Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > C2M0080120D

C2M0080120D

Wolfspeed_C2M0080120D_data_sheet.pdf
Код товару: 166109
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

у наявності: 3 шт
  • 3 шт - РАДІОМАГ-Львів
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції C2M0080120D за ціною від 1357.76 грн до 2242.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
C2M0080120D C2M0080120D Wolfspeed, Inc. Wolfspeed_C2M0080120D_data_sheet.pdf Description: SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+2242.49 грн
30+1405.64 грн
120+1357.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120D Cree/Wolfspeed C2M0080120D_Cree.pdf N-канальний ПТ SIC MOSFET, Udss, В = 1 200, Id = 31,6 А, Ptot, Вт = 208, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 950 @ 1000, Qg, нКл = 49,2 @ 20, Rds = 98 мОм @ 20А, 20В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2.2 В @ 1 мА,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
30+1654.22 грн
120+1417.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120D Wolfspeed_C2M0080120D_data_sheet.pdf
C2M0080120D
Виробник: Wolfspeed, Inc.
Description: SICFET N-CH 1200V 36A TO247-3
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 1000 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 62 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 1200 V
Vgs (Max): +25V, -10V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: TO-247-3
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 5mA
Power Dissipation (Max): 192W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 98mOhm @ 20A, 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Bulk
на замовлення 295 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+2242.49 грн
30+1405.64 грн
120+1357.76 грн
В кошику  од. на суму  грн.
C2M0080120D C2M0080120D_Cree.pdf
Виробник: Cree/Wolfspeed
N-канальний ПТ SIC MOSFET, Udss, В = 1 200, Id = 31,6 А, Ptot, Вт = 208, Тип монт. = вивідний, Ciss, пФ @ Uds, В = 950 @ 1000, Qg, нКл = 49,2 @ 20, Rds = 98 мОм @ 20А, 20В, Tексп, °C = -55...+150, Ugs(th) = 2.2 В @ 1 мА,... Транзистори Корпус: TO-247-3 Од
кількість в упаковці: 30 шт
на замовлення 1 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
30+1654.22 грн
120+1417.90 грн
В кошику  од. на суму  грн.