Результат пошуку "DMN61D9UW7" : 6

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
DMN61D9UW-7 DMN61D9UW-7 Diodes Zetex dmn61d9uw.pdf 60V N Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMN61D9UW-7 DMN61D9UW-7 Diodes Zetex dmn61d9uw.pdf 60V N Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN61D9UW-7 DMN61D9UW-7 Diodes Inc dmn61d9uw.pdf 60V N Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMN61D9UW-7 DMN61D9UW-7 Diodes Incorporated DIOD_S_A0002497803_1-2541921.pdf MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
на замовлення 9179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
14+23.15 грн
20+ 15.7 грн
100+ 8.66 грн
1000+ 3.93 грн
3000+ 3.4 грн
9000+ 2.6 грн
24000+ 2.46 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMN61D9UW-7
Код товару: 127397
Транзистори > Польові N-канальні
товар відсутній
DMN61D9UW-7 DMN61D9UW-7 Diodes Incorporated Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V
товар відсутній
DMN61D9UW-7 dmn61d9uw.pdf
DMN61D9UW-7
Виробник: Diodes Zetex
60V N Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMN61D9UW-7 dmn61d9uw.pdf
DMN61D9UW-7
Виробник: Diodes Zetex
60V N Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 3000
DMN61D9UW-7 dmn61d9uw.pdf
DMN61D9UW-7
Виробник: Diodes Inc
60V N Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
DMN61D9UW-7 DIOD_S_A0002497803_1-2541921.pdf
DMN61D9UW-7
Виробник: Diodes Incorporated
MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
на замовлення 9179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+23.15 грн
20+ 15.7 грн
100+ 8.66 грн
1000+ 3.93 грн
3000+ 3.4 грн
9000+ 2.6 грн
24000+ 2.46 грн
Мінімальне замовлення: 14
DMN61D9UW-7
Код товару: 127397
товар відсутній
DMN61D9UW-7
DMN61D9UW-7
Виробник: Diodes Incorporated
Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V
товар відсутній