MUN5233DW1T1G ON Semiconductor
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 9147+ | 3.87 грн |
| 10274+ | 3.44 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MUN5233DW1T1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - MUN5233DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 385mW, Bauform - Transistor: SOT-363, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 6 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Zweifach npn, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Інші пропозиції MUN5233DW1T1G за ціною від 3.32 грн до 19.21 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
MUN5233DW1T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 354000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MUN5233DW1T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 354000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MUN5233DW1T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MUN5233DW1T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MUN5233DW1T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MUN5233DW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5233DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MUN5233DW1T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 1472 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MUN5233DW1T1G | ONSEMI |
Category: NPN SMD transistorsDescription: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 4.7kΩ Mounting: SMD Base resistor: 4.7kΩ Base-emitter resistor: 47kΩ Kind of package: reel; tape Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Case: SC70-6; SC88; SOT363 Type of transistor: NPN x2 Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Current gain: 80...200 Collector-emitter voltage: 50V |
на замовлення 1935 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MUN5233DW1T1G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual) Power - Max: 250mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Resistor - Base (R1): 4.7kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active |
на замовлення 591 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
MUN5233DW1T1G | onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN |
на замовлення 10786 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MUN5233DW1T1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - MUN5233DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 385mW Bauform - Transistor: SOT-363 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 6 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach npn Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
на замовлення 1595 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
MUN5233DW1T1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R |
на замовлення 79 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| MUN5233DW1T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 354000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.47 грн |
| 6000+ | 4.01 грн |
| MUN5233DW1T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 354000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3165+ | 4.47 грн |
| 6000+ | 4.02 грн |
| MUN5233DW1T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.87 грн |
| 6000+ | 4.38 грн |
| MUN5233DW1T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 4.87 грн |
| 6000+ | 4.38 грн |
| MUN5233DW1T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.70 грн |
| 6000+ | 4.91 грн |
| 12000+ | 4.48 грн |
| MUN5233DW1T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5233DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MUN5233DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 11.81 грн |
| 110+ | 7.37 грн |
| 500+ | 5.06 грн |
| 1500+ | 4.15 грн |
| MUN5233DW1T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 1472 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1007+ | 14.06 грн |
| MUN5233DW1T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Current gain: 80...200
Collector-emitter voltage: 50V
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN x2; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 0.25W; R1: 4.7kΩ
Mounting: SMD
Base resistor: 4.7kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Case: SC70-6; SC88; SOT363
Type of transistor: NPN x2
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.25W
Current gain: 80...200
Collector-emitter voltage: 50V
на замовлення 1935 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 28+ | 16.07 грн |
| 36+ | 11.61 грн |
| 41+ | 10.12 грн |
| 100+ | 6.01 грн |
| 500+ | 4.20 грн |
| 1000+ | 3.62 грн |
| 1500+ | 3.32 грн |
| MUN5233DW1T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
Description: TRANS PREBIAS 2NPN 50V SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Power - Max: 250mW
Current - Collector (Ic) (Max): 100mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 1mA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Resistor - Base (R1): 4.7kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47kOhms
Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 591 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 17.82 грн |
| 29+ | 10.37 грн |
| 100+ | 6.45 грн |
| 500+ | 4.45 грн |
| MUN5233DW1T1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
Digital Transistors 100mA 50V BRT Dual NPN
на замовлення 10786 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 18.64 грн |
| 29+ | 11.17 грн |
| 100+ | 6.06 грн |
| 500+ | 4.48 грн |
| 3000+ | 4.41 грн |
| MUN5233DW1T1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - MUN5233DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Description: ONSEMI - MUN5233DW1T1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Zweifach npn, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 385mW
Bauform - Transistor: SOT-363
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 6 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach npn
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 1595 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 42+ | 19.21 грн |
| 69+ | 11.81 грн |
| 110+ | 7.37 грн |
| 500+ | 5.06 грн |
| 1500+ | 4.15 грн |
| MUN5233DW1T1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 0.1A 385mW 6-Pin SC-88 T/R
на замовлення 79 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)






