Продукція > ONSEMI > NVD5C648NLT4G
NVD5C648NLT4G

NVD5C648NLT4G onsemi

nvd5c648nl-d.pdf Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 292500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2500+86.66 грн
Мінімальне замовлення: 2500
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис NVD5C648NLT4G onsemi

Description: MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 89A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 45A, 10V, Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 72W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA, Supplier Device Package: DPAK, Grade: Automotive, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V, Qualification: AEC-Q101.

Інші пропозиції NVD5C648NLT4G за ціною від 80.54 грн до 256.43 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
NVD5C648NLT4G NVD5C648NLT4G Виробник : ONSEMI 2907469.pdf Description: ONSEMI - NVD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
100+142.43 грн
500+85.62 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4G NVD5C648NLT4G Виробник : ON Semiconductor nvd5c648nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5+149.26 грн
10+131.33 грн
25+129.98 грн
100+105.28 грн
250+96.47 грн
500+81.51 грн
1000+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 5
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4G NVD5C648NLT4G Виробник : ON Semiconductor nvd5c648nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
76+160.75 грн
87+139.97 грн
104+113.38 грн
250+103.89 грн
500+87.77 грн
1000+86.73 грн
Мінімальне замовлення: 76
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4G NVD5C648NLT4G Виробник : onsemi NVD5C648NL_D-2319518.pdf MOSFETs T6 60V LL DPAK
на замовлення 1440 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
2+193.51 грн
10+144.32 грн
100+97.61 грн
500+86.60 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4G NVD5C648NLT4G Виробник : ONSEMI 2907469.pdf Description: ONSEMI - NVD5C648NLT4G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 89 A, 0.0034 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 89A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.1V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 72W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
SVHC: No SVHC (15-Jan-2018)
на замовлення 728 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
4+242.05 грн
10+169.60 грн
100+142.43 грн
500+85.62 грн
Мінімальне замовлення: 4
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4G NVD5C648NLT4G Виробник : onsemi nvd5c648nl-d.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 18A/89A DPAK
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 18A (Ta), 89A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.1mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.1W (Ta), 72W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 250µA
Supplier Device Package: DPAK
Grade: Automotive
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2900 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 294425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
2+256.43 грн
10+162.07 грн
100+113.37 грн
500+86.83 грн
1000+80.54 грн
Мінімальне замовлення: 2
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4G NVD5C648NLT4G Виробник : ON Semiconductor nvd5c648nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4G NVD5C648NLT4G Виробник : ON Semiconductor nvd5c648nl-d.pdf Trans MOSFET N-CH 60V 18A Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
NVD5C648NLT4G Виробник : ONSEMI nvd5c648nl-d.pdf NVD5C648NLT4G SMD N channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.