Інші пропозиції C2M0080120D за ціною від 1286.88 грн до 2355.16 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
C2M0080120D | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C2M0080120D | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C2M0080120D | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 1350 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C2M0080120D | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; 208W; TO247-3; 32ns Case: TO247-3 Technology: SiC; Z-FET™ Mounting: THT Power dissipation: 208W Gate charge: 62nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -10...25V Reverse recovery time: 32ns Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 36A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar |
на замовлення 6 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C2M0080120D | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 1133 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C2M0080120D | Виробник : Wolfspeed(CREE) |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; SiC; unipolar; 1.2kV; 36A; 208W; TO247-3; 32ns Case: TO247-3 Technology: SiC; Z-FET™ Mounting: THT Power dissipation: 208W Gate charge: 62nC Kind of channel: enhancement Gate-source voltage: -10...25V Reverse recovery time: 32ns Drain-source voltage: 1.2kV Drain current: 36A On-state resistance: 80mΩ Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 6 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C2M0080120D | Виробник : Wolfspeed, Inc. |
![]() Packaging: Bulk Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: SiCFET (Silicon Carbide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V Power Dissipation (Max): 192W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA Supplier Device Package: TO-247-3 Part Status: Not For New Designs Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V Vgs (Max): +25V, -10V Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 1000 V |
на замовлення 295 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C2M0080120D | Виробник : WOLFSPEED |
![]() tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 1.2kV rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 31.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES MSL: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.2V MOSFET-Modul-Konfiguration: Eins euEccn: NLR Verlustleistung: 208W Bauform - Transistor: TO-247 Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 20V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.08ohm SVHC: No SVHC (17-Dec-2014) |
на замовлення 5205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
C2M0080120D | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 874 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
C2M0080120D | Виробник : Cree/Wolfspeed |
![]() |
на замовлення 1 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
|
|||||||||||||
C2M0080120D | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||
![]() |
C2M0080120D | Виробник : Wolfspeed |
![]() |
товару немає в наявності |