Результат пошуку "KSD201" : 16

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
KSD2012GTU KSD2012GTU ON Semiconductor ksd2012-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
328+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 328
KSD2012GTU KSD2012GTU ON Semiconductor ksd2012-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
261+47.15 грн
500+ 43.14 грн
1000+ 42.5 грн
Мінімальне замовлення: 261
KSD2012GTU KSD2012GTU onsemi / Fairchild KSD2012_D-2314452.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 2081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+66.86 грн
10+ 54.16 грн
100+ 38.4 грн
500+ 29.34 грн
1000+ 26.74 грн
5000+ 25.79 грн
10000+ 25.5 грн
Мінімальне замовлення: 6
KSD2012GTU KSD2012GTU ON Semiconductor ksd2012-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KSD2012GTU KSD2012GTU onsemi ksd2012-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+68.19 грн
50+ 52.94 грн
100+ 41.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
KSD2012GTU KSD2012GTU ONSEMI 2572469.pdf Description: ONSEMI - KSD2012GTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 12400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+68.68 грн
16+ 53.72 грн
100+ 39.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
KSD2012GTU KSD2012GTU ON Semiconductor ksd2012-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KSD2012GTU KSD2012GTU ON Semiconductor ksd2012-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+50.55 грн
14+ 44.21 грн
Мінімальне замовлення: 13
KSD2012GTU KSD2012GTU Fairchild Semiconductor FAIRS25380-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 65247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
712+29.57 грн
Мінімальне замовлення: 712
KSD2012GTU KSD2012GTU ON Semiconductor ksd2012-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+34.87 грн
19+ 33.14 грн
100+ 30.96 грн
500+ 27.16 грн
Мінімальне замовлення: 18
KSD2012YTU ONSEMI FAIRS25380-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: ONSEMI - KSD2012YTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KSD2012GTU ONSEMI KSD2012.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 2.5W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 2.5W
Case: TO220FP
Current gain: 150...320
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
товар відсутній
KSD2012GTU ONSEMI KSD2012.pdf Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 2.5W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 2.5W
Case: TO220FP
Current gain: 150...320
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
KSD2012GTU KSD2012GTU ON Semiconductor ksd2012-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
KSD2012YTU KSD2012YTU onsemi ksd2012-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
товар відсутній
KSD2012YYDTU KSD2012YYDTU onsemi ksd2012-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
товар відсутній
KSD2012GTU ksd2012-d.pdf
KSD2012GTU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
328+37.56 грн
Мінімальне замовлення: 328
KSD2012GTU ksd2012-d.pdf
KSD2012GTU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
261+47.15 грн
500+ 43.14 грн
1000+ 42.5 грн
Мінімальне замовлення: 261
KSD2012GTU KSD2012_D-2314452.pdf
KSD2012GTU
Виробник: onsemi / Fairchild
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 2081 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+66.86 грн
10+ 54.16 грн
100+ 38.4 грн
500+ 29.34 грн
1000+ 26.74 грн
5000+ 25.79 грн
10000+ 25.5 грн
Мінімальне замовлення: 6
KSD2012GTU ksd2012-d.pdf
KSD2012GTU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KSD2012GTU ksd2012-d.pdf
KSD2012GTU
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 167 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+68.19 грн
50+ 52.94 грн
100+ 41.96 грн
Мінімальне замовлення: 5
KSD2012GTU 2572469.pdf
KSD2012GTU
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD2012GTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 3A
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220F
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 12400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
12+68.68 грн
16+ 53.72 грн
100+ 39.74 грн
Мінімальне замовлення: 12
KSD2012GTU ksd2012-d.pdf
KSD2012GTU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 8 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KSD2012GTU ksd2012-d.pdf
KSD2012GTU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 70 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+50.55 грн
14+ 44.21 грн
Мінімальне замовлення: 13
KSD2012GTU FAIRS25380-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
KSD2012GTU
Виробник: Fairchild Semiconductor
Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 65247 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
712+29.57 грн
Мінімальне замовлення: 712
KSD2012GTU ksd2012-d.pdf
KSD2012GTU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 1055 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+34.87 грн
19+ 33.14 грн
100+ 30.96 грн
500+ 27.16 грн
Мінімальне замовлення: 18
KSD2012YTU FAIRS25380-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD2012YTU - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: Y-EX
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
KSD2012GTU KSD2012.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 2.5W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 2.5W
Case: TO220FP
Current gain: 150...320
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
товар відсутній
KSD2012GTU KSD2012.pdf
Виробник: ONSEMI
Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 2.5W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 2.5W
Case: TO220FP
Current gain: 150...320
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
кількість в упаковці: 1 шт
товар відсутній
KSD2012GTU ksd2012-d.pdf
KSD2012GTU
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товар відсутній
KSD2012YTU ksd2012-d.pdf
KSD2012YTU
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
товар відсутній
KSD2012YYDTU ksd2012-d.pdf
KSD2012YYDTU
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 3A TO220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
Part Status: Obsolete
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
товар відсутній