Продукція > ON SEMICONDUCTOR > KSD2012GTU
KSD2012GTU

KSD2012GTU ON Semiconductor

ksd2012d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
424+29.13 грн
Мінімальне замовлення: 424
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис KSD2012GTU ON Semiconductor

Description: ONSEMI - KSD2012GTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: Y-EX, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 25W, Bauform - Transistor: TO-220F, Dauerkollektorstrom: 3A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 3MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (27-Jun-2024).

Інші пропозиції KSD2012GTU за ціною від 24.18 грн до 117.33 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
KSD2012GTU KSD2012GTU Виробник : ON Semiconductor ksd2012d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 7000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1000+30.21 грн
Мінімальне замовлення: 1000
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU KSD2012GTU Виробник : ON Semiconductor ksd2012d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 805 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
23+31.21 грн
Мінімальне замовлення: 23
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU KSD2012GTU Виробник : ON Semiconductor ksd2012d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+37.50 грн
50+37.13 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU KSD2012GTU Виробник : Fairchild Semiconductor FAIRS25380-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: TRANS NPN 60V 3A TO-220F-3
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 64904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
484+43.83 грн
Мінімальне замовлення: 484
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU KSD2012GTU Виробник : ON Semiconductor ksd2012d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 64904 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
673+45.89 грн
1000+42.32 грн
10000+37.74 грн
Мінімальне замовлення: 673
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU KSD2012GTU Виробник : ON Semiconductor ksd2012d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 2000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
192+64.50 грн
500+44.35 грн
1000+40.35 грн
Мінімальне замовлення: 192
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU KSD2012GTU Виробник : onsemi ksd2012-d.pdf Description: TRANS NPN 60V 3A TO-220F-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 1V @ 200mA, 2A
Current - Collector Cutoff (Max): 100µA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 150 @ 500mA, 5V
Frequency - Transition: 3MHz
Supplier Device Package: TO-220F-3
Current - Collector (Ic) (Max): 3 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V
Power - Max: 25 W
на замовлення 8458 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+108.78 грн
50+49.46 грн
100+44.06 грн
500+32.46 грн
1000+29.59 грн
2000+27.19 грн
5000+24.18 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU KSD2012GTU Виробник : ONSEMI 2572469.pdf Description: ONSEMI - KSD2012GTU - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 60 V, 3 A, 25 W, TO-220F, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 25W
Bauform - Transistor: TO-220F
Dauerkollektorstrom: 3A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 60V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 3MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 9388 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+113.67 грн
17+52.22 грн
100+49.14 грн
500+31.19 грн
1000+24.83 грн
5000+24.32 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU KSD2012GTU Виробник : onsemi / Fairchild KSD2012-D.pdf Bipolar Transistors - BJT NPN Si Transistor Epitaxial
на замовлення 3767 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
4+117.33 грн
10+48.19 грн
100+39.62 грн
500+29.56 грн
1000+27.88 грн
2500+27.66 грн
5000+27.35 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU KSD2012GTU Виробник : ON Semiconductor ksd2012d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 78 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU KSD2012GTU Виробник : ON Semiconductor ksd2012d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU KSD2012GTU Виробник : ON Semiconductor ksd2012-d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU KSD2012GTU Виробник : ON Semiconductor ksd2012d.pdf Trans GP BJT NPN 60V 3A 25000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
KSD2012GTU Виробник : ONSEMI pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB281E1EDEBCE46FF6F2BA60D6&compId=KSD2012.pdf?ci_sign=f65b33588077cba0be5c8f939781ec2ba95b48b7 Category: NPN THT transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 60V; 3A; 25W; TO220FP
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 60V
Collector current: 3A
Power dissipation: 25W
Case: TO220FP
Current gain: 150...320
Mounting: THT
Kind of package: tube
Frequency: 3MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.