Продукція > ONSEMI > NVD5C648NLT4G
NVD5C648NLT4G

NVD5C648NLT4G onsemi

nvd5c648nl-d.pdf
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 292500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2500+85.37 грн
Мінімальне замовлення: 2500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVD5C648NLT4G onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 89A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 72W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVD5C648NLT4G за ціною від 79.34 грн до 252.61 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
NVD5C648NLT4G NVD5C648NLT4G ON Semiconductor nvd5c648nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+186.37 грн
10+163.98 грн
25+162.29 грн
100+131.45 грн
250+120.46 грн
500+101.77 грн
1000+100.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4G NVD5C648NLT4G ON Semiconductor nvd5c648nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
76+186.37 грн
87+162.29 грн
104+131.45 грн
250+120.46 грн
500+101.77 грн
1000+100.56 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4G NVD5C648NLT4G onsemi nvd5c648nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 294425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+252.61 грн
10+159.66 грн
100+111.68 грн
500+85.54 грн
1000+79.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4G NVD5C648NLT4G onsemi F0101C5767A9544142C7FCA0F66A1068BF9C0BD1CDB45E5CB8F81001304E2702.pdf MOSFETs T6 60V LL DPAK
на замовлення 3353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4G NVD5C648NLT4G ONSEMI nvd5c648nl-d.pdf Description: ONSEMI - NVD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4G NVD5C648NLT4G ONSEMI nvd5c648nl-d.pdf Description: ONSEMI - NVD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4G ONN nvd5c648nl-d.pdf
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4G nvd5c648nl-d.pdf
NVD5C648NLT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
5+186.37 грн
10+163.98 грн
25+162.29 грн
100+131.45 грн
250+120.46 грн
500+101.77 грн
1000+100.56 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4G nvd5c648nl-d.pdf
NVD5C648NLT4G
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
76+186.37 грн
87+162.29 грн
104+131.45 грн
250+120.46 грн
500+101.77 грн
1000+100.56 грн
Мінімальне замовлення: 76 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4G nvd5c648nl-d.pdf
NVD5C648NLT4G
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 294425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+252.61 грн
10+159.66 грн
100+111.68 грн
500+85.54 грн
1000+79.34 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4G F0101C5767A9544142C7FCA0F66A1068BF9C0BD1CDB45E5CB8F81001304E2702.pdf
NVD5C648NLT4G
Виробник: onsemi
MOSFETs T6 60V LL DPAK
на замовлення 3353 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4G nvd5c648nl-d.pdf
NVD5C648NLT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4G nvd5c648nl-d.pdf
NVD5C648NLT4G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NVD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 3400 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3400µohm
SVHC: Lead (27-Jun-2024)
на замовлення 94 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 94 шт
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4G nvd5c648nl-d.pdf
Виробник: ONN
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.