Результат пошуку "C2M0080120D" : 12
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 7
Мінімальне замовлення: 4
Мінімальне замовлення: 7
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
C2M0080120D Код товару: 166109 |
Транзистори > Польові N-канальні |
у наявності: 3 шт
|
|||||||||||||||||
C2M0080120D | Cree/Wolfspeed | N-канальний ПТ SIC MOSFET; Udss, В = 1 200; Id = 31,6 А; Ptot, Вт = 208; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 950 @ 1000; Qg, нКл = 49,2 @ 20; Rds = 98 мОм @ 20А, 20В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2.2 В @ 1 мА; TO-247-3 |
на замовлення 1 шт: термін постачання 2-3 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
C2M0080120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 1853 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
C2M0080120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 2314 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
C2M0080120D | Wolfspeed | MOSFET ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT |
на замовлення 2055 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
C2M0080120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube |
на замовлення 3900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
C2M0080120D | Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; 208W; TO247-3; 32ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; Z-FET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 36A Power dissipation: 208W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 62nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 32ns |
товар відсутній |
||||||||||||||||
C2M0080120D | Wolfspeed(CREE) |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; 208W; TO247-3; 32ns Type of transistor: N-MOSFET Technology: SiC; Z-FET™ Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 36A Power dissipation: 208W Case: TO247-3 Gate-source voltage: -10...25V On-state resistance: 80mΩ Mounting: THT Gate charge: 62nC Kind of channel: enhanced Reverse recovery time: 32ns кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
C2M0080120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
C2M0080120D | Wolfspeed | Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 |
товар відсутній |
||||||||||||||||
CRD-50DD12N | Wolfspeed | C2M0080120D/C4D10120D MOSFET/Rectifier Evaluation Board |
товар відсутній |
C2M0080120D |
Виробник: Cree/Wolfspeed
N-канальний ПТ SIC MOSFET; Udss, В = 1 200; Id = 31,6 А; Ptot, Вт = 208; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 950 @ 1000; Qg, нКл = 49,2 @ 20; Rds = 98 мОм @ 20А, 20В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2.2 В @ 1 мА; TO-247-3
N-канальний ПТ SIC MOSFET; Udss, В = 1 200; Id = 31,6 А; Ptot, Вт = 208; Тип монт. = вивідний; Ciss, пФ @ Uds, В = 950 @ 1000; Qg, нКл = 49,2 @ 20; Rds = 98 мОм @ 20А, 20В; Tексп, °C = -55...+150; Ugs(th) = 2.2 В @ 1 мА; TO-247-3
на замовлення 1 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 1484.85 грн |
10+ | 1385.87 грн |
100+ | 1286.88 грн |
C2M0080120D |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 1853 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 1851.93 грн |
C2M0080120D |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 2314 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
4+ | 2967.45 грн |
5+ | 2777.67 грн |
10+ | 2606.06 грн |
20+ | 2355.01 грн |
50+ | 2212.35 грн |
100+ | 2169.96 грн |
250+ | 2132.73 грн |
C2M0080120D |
Виробник: Wolfspeed
MOSFET ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT
MOSFET ZFET 1X20A IDS 1200V ON 80MOHM SIC MOSFT
на замовлення 2055 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
1+ | 2089.22 грн |
10+ | 1829.79 грн |
30+ | 1484.39 грн |
60+ | 1438.93 грн |
120+ | 1392.15 грн |
270+ | 1299.25 грн |
510+ | 1195.16 грн |
C2M0080120D |
Виробник: Wolfspeed
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
Trans MOSFET N-CH SiC 1.2KV 36A 3-Pin(3+Tab) TO-247 Tube
на замовлення 3900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
7+ | 1851.93 грн |
C2M0080120D |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; 208W; TO247-3; 32ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 32ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; 208W; TO247-3; 32ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 32ns
товар відсутній
C2M0080120D |
Виробник: Wolfspeed(CREE)
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; 208W; TO247-3; 32ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 32ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; 208W; TO247-3; 32ns
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SiC; Z-FET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 1.2kV
Drain current: 36A
Power dissipation: 208W
Case: TO247-3
Gate-source voltage: -10...25V
On-state resistance: 80mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 62nC
Kind of channel: enhanced
Reverse recovery time: 32ns
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
CRD-50DD12N |
Виробник: Wolfspeed
C2M0080120D/C4D10120D MOSFET/Rectifier Evaluation Board
C2M0080120D/C4D10120D MOSFET/Rectifier Evaluation Board
товар відсутній