Продукція > LITTELFUSE > IXTP60N10T
IXTP60N10T

IXTP60N10T Littelfuse

media.pdf
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
6+141.47 грн
25+141.29 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IXTP60N10T Littelfuse

Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V, Power Dissipation (Max): 176W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±30V, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V.

Інші пропозиції IXTP60N10T за ціною від 94.73 грн до 235.32 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IXTP60N10T IXTP60N10T Littelfuse e_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_60n10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
50+195.27 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10T IXTP60N10T IXYS IXTA(P)60N10T.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Power dissipation: 176W
Gate charge: 49nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 18mΩ
Reverse recovery time: 59ns
Mounting: THT
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+234.46 грн
10+192.78 грн
25+160.38 грн
50+123.81 грн
100+94.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10T IXTP60N10T IXYS littelfuse-discrete-mosfets-ixt-60n10t-datasheet?assetguid=9c28d11f-bd7e-4749-b9d5-f5d766cb0615 Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+235.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10T IXTP60N10T IXYS Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_60N10T_Datasheet.PDF MOSFETs MOSFET Id60 BVdass100
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10T IXTP60N10T Littelfuse e_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_60n10t_datasheet.pdf.pdf Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10T e_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_60n10t_datasheet.pdf.pdf
IXTP60N10T
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
50+195.27 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10T IXTA(P)60N10T.pdf
IXTP60N10T
Виробник: IXYS
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 60A; 176W; TO220AB; 59ns
Power dissipation: 176W
Gate charge: 49nC
Polarisation: unipolar
Features of semiconductor devices: thrench gate power mosfet
Drain current: 60A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 100V
Type of transistor: N-MOSFET
Kind of package: tube
Case: TO220AB
On-state resistance: 18mΩ
Reverse recovery time: 59ns
Mounting: THT
на замовлення 247 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+234.46 грн
10+192.78 грн
25+160.38 грн
50+123.81 грн
100+94.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10T littelfuse-discrete-mosfets-ixt-60n10t-datasheet?assetguid=9c28d11f-bd7e-4749-b9d5-f5d766cb0615
IXTP60N10T
Виробник: IXYS
Description: MOSFET N-CH 100V 60A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 60A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 25A, 10V
Power Dissipation (Max): 176W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 49 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2650 pF @ 25 V
на замовлення 35 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+235.32 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10T Littelfuse_Discrete_MOSFETs_N_Channel_Trench_Gate_IXT_60N10T_Datasheet.PDF
IXTP60N10T
Виробник: IXYS
MOSFETs MOSFET Id60 BVdass100
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IXTP60N10T e_mosfets_n-channel_trench_gate_ixt_60n10t_datasheet.pdf.pdf
IXTP60N10T
Виробник: Littelfuse
Trans MOSFET N-CH 100V 60A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB
на замовлення 50 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.