KSD2012GTU ON Semiconductor


ksd2012d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
28+27.05 грн
50+26.77 грн
100+26.51 грн
484+25.31 грн
500+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис KSD2012GTU ON Semiconductor

Description: ONSEMI - KSD2012GTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220F, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції KSD2012GTU за ціною від 23.29 грн до 155.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна
KSD2012GTU KSD2012GTU ON Semiconductor ksd2012d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
525+27.05 грн
530+26.77 грн
535+26.51 грн
541+25.31 грн
544+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 525 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU KSD2012GTU ON Semiconductor ksd2012d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+32.27 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU KSD2012GTU ON Semiconductor ksd2012d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
312+45.46 грн
500+44.64 грн
1000+42.90 грн
Мінімальне замовлення: 312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU KSD2012GTU ON Semiconductor ksd2012d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 64904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
673+52.68 грн
1000+48.58 грн
10000+43.32 грн
Мінімальне замовлення: 673 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU KSD2012GTU ONSEMI ksd2012-d.pdf Description: ONSEMI - KSD2012GTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220F
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+103.09 грн
19+42.77 грн
100+40.59 грн
500+34.25 грн
1000+29.48 грн
5000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU KSD2012GTU onsemi ksd2012-d.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
4+106.31 грн
10+49.62 грн
100+36.73 грн
500+30.17 грн
1000+25.27 грн
5000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU KSD2012GTU onsemi ksd2012-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 3944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+155.33 грн
50+73.01 грн
100+65.54 грн
500+49.19 грн
1000+45.23 грн
2000+41.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU KSD2012GTU ON Semiconductor ksd2012d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU ksd2012d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
525+27.05 грн
530+26.77 грн
535+26.51 грн
541+25.31 грн
544+23.29 грн
Мінімальне замовлення: 525 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU ksd2012d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
24+32.27 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU ksd2012d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
312+45.46 грн
500+44.64 грн
1000+42.90 грн
Мінімальне замовлення: 312 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU ksd2012d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 64904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
673+52.68 грн
1000+48.58 грн
10000+43.32 грн
Мінімальне замовлення: 673 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU ksd2012-d.pdf
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD2012GTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220F
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 9339 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
8+103.09 грн
19+42.77 грн
100+40.59 грн
500+34.25 грн
1000+29.48 грн
5000+27.34 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU ksd2012-d.pdf
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 1610 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
4+106.31 грн
10+49.62 грн
100+36.73 грн
500+30.17 грн
1000+25.27 грн
5000+24.78 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU ksd2012-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 3944 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
2+155.33 грн
50+73.01 грн
100+65.54 грн
500+49.19 грн
1000+45.23 грн
2000+41.91 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU ksd2012d.pdf
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.