Результат пошуку "MUN5233DW1" : 31

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
MUN5233DW1T1G MUN5233DW1T1G ONSEMI dtc143zd-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 80...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+17.84 грн
37+ 10.31 грн
54+ 7.05 грн
100+ 6.02 грн
316+ 2.79 грн
868+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 23
MUN5233DW1T1G MUN5233DW1T1G ONSEMI dtc143zd-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 80...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
14+21.41 грн
22+ 12.85 грн
50+ 8.46 грн
100+ 7.22 грн
316+ 3.35 грн
868+ 3.16 грн
12000+ 3.05 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5233DW1T1G MUN5233DW1T1G ON Semiconductor dtc143zd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.08 грн
9000+ 2.72 грн
24000+ 2.55 грн
45000+ 2.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5233DW1T1G MUN5233DW1T1G ON Semiconductor dtc143zd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3668+3.34 грн
9000+ 3.02 грн
24000+ 2.75 грн
45000+ 2.47 грн
Мінімальне замовлення: 3668
MUN5233DW1T1G MUN5233DW1T1G onsemi dtc143zd-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 10905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
18+17.98 грн
28+ 10.77 грн
100+ 6.68 грн
500+ 4.61 грн
1000+ 4.07 грн
Мінімальне замовлення: 18
MUN5233DW1T1G MUN5233DW1T1G ON Semiconductor dtc143zd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5233DW1T1G MUN5233DW1T1G ON Semiconductor dtc143zd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3319+3.69 грн
6000+ 3.54 грн
12000+ 3.48 грн
Мінімальне замовлення: 3319
MUN5233DW1T1G MUN5233DW1T1G ON Semiconductor dtc143zd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.94 грн
9000+ 2.6 грн
24000+ 2.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5233DW1T1G MUN5233DW1T1G ONSEMI 1813876.pdf Description: ONSEMI - MUN5233DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
52+15.81 грн
73+ 11.19 грн
125+ 6.5 грн
500+ 4.22 грн
1500+ 3.82 грн
Мінімальне замовлення: 52
MUN5233DW1T1G MUN5233DW1T1G ON Semiconductor dtc143zd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
34+18.12 грн
54+ 11.27 грн
115+ 5.1 грн
250+ 4.68 грн
500+ 4.44 грн
1000+ 2.67 грн
Мінімальне замовлення: 34
MUN5233DW1T1G MUN5233DW1T1G ON Semiconductor dtc143zd-d.pdf Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3847+3.19 грн
9000+ 2.89 грн
24000+ 2.62 грн
Мінімальне замовлення: 3847
MUN5233DW1T1G MUN5233DW1T1G onsemi DTC143ZD_D-2310787.pdf Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
на замовлення 28347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+20.41 грн
28+ 12.3 грн
100+ 4.92 грн
1000+ 4.05 грн
3000+ 3.11 грн
9000+ 2.6 грн
24000+ 2.53 грн
Мінімальне замовлення: 17
MUN5233DW1T1G MUN5233DW1T1G onsemi dtc143zd-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.74 грн
6000+ 3.23 грн
9000+ 3.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5233DW1T1G MUN5233DW1T1G ONSEMI 1813876.pdf Description: ONSEMI - MUN5233DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.22 грн
1500+ 3.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN5233DW1T1 MUN5211DW1T1%20Series.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVMUN5233DW1T3G NSVMUN5233DW1T3G onsemi dtc143zd-d.pdf Description: TRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 10000
NSVMUN5233DW1T3G NSVMUN5233DW1T3G onsemi dtc143zd-d.pdf Description: TRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.24 грн
20+ 15.74 грн
100+ 7.69 грн
500+ 6.02 грн
1000+ 4.18 грн
2000+ 3.63 грн
5000+ 3.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
SMUN5233DW1T1G SMUN5233DW1T1G ONSEMI 2338006.pdf Description: ONSEMI - SMUN5233DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
32+26.11 грн
48+ 16.95 грн
100+ 9.97 грн
500+ 8.36 грн
1000+ 6.87 грн
Мінімальне замовлення: 32
SMUN5233DW1T1G SMUN5233DW1T1G onsemi dtc143zd-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.93 грн
6000+ 3.4 грн
9000+ 3.2 грн
15000+ 2.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SMUN5233DW1T1G SMUN5233DW1T1G ONSEMI 2338006.pdf Description: ONSEMI - SMUN5233DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+8.36 грн
1000+ 6.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
SMUN5233DW1T1G SMUN5233DW1T1G onsemi DTC143ZD_D-2310787.pdf Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 5627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
17+20.41 грн
28+ 11.89 грн
100+ 4.92 грн
1000+ 3.9 грн
3000+ 3.25 грн
9000+ 2.67 грн
24000+ 2.53 грн
Мінімальне замовлення: 17
SMUN5233DW1T1G SMUN5233DW1T1G onsemi dtc143zd-d.pdf Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.76 грн
27+ 11.22 грн
100+ 7.01 грн
500+ 4.84 грн
1000+ 4.27 грн
Мінімальне замовлення: 17
LMUN5233DW1T1G LRC SOT363
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMUN5233DW1T1G
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5233DW1 onsemi SS SC88 BR XSTR NPN 50V
товар відсутній
MUN5233DW1T1 MUN5233DW1T1 onsemi MUN5211DW1T1%20Series.pdf Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NSVMUN5233DW1T3G onsemi DTC143ZD_D-2310787.pdf Digital Transistors SS SC88 BR XSTR NPN
товар відсутній
SMUN5233DW1T1G SMUN5233DW1T1G ONSEMI dtc143zd-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
товар відсутній
SMUN5233DW1T1G SMUN5233DW1T1G ONSEMI dtc143zd-d.pdf Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній
MUN5233DW1T1G dtc143zd-d.pdf
MUN5233DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 80...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
23+17.84 грн
37+ 10.31 грн
54+ 7.05 грн
100+ 6.02 грн
316+ 2.79 грн
868+ 2.64 грн
Мінімальне замовлення: 23
MUN5233DW1T1G dtc143zd-d.pdf
MUN5233DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Current gain: 80...200
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 900 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
14+21.41 грн
22+ 12.85 грн
50+ 8.46 грн
100+ 7.22 грн
316+ 3.35 грн
868+ 3.16 грн
12000+ 3.05 грн
Мінімальне замовлення: 14
MUN5233DW1T1G dtc143zd-d.pdf
MUN5233DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.08 грн
9000+ 2.72 грн
24000+ 2.55 грн
45000+ 2.29 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5233DW1T1G dtc143zd-d.pdf
MUN5233DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 57000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3668+3.34 грн
9000+ 3.02 грн
24000+ 2.75 грн
45000+ 2.47 грн
Мінімальне замовлення: 3668
MUN5233DW1T1G dtc143zd-d.pdf
MUN5233DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 10905 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+17.98 грн
28+ 10.77 грн
100+ 6.68 грн
500+ 4.61 грн
1000+ 4.07 грн
Мінімальне замовлення: 18
MUN5233DW1T1G dtc143zd-d.pdf
MUN5233DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
MUN5233DW1T1G dtc143zd-d.pdf
MUN5233DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3319+3.69 грн
6000+ 3.54 грн
12000+ 3.48 грн
Мінімальне замовлення: 3319
MUN5233DW1T1G dtc143zd-d.pdf
MUN5233DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+2.94 грн
9000+ 2.6 грн
24000+ 2.44 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5233DW1T1G 1813876.pdf
MUN5233DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5233DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
52+15.81 грн
73+ 11.19 грн
125+ 6.5 грн
500+ 4.22 грн
1500+ 3.82 грн
Мінімальне замовлення: 52
MUN5233DW1T1G dtc143zd-d.pdf
MUN5233DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1149 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
34+18.12 грн
54+ 11.27 грн
115+ 5.1 грн
250+ 4.68 грн
500+ 4.44 грн
1000+ 2.67 грн
Мінімальне замовлення: 34
MUN5233DW1T1G dtc143zd-d.pdf
MUN5233DW1T1G
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3847+3.19 грн
9000+ 2.89 грн
24000+ 2.62 грн
Мінімальне замовлення: 3847
MUN5233DW1T1G DTC143ZD_D-2310787.pdf
MUN5233DW1T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
на замовлення 28347 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+20.41 грн
28+ 12.3 грн
100+ 4.92 грн
1000+ 4.05 грн
3000+ 3.11 грн
9000+ 2.6 грн
24000+ 2.53 грн
Мінімальне замовлення: 17
MUN5233DW1T1G dtc143zd-d.pdf
MUN5233DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.74 грн
6000+ 3.23 грн
9000+ 3.04 грн
Мінімальне замовлення: 3000
MUN5233DW1T1G 1813876.pdf
MUN5233DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5233DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+4.22 грн
1500+ 3.82 грн
Мінімальне замовлення: 500
MUN5233DW1T1 MUN5211DW1T1%20Series.pdf
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
NSVMUN5233DW1T3G dtc143zd-d.pdf
NSVMUN5233DW1T3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
10000+3.09 грн
Мінімальне замовлення: 10000
NSVMUN5233DW1T3G dtc143zd-d.pdf
NSVMUN5233DW1T3G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 50V DUAL BIPO SC88-6
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
13+24.24 грн
20+ 15.74 грн
100+ 7.69 грн
500+ 6.02 грн
1000+ 4.18 грн
2000+ 3.63 грн
5000+ 3.31 грн
Мінімальне замовлення: 13
SMUN5233DW1T1G 2338006.pdf
SMUN5233DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMUN5233DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
32+26.11 грн
48+ 16.95 грн
100+ 9.97 грн
500+ 8.36 грн
1000+ 6.87 грн
Мінімальне замовлення: 32
SMUN5233DW1T1G dtc143zd-d.pdf
SMUN5233DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
3000+3.93 грн
6000+ 3.4 грн
9000+ 3.2 грн
15000+ 2.8 грн
Мінімальне замовлення: 3000
SMUN5233DW1T1G 2338006.pdf
SMUN5233DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - SMUN5233DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 1209 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
500+8.36 грн
1000+ 6.87 грн
Мінімальне замовлення: 500
SMUN5233DW1T1G DTC143ZD_D-2310787.pdf
SMUN5233DW1T1G
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS BR XSTR NPN 50V
на замовлення 5627 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+20.41 грн
28+ 11.89 грн
100+ 4.92 грн
1000+ 3.9 грн
3000+ 3.25 грн
9000+ 2.67 грн
24000+ 2.53 грн
Мінімальне замовлення: 17
SMUN5233DW1T1G dtc143zd-d.pdf
SMUN5233DW1T1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SC88
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 187mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 20730 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+18.76 грн
27+ 11.22 грн
100+ 7.01 грн
500+ 4.84 грн
1000+ 4.27 грн
Мінімальне замовлення: 17
LMUN5233DW1T1G
Виробник: LRC
SOT363
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MMUN5233DW1T1G
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
MUN5233DW1
Виробник: onsemi
SS SC88 BR XSTR NPN 50V
товар відсутній
MUN5233DW1T1 MUN5211DW1T1%20Series.pdf
MUN5233DW1T1
Виробник: onsemi
Description: TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Obsolete
товар відсутній
NSVMUN5233DW1T3G DTC143ZD_D-2310787.pdf
Виробник: onsemi
Digital Transistors SS SC88 BR XSTR NPN
товар відсутній
SMUN5233DW1T1G dtc143zd-d.pdf
SMUN5233DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
товар відсутній
SMUN5233DW1T1G dtc143zd-d.pdf
SMUN5233DW1T1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 4.7kΩ
Type of transistor: NPN x2
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 4.7kΩ
Application: automotive industry
Base-emitter resistor: 47kΩ
кількість в упаковці: 10 шт
товар відсутній