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Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - PIC32CM5112SG00048-E/Y8X - ARM-MCU, PIC32 Family PIC32CM SG00 Series Microcontrollers, ARM Cortex-M23, 32 Bit, 48 MHz
tariffCode: 85423190
euEccn: 5A002.a.1
rohsCompliant: YES
ADC-Auflösung: 12 Bit
IC-Montage: Oberflächenmontage
Bausteinkern: ARM Cortex-M23
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q100
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: TQFP
Betriebstemperatur, min.: -40°C
ADC-Kanäle: 12Kanäle
Programmspeichergröße: 512KB
Versorgungsspannung, min.: 1.71V
Betriebsfrequenz, max.: 48MHz
MCU-Familie: PIC32
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
RAM-Speichergröße: 128KB
MCU-Baureihe: PIC32CM SG00
Anzahl der Ein-/Ausgänge: 36I/O(s)
Anzahl der Pins: 48Pin(s)
Datenbusbreite: 32 Bit
Produktpalette: PIC32 Family PIC32CM SG00 Series Microcontrollers
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 5A002.a.1
Versorgungsspannung, max.: 3.63V
Schnittstellen: CAN FD, I2C, IrDA, LIN, SPI, USART, USB
Betriebstemperatur, max.: 125°C

Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - M2S-HELLO-FPGA-KIT - FPGA MAINBOARD W/SMARTFUSION2
tariffCode: 84733020
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
Lieferumfang des Kits: FPGA Mainboard w/SmartFusion2 M2S010-1VF256, LI-0V7725-MICRO V1, LCD Brd, USB Cable, QuickStart Card
RoHS Compliant: Yes
Prozessorhersteller: Microsemi
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Anzahl der Bits: -
Prozessorserie: -
Prozessorfamilie: SmartFusion 2
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Prozessorkern: M2S010-1VF256
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: 3A991.d
Prozessorarchitektur: FPGA
directShipCharge: 25

Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MCP4822T-E/SN - D/A-Wandler, 12 bit, SPI, 5.5 V, 2.7 V, 2 Kanäle, Spannung
tariffCode: 85423919
Ausgang: Spannung
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
IC-Montage: Oberflächenmontage
Versorgungsspannung: 2.7V bis 5.5V
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
IC-Gehäuse / Bauform: SOIC
Bauform - ADC / DAC: NSOIC
Anzahl der Kanäle: 2Kanäle
Betriebstemperatur, min.: -40°C
Versorgungsspannung, min.: 5.5V
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Schnittstellen: SPI
Auflösung: 12bit
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: Dual 12-Bit Voltage Output DACs
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Versorgungsspannung, max.: 2.7V
Schnittstellen: SPI
Betriebstemperatur, max.: 125°C

Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC060SMB120Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 39 A, 1.2 kV, 0.084 ohm, QDPAK-EP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 39A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 215W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: QDPAK-EP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.084ohm

Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC045SMB120Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 53 A, 1.2 kV, 0.063 ohm, QDPAK-EP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 53A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 288W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: QDPAK-EP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.063ohm

Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC080SMB120Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 30 A, 1.2 kV, 0.112 ohm, QDPAK-EP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 30A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 168W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: QDPAK-EP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.112ohm

Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC025SMB120Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 94 A, 1.2 kV, 0.035 ohm, QDPAK-EP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 94A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 506W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: QDPAK-EP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.035ohm

Виробник: MICROCHIP
Description: MICROCHIP - MSC030SMB120Q - Siliziumkarbid-MOSFET, Eins, n-Kanal, 77 A, 1.2 kV, 0.042 ohm, QDPAK-EP
tariffCode: 85412900
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV
rohsCompliant: TBA
Dauer-Drainstrom Id: 77A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5V
MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins
Verlustleistung: 416W
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: QDPAK-EP
Anzahl der Pins: 22Pin(s)
Produktpalette: mSiC Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 18V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.042ohm