Результат пошуку "DMN61D9UW7" : 6
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3000
Мінімальне замовлення: 14
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
DMN61D9UW-7 | Diodes Zetex | 60V N Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
DMN61D9UW-7 | Diodes Zetex | 60V N Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN61D9UW-7 | Diodes Inc | 60V N Channel Enhancement Mode MOSFET |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
DMN61D9UW-7 | Diodes Incorporated | MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A |
на замовлення 9179 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
DMN61D9UW-7 Код товару: 127397 |
Транзистори > Польові N-канальні |
товар відсутній
|
|||||||||||||||||
DMN61D9UW-7 | Diodes Incorporated |
Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V Power Dissipation (Max): 320mW (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA Supplier Device Package: SOT-323 Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V |
товар відсутній |
DMN61D9UW-7 |
Виробник: Diodes Zetex
60V N Channel Enhancement Mode MOSFET
60V N Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)DMN61D9UW-7 |
Виробник: Diodes Zetex
60V N Channel Enhancement Mode MOSFET
60V N Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3000+ | 3.33 грн |
DMN61D9UW-7 |
Виробник: Diodes Inc
60V N Channel Enhancement Mode MOSFET
60V N Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)DMN61D9UW-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
на замовлення 9179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
14+ | 23.15 грн |
20+ | 15.7 грн |
100+ | 8.66 грн |
1000+ | 3.93 грн |
3000+ | 3.4 грн |
9000+ | 2.6 грн |
24000+ | 2.46 грн |
DMN61D9UW-7 |
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V
Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V
товар відсутній