Результат пошуку "KSD201" : 16
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 6
Мінімальне замовлення: 5
Мінімальне замовлення: 12
Мінімальне замовлення: 13
Мінімальне замовлення: 712
Мінімальне замовлення: 18
Мінімальне замовлення: 328
Мінімальне замовлення: 261
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
KSD2012GTU | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 2081 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
KSD2012GTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
KSD2012GTU | onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 25 W |
на замовлення 167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
KSD2012GTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSD2012GTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Dauer-Kollektorstrom: 3A MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 25W Bauform - Transistor: TO-220F Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (15-Jan-2018) |
на замовлення 12400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
KSD2012GTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 8 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
KSD2012GTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 70 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
KSD2012GTU | Fairchild Semiconductor |
Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 25 W |
на замовлення 65247 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
KSD2012GTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
KSD2012GTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 1055 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
KSD2012GTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
KSD2012YTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSD2012YTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
||||||||||||||||
KSD2012GTU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 2.5W; TO220FP Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 3A Power dissipation: 2.5W Case: TO220FP Current gain: 150...320 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 3MHz |
товар відсутній |
||||||||||||||||
KSD2012GTU | ONSEMI |
Category: NPN THT transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 2.5W; TO220FP Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 60V Collector current: 3A Power dissipation: 2.5W Case: TO220FP Current gain: 150...320 Mounting: THT Kind of package: tube Frequency: 3MHz кількість в упаковці: 1 шт |
товар відсутній |
||||||||||||||||
KSD2012GTU | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
товар відсутній |
||||||||||||||||
KSD2012YTU | onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 25 W |
товар відсутній |
||||||||||||||||
KSD2012YYDTU | onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 25 W |
товар відсутній |
KSD2012GTU |
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 2081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
6+ | 66.7 грн |
10+ | 54.03 грн |
100+ | 38.31 грн |
500+ | 29.27 грн |
1000+ | 26.67 грн |
5000+ | 25.73 грн |
10000+ | 25.44 грн |
KSD2012GTU |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)KSD2012GTU |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
5+ | 68.02 грн |
50+ | 52.81 грн |
100+ | 41.85 грн |
KSD2012GTU |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD2012GTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
Description: ONSEMI - KSD2012GTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 12400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
12+ | 68.52 грн |
16+ | 53.6 грн |
100+ | 39.65 грн |
KSD2012GTU |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)KSD2012GTU |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
13+ | 50.43 грн |
14+ | 44.1 грн |
KSD2012GTU |
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 65247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
712+ | 29.5 грн |
KSD2012GTU |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
18+ | 34.79 грн |
19+ | 33.06 грн |
100+ | 30.88 грн |
500+ | 27.1 грн |
KSD2012GTU |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
328+ | 37.47 грн |
KSD2012GTU |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
261+ | 47.04 грн |
500+ | 43.04 грн |
1000+ | 42.39 грн |
KSD2012YTU |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD2012YTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - KSD2012YTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)KSD2012GTU |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 2.5W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 2.5W
Case: TO220FP
Current gain: 150...320
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 2.5W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 2.5W
Case: TO220FP
Current gain: 150...320
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
товар відсутній
KSD2012GTU |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 2.5W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 2.5W
Case: TO220FP
Current gain: 150...320
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 2.5W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 2.5W
Case: TO220FP
Current gain: 150...320
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
KSD2012GTU |
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
KSD2012YTU |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
товар відсутній
KSD2012YYDTU |
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
товар відсутній