Технічний опис KSD2012GTU ON Semiconductor
Description: ONSEMI - KSD2012GTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 25W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-220F, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції KSD2012GTU за ціною від 34.53 грн до 171.68 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
KSD2012GTU | ON Semiconductor |
 Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
KSD2012GTU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
KSD2012GTU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 805 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
KSD2012GTU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 2000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
KSD2012GTU | onsemi |
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-220F-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Full Pack Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V Frequency - Transition: 3MHz Supplier Device Package: TO-220F-3 Current - Collector (Ic) (Max): 3 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 25 W |
на замовлення 7650 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
 |
KSD2012GTU | onsemi |
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial |
на замовлення 1556 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
 |
KSD2012GTU | ONSEMI |
Description: ONSEMI - KSD2012GTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 25W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-220F Dauerkollektorstrom: 3A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 3MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 9325 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
|
|
KSD2012GTU | ON Semiconductor |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube |
на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| KSD2012GTU | FAIRCHILD |
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail |
на замовлення 64904 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| KSD2012GTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 1000+ | 34.53 грн |
| KSD2012GTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 22+ | 35.40 грн |
| KSD2012GTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 399+ | 35.40 грн |
| KSD2012GTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 152+ | 93.20 грн |
| 500+ | 76.70 грн |
| 1000+ | 75.93 грн |
| KSD2012GTU |
|
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
Description: TRANS NPN 60V 3A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 7650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 2+ | 171.68 грн |
| 50+ | 80.47 грн |
| 100+ | 72.23 грн |
| 500+ | 54.22 грн |
| 1000+ | 49.85 грн |
| 2000+ | 46.19 грн |
| 5000+ | 41.53 грн |
| KSD2012GTU |
|
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 1556 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| KSD2012GTU |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - KSD2012GTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: ONSEMI - KSD2012GTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 25W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220F
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 9325 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| KSD2012GTU |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| KSD2012GTU |
|
Виробник: FAIRCHILD
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Rail
на замовлення 64904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 673+ | 52.45 грн |
| 1000+ | 48.37 грн |
| 10000+ | 43.13 грн |