Результат пошуку "NVD5C648NL" : 9

Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
NVD5C648NLT4G NVD5C648NLT4G ONSEMI 2907469.pdf Description: ONSEMI - NVD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+238.38 грн
10+ 167.03 грн
100+ 140.27 грн
500+ 84.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVD5C648NLT4G NVD5C648NLT4G onsemi nvd5c648nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 292500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2500+85.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NVD5C648NLT4G NVD5C648NLT4G ON Semiconductor nvd5c648nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+150.35 грн
10+ 132.28 грн
25+ 130.92 грн
100+ 106.04 грн
250+ 97.17 грн
500+ 82.1 грн
1000+ 81.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVD5C648NLT4G NVD5C648NLT4G ONSEMI 2907469.pdf Description: ONSEMI - NVD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+140.27 грн
500+ 84.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVD5C648NLT4G NVD5C648NLT4G onsemi nvd5c648nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 294425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.55 грн
10+ 159.62 грн
100+ 111.65 грн
500+ 85.52 грн
1000+ 79.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVD5C648NLT4G NVD5C648NLT4G onsemi NVD5C648NL_D-2319518.pdf MOSFETs T6 60V LL DPAK
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
2+218.41 грн
10+ 163.75 грн
100+ 107.7 грн
250+ 106.97 грн
500+ 89.63 грн
1000+ 85.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVD5C648NLT4G NVD5C648NLT4G ON Semiconductor nvd5c648nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+161.91 грн
87+ 140.99 грн
104+ 114.2 грн
250+ 104.65 грн
500+ 88.41 грн
1000+ 87.36 грн
Мінімальне замовлення: 76
NVD5C648NL onsemi T6 60V LL DPAK
товар відсутній
NVD5C648NLT4G NVD5C648NLT4G ON Semiconductor nvd5c648nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній
NVD5C648NLT4G 2907469.pdf
NVD5C648NLT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4+238.38 грн
10+ 167.03 грн
100+ 140.27 грн
500+ 84.33 грн
Мінімальне замовлення: 4
NVD5C648NLT4G nvd5c648nl-d.pdf
NVD5C648NLT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 292500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2500+85.34 грн
Мінімальне замовлення: 2500
NVD5C648NLT4G nvd5c648nl-d.pdf
NVD5C648NLT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
5+150.35 грн
10+ 132.28 грн
25+ 130.92 грн
100+ 106.04 грн
250+ 97.17 грн
500+ 82.1 грн
1000+ 81.12 грн
Мінімальне замовлення: 5
NVD5C648NLT4G 2907469.pdf
NVD5C648NLT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+140.27 грн
500+ 84.33 грн
Мінімальне замовлення: 100
NVD5C648NLT4G nvd5c648nl-d.pdf
NVD5C648NLT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 294425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+252.55 грн
10+ 159.62 грн
100+ 111.65 грн
500+ 85.52 грн
1000+ 79.32 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVD5C648NLT4G NVD5C648NL_D-2319518.pdf
NVD5C648NLT4G
Виробник: onsemi
MOSFETs T6 60V LL DPAK
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
2+218.41 грн
10+ 163.75 грн
100+ 107.7 грн
250+ 106.97 грн
500+ 89.63 грн
1000+ 85.29 грн
Мінімальне замовлення: 2
NVD5C648NLT4G nvd5c648nl-d.pdf
NVD5C648NLT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
76+161.91 грн
87+ 140.99 грн
104+ 114.2 грн
250+ 104.65 грн
500+ 88.41 грн
1000+ 87.36 грн
Мінімальне замовлення: 76
NVD5C648NL
Виробник: onsemi
T6 60V LL DPAK
товар відсутній
NVD5C648NLT4G nvd5c648nl-d.pdf
NVD5C648NLT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товар відсутній