Результат пошуку "P60N10" : 11
Вид перегляду :
Мінімальне замовлення: 3
Мінімальне замовлення: 2
Мінімальне замовлення: 2
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна без ПДВ |
||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
IXTP60N10T | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Power dissipation: 176W Case: TO220AB On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 49nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 59ns |
на замовлення 211 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTP60N10T | IXYS |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A Power dissipation: 176W Case: TO220AB On-state resistance: 18mΩ Mounting: THT Gate charge: 49nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Reverse recovery time: 59ns кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 211 шт: термін постачання 7-14 дні (днів) |
|
|||||||||||||
IXTP60N10T | IXYS | MOSFET MOSFET Id60 BVdass100 |
на замовлення 52 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
|||||||||||||
STP60N10 |
на замовлення 98000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SUP60N10-16 |
на замовлення 300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SUP60N10-16L |
на замовлення 700 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
SUP60N10-16L-E3 |
на замовлення 200000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||
IXTP60N10T | Littelfuse | Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
||||||||||||||
SUP60N10-16L-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
||||||||||||||
SUP60N10-18P-E3 | Vishay | Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB |
товар відсутній |
IXTP60N10T |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 176W
Case: TO220AB
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 176W
Case: TO220AB
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
на замовлення 211 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
3+ | 130.73 грн |
4+ | 109.6 грн |
10+ | 87.4 грн |
26+ | 82.55 грн |
IXTP60N10T |
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 176W
Case: TO220AB
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
кількість в упаковці: 1 шт
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 100V
Drain current: 60A
Power dissipation: 176W
Case: TO220AB
On-state resistance: 18mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 49nC
Kind of package: tube
Kind of channel: enhanced
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Reverse recovery time: 59ns
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 211 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 156.88 грн |
3+ | 136.58 грн |
10+ | 104.88 грн |
26+ | 99.06 грн |
250+ | 97.39 грн |
IXTP60N10T |
Виробник: IXYS
MOSFET MOSFET Id60 BVdass100
MOSFET MOSFET Id60 BVdass100
на замовлення 52 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)Кількість | Ціна без ПДВ |
---|---|
2+ | 195.79 грн |
10+ | 169.25 грн |
100+ | 117.2 грн |
250+ | 107.88 грн |
500+ | 97.23 грн |
1000+ | 85.24 грн |
IXTP60N10T |
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
Trans MOSFET N-CH 100V 60A Automotive 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
товар відсутній