
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
6+ | 113.07 грн |
25+ | 112.92 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IXTP60N10T Littelfuse
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 176W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V.
Інші пропозиції IXTP60N10T за ціною від 78.43 грн до 235.17 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
IXTP60N10T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTP60N10T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 176W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 49nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO220AB Reverse recovery time: 59ns Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A |
на замовлення 298 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTP60N10T | Виробник : Littelfuse Inc. |
![]() Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V Power Dissipation (Max): 176W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±30V Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V |
на замовлення 1205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTP60N10T | Виробник : IXYS |
![]() Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns On-state resistance: 18mΩ Type of transistor: N-MOSFET Power dissipation: 176W Polarisation: unipolar Kind of package: tube Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet Gate charge: 49nC Kind of channel: enhancement Mounting: THT Case: TO220AB Reverse recovery time: 59ns Drain-source voltage: 100V Drain current: 60A кількість в упаковці: 1 шт |
на замовлення 298 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTP60N10T | Виробник : IXYS |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
![]() |
IXTP60N10T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
на замовлення 50 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||
![]() |
IXTP60N10T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IXTP60N10T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||
![]() |
IXTP60N10T | Виробник : Littelfuse |
![]() |
товару немає в наявності |