Продукція > DIODES ZETEX > DMN61D9UW-7
DMN61D9UW-7

DMN61D9UW-7 Diodes Zetex

dmn61d9uw.pdf Виробник: Diodes Zetex
Trans MOSFET N-CH 60V 0.34A 3-Pin SOT-323 T/R
на замовлення 1928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
810+4.98 грн
Мінімальне замовлення: 810
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис DMN61D9UW-7 Diodes Zetex

Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: SC-70, SOT-323, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V, Power Dissipation (Max): 320mW (Ta), Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA, Supplier Device Package: SOT-323, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V.

Інші пропозиції DMN61D9UW-7 за ціною від 2.71 грн до 25.45 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
DMN61D9UW-7 DMN61D9UW-7 Виробник : Diodes Incorporated DIOD_S_A0002497803_1-2541921.pdf MOSFET N-Ch Enh Mode FET 60V 20Vgss 1.2A
на замовлення 9179 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
14+25.45 грн
20+17.26 грн
100+9.52 грн
1000+4.32 грн
3000+3.73 грн
9000+2.86 грн
24000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 14
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UW-7 DMN61D9UW-7 Виробник : Diodes Inc dmn61d9uw.pdf 60V N Channel Enhancement Mode MOSFET
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UW-7
Код товару: 127397
Додати до обраних Обраний товар

Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DMN61D9UW-7 DMN61D9UW-7 Виробник : Diodes Incorporated Description: MOSFET N-CH 60V 340MA SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 340mA (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2Ohm @ 50mA, 5V
Power Dissipation (Max): 320mW (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
Supplier Device Package: SOT-323
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.8V, 5V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.4 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 28.5 pF @ 30 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.