER MOS 7®; PT
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 0.22µs
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; PT; 900V; 50A; 543W; T-Max
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 900V
Collector current: 50A
Power dissipation: 543W
Case: T-Max
Gate-emitter voltage: ±30V
Pulsed collector current: 160A
Mounting: THT
Gate charge: 145nC
Kind of package: tube
Features of semiconductor devices: integrated anti-parallel diode
Technology: POWER MOS 7®; PT
Turn-on time: 37ns
Turn-off time: 0.22µs
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 29 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2252.58 грн |
| 3+ | 1955.54 грн |
| 10+ | 1663.57 грн |
| APT43GA90BD30 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT43GA90BD30 THT IGBT transistors
APT43GA90BD30 THT IGBT transistors
на замовлення 70 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 729.73 грн |
| 2+ | 710.53 грн |
| 5+ | 671.61 грн |
| 10+ | 670.50 грн |
| APT44F80B2 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT44F80B2 THT N channel transistors
APT44F80B2 THT N channel transistors
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2033.80 грн |
| 2+ | 1923.03 грн |
| 10+ | 1920.31 грн |
| APT44F80L |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT44F80L THT N channel transistors
APT44F80L THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1818.25 грн |
| 2+ | 1719.45 грн |
| 10+ | 1716.15 грн |
| APT4F120K |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 15A; 225W; TO220-3
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 8®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 15A
Drain current: 3A
Gate charge: 43nC
Power dissipation: 225W
On-state resistance: 4.2Ω
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1.2kV; 3A; Idm: 15A; 225W; TO220-3
Mounting: THT
Technology: POWER MOS 8®
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Pulsed drain current: 15A
Drain current: 3A
Gate charge: 43nC
Power dissipation: 225W
On-state resistance: 4.2Ω
Gate-source voltage: ±30V
Case: TO220-3
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
товару немає в наявності
В кошику
од. на суму грн.
| APT4M120K |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT4M120K THT N channel transistors
APT4M120K THT N channel transistors
на замовлення 2 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 349.28 грн |
| 4+ | 318.34 грн |
| 10+ | 305.72 грн |
| 11+ | 300.38 грн |
| APT5010JVR |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 44A; ISOTOP; screw; Idm: 176A; 450W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.1Ω
Pulsed drain current: 176A
Power dissipation: 450W
Technology: POWER MOS 5®
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Transistor modules MOSFET
Description: Module; single transistor; 500V; 44A; ISOTOP; screw; Idm: 176A; 450W
Type of semiconductor module: MOSFET transistor
Semiconductor structure: single transistor
Drain-source voltage: 500V
Drain current: 44A
Case: ISOTOP
Electrical mounting: screw
Polarisation: unipolar
On-state resistance: 0.1Ω
Pulsed drain current: 176A
Power dissipation: 450W
Technology: POWER MOS 5®
Gate-source voltage: ±30V
Kind of package: tube
Mechanical mounting: screw
Kind of channel: enhancement
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 4511.62 грн |
| 3+ | 3915.23 грн |
| 10+ | 3603.57 грн |
| APT50GN60BDQ3G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT50GN60BDQ3G THT IGBT transistors
APT50GN60BDQ3G THT IGBT transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1381.15 грн |
| 3+ | 1305.31 грн |
| 10+ | 1303.70 грн |
| APT50GN60BG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT50GN60BG THT IGBT transistors
APT50GN60BG THT IGBT transistors
на замовлення 82 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 737.25 грн |
| 2+ | 650.66 грн |
| 6+ | 614.73 грн |
| APT6025BLLG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT6025BLLG THT N channel transistors
APT6025BLLG THT N channel transistors
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 1424.06 грн |
| 3+ | 1346.22 грн |
| APT60DF20HJ |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Sing. ph. diode bridge rectif. - others
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 60A; Ifsm: 500A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 60A
Max. forward impulse current: 0.5kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Version: module
Case: SOT227B
Leads: M4 screws
Technology: FRED
Max. forward voltage: 1.4V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Sing. ph. diode bridge rectif. - others
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 200V; If: 60A; Ifsm: 500A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 200V
Load current: 60A
Max. forward impulse current: 0.5kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Version: module
Case: SOT227B
Leads: M4 screws
Technology: FRED
Max. forward voltage: 1.4V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2863.02 грн |
| 3+ | 2442.61 грн |
| 10+ | 2203.45 грн |
| APT60DF60HJ |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Sing. ph. diode bridge rectif. - others
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 60A; Ifsm: 500A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 60A
Max. forward impulse current: 0.5kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Version: module
Case: SOT227B
Leads: M4 screws
Technology: FRED
Max. forward voltage: 2.3V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Sing. ph. diode bridge rectif. - others
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 600V; If: 60A; Ifsm: 500A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 60A
Max. forward impulse current: 0.5kA
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Version: module
Case: SOT227B
Leads: M4 screws
Technology: FRED
Max. forward voltage: 2.3V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2277.30 грн |
| APT60DQ100BG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT60DQ100BG THT universal diodes
APT60DQ100BG THT universal diodes
на замовлення 31 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 341.76 грн |
| 4+ | 316.35 грн |
| 11+ | 299.38 грн |
| 25+ | 298.46 грн |
| APT60DQ120BG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 60A; tube; Ifsm: 540A; TO247AC; FRED
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 540A
Case: TO247AC
Application: automotive industry
Technology: FRED
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1.2kV; 60A; tube; Ifsm: 540A; TO247AC; FRED
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 60A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: ultrafast switching
Kind of package: tube
Max. forward impulse current: 540A
Case: TO247AC
Application: automotive industry
Technology: FRED
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 76 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 2+ | 223.54 грн |
| APT60DQ60BCTG |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT60DQ60BCTG THT universal diodes
APT60DQ60BCTG THT universal diodes
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 456.75 грн |
| 3+ | 443.09 грн |
| 8+ | 419.14 грн |
| 25+ | 418.67 грн |
| APT75GP120JDQ3 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B
Technology: POWER MOS 7®
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 57A
Pulsed collector current: 300A
Power dissipation: 543W
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
Category: IGBT modules
Description: Module: IGBT; single transistor; Urmax: 1.2kV; Ic: 57A; SOT227B
Technology: POWER MOS 7®
Type of semiconductor module: IGBT
Case: SOT227B
Mechanical mounting: screw
Electrical mounting: screw
Semiconductor structure: single transistor
Kind of package: tube
Gate-emitter voltage: ±20V
Collector current: 57A
Pulsed collector current: 300A
Power dissipation: 543W
Max. off-state voltage: 1.2kV
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 5 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5168.26 грн |
| 3+ | 4475.88 грн |
| 10+ | 4022.70 грн |
| APT75GT120JU3 |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT75GT120JU3 IGBT modules
APT75GT120JU3 IGBT modules
на замовлення 10 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 3673.42 грн |
| APT7M120B |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APT7M120B THT N channel transistors
APT7M120B THT N channel transistors
на замовлення 9 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 692.11 грн |
| 2+ | 654.65 грн |
| 5+ | 619.72 грн |
| 10+ | 618.69 грн |
| APT90DR160HJ |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Sing. ph. diode bridge rectif. - others
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.6kV; If: 90A; Ifsm: 850A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 90A
Max. forward impulse current: 850A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Version: module
Case: SOT227B
Leads: M4 screws
Max. forward voltage: 1.3V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Sing. ph. diode bridge rectif. - others
Description: Bridge rectifier: single-phase; Urmax: 1.6kV; If: 90A; Ifsm: 850A
Type of bridge rectifier: single-phase
Max. off-state voltage: 1.6kV
Load current: 90A
Max. forward impulse current: 850A
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Version: module
Case: SOT227B
Leads: M4 screws
Max. forward voltage: 1.3V
Kind of package: tube
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 2879.14 грн |
| APTDF400KK120G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common cathode; 1.2kV; 400A; SP6C; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 400A
Case: SP6C
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: FRED
кількість в упаковці: 1 шт
Category: Diode modules
Description: Module: diode; double,common cathode; 1.2kV; 400A; SP6C; screw
Type of semiconductor module: diode
Semiconductor structure: common cathode; double
Max. off-state voltage: 1.2kV
Load current: 400A
Case: SP6C
Electrical mounting: screw
Mechanical mounting: screw
Technology: FRED
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 10150.60 грн |
| 3+ | 8996.32 грн |
| 9+ | 8628.20 грн |
| APTDR90X1601G |
![]() |
Виробник: MICROCHIP TECHNOLOGY
APTDR90X1601G Three phase diode bridge rectifiers
APTDR90X1601G Three phase diode bridge rectifiers
на замовлення 11 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 5905.82 грн |















