Результат пошуку "er308" : > 60

Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]
Вид перегляду :
Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
без ПДВ
HER308 HER308
Код товару: 31476 		YJ HER301-8_UF5401-8.pdf description Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-201AD
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 3 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 70 ns
у наявності: 352 шт
2+4 грн
10+ 3.6 грн
100+ 3.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
HER308 HER308
Код товару: 172115 		MIC HER301-8_UF5401-8.pdf description Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-201AD
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 0,125
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 70 ns
у наявності: 719 шт
2+3 грн
10+ 2.6 грн
100+ 2.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
HER308 HER308 CDIL HER301_8.pdf description Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; DO201AD; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 70pF
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 50ns
на замовлення 3475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+11.83 грн
60+ 5.9 грн
65+ 5.28 грн
175+ 4.6 грн
480+ 4.32 грн
Мінімальне замовлення: 35
HER308 HER308 YANGJIE TECHNOLOGY HER301_SER.pdf description Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
35+11.83 грн
55+ 6.52 грн
100+ 5.83 грн
165+ 4.87 грн
450+ 4.6 грн
Мінімальне замовлення: 35
HER308 HER308 DC COMPONENTS HER30x-DTE.pdf description Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; DO27; 100ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
60+6.28 грн
70+ 5.11 грн
220+ 3.67 грн
Мінімальне замовлення: 60
HER308 Yangjie Technology description Випрямний діод вивідний; Io, A = 3; Uзвор, В = 1 000; Uf (max), В = 1,7; If, А = 3; Тексп, °C = -55...+125; DO-27
на замовлення 85 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
85+7.35 грн
100+ 6.24 грн
Мінімальне замовлення: 85
HER308 DC Components description Випрямний діод вивідний; Io, A = 3; Uзвор, В = 1 000; Uf (max), В = 1,7; If, А = 3; trr, нс = 75 мс; Тексп, °C = -65...+150; I, мкА @ Ur, В = 10 @ 1000; DO-27
на замовлення 368 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
89+7.05 грн
99+ 6.35 грн
111+ 5.65 грн
Мінімальне замовлення: 89
HER308 HER308 YANGJIE TECHNOLOGY HER301_SER.pdf description Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+14.19 грн
35+ 8.12 грн
100+ 7 грн
165+ 5.85 грн
450+ 5.52 грн
Мінімальне замовлення: 20
HER308 HER308 DC COMPONENTS HER30x-DTE.pdf description Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; DO27; 100ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 240 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
40+7.54 грн
50+ 6.36 грн
220+ 4.41 грн
600+ 4.17 грн
Мінімальне замовлення: 40
HER308 HER308 CDIL HER301_8.pdf description Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; DO201AD; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 70pF
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3475 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
20+14.19 грн
35+ 7.36 грн
50+ 6.34 грн
175+ 5.52 грн
480+ 5.19 грн
Мінімальне замовлення: 20
HER308; (3A 1000V); 75ns YANGJIE на ленте; корпус: DO-201AD
на замовлення 7110 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
180+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 180
HER308G HER308G YANGJIE TECHNOLOGY HER301G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
20+19.22 грн
45+ 7.82 грн
100+ 7.07 грн
150+ 5.4 грн
405+ 5.1 грн
Мінімальне замовлення: 20
HER308G HER308G YANGJIE TECHNOLOGY HER301G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
15+23.06 грн
30+ 9.75 грн
100+ 8.48 грн
150+ 6.47 грн
405+ 6.12 грн
Мінімальне замовлення: 15
HER308G HER308G HY Electronic (Cayman) Limited 13-HER30XG(UF300XG)-(DO-27).pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO27
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 17
HER308G HER308G Taiwan Semiconductor Corporation 13-HER30XG(UF300XG)-(DO-27).pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.06 грн
10+ 30.13 грн
100+ 20.94 грн
500+ 15.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
HER308G HER308G Taiwan Semiconductor Corporation 13-HER30XG(UF300XG)-(DO-27).pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+13.8 грн
Мінімальне замовлення: 1250
HER308GH HER308GH Taiwan Semiconductor Corporation Description: 75NS, 3A, 1000V, HIGH EFFICIENT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+37.06 грн
10+ 30.13 грн
100+ 20.94 грн
500+ 15.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
HER308GH HER308GH Taiwan Semiconductor Corporation Description: 75NS, 3A, 1000V, HIGH EFFICIENT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1250+13.8 грн
2500+ 11.88 грн
Мінімальне замовлення: 1250
Діод ультрашвидкий HER308 3A 1000V 70ns, DO-27
на замовлення 456 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
67+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 67
HER308 description HER308 Диоды
на замовлення 103 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
HER308G Yangzhou Yangjie Electronic Imp & Exp.Co.Ltd 13-HER30XG(UF300XG)-(DO-27).pdf HER308 3.0A 1000V DO-27
на замовлення 370 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
TCDG0ER308
на замовлення 310000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF5408 LGE uf5400.pdf 3A; 1000V; ultra fast <75ns packaging: ammo; equivalent: HER308; SF310 UF5408 diode rectifying DP UF5408 q
кількість в упаковці: 1250 шт
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1250+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 1250
UF5408 LGE uf5400.pdf 3A; 1000V; ultra fast <75ns packaging: ammo; equivalent: HER308; SF310 UF5408 diode rectifying DP UF5408 q
кількість в упаковці: 1250 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1250+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 1250
UF5408 MIC uf5400.pdf 3A; 1000V; ultra fast <75ns packaging: ammo; equivalent: HER308; SF310 UF5408 diode rectifying DP UF5408
кількість в упаковці: 1250 шт
на замовлення 6250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1250+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 1250
UF5408 MIC uf5400.pdf 3A; 1000V; ultra fast <75ns packaging: ammo; equivalent: HER308; SF310 UF5408 diode rectifying DP UF5408
кількість в упаковці: 1250 шт
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
1250+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 1250
HER308-AP
Код товару: 15448 		HER301_-_HER308.pdf Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
товар відсутній
HER308G
Код товару: 186358 		13-HER30XG(UF300XG)-(DO-27).pdf Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
товар відсутній
ER308_R2_00001 ER308_R2_00001 Panjit International Inc. ER300_SERIES.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товар відсутній
ER308_R2_00001 ER308_R2_00001 Panjit International Inc. ER300_SERIES.pdf Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товар відсутній
ECD-G0ER308 ECD-G0ER308 Panasonic Electronic Components ECD-G_%28Hi-Q%29.pdf Description: CAP CER 0.3PF 25V C0G/NP0 0402
Tolerance: ±0.05pF
Features: High Q, Low Loss
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: RF, Microwave, High Frequency
Thickness (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Obsolete
Capacitance: 0.3 pF
товар відсутній
ECD-G0ER308 ECD-G0ER308 Panasonic Electronic Components ECD-G_%28Hi-Q%29.pdf Description: CAP CER 0.3PF 25V C0G/NP0 0402
Tolerance: ±0.05pF
Features: High Q, Low Loss
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: RF, Microwave, High Frequency
Thickness (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Obsolete
Capacitance: 0.3 pF
товар відсутній
ECD-GZER308 ECD-GZER308 Panasonic Electronic Components ECD-G_%28Hi-Q%29.pdf Description: CAP CER 0.3PF 25V C0G/NP0 0201
Tolerance: ±0.05pF
Features: High Q, Low Loss
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: RF, Microwave, High Frequency
Thickness (Max): 0.013" (0.33mm)
Part Status: Obsolete
Capacitance: 0.3 pF
товар відсутній
ECD-GZER308 ECD-GZER308 Panasonic Electronic Components ECD-G_%28Hi-Q%29.pdf Description: CAP CER 0.3PF 25V C0G/NP0 0201
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±0.05pF
Features: High Q, Low Loss
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: RF, Microwave, High Frequency
Thickness (Max): 0.013" (0.33mm)
Part Status: Obsolete
Capacitance: 0.3 pF
товар відсутній
HER308 HER308 DC COMPONENTS HER30x-DTE.pdf description Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; DO27; 100ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 100ns
товар відсутній
HER308 HER308 DC COMPONENTS HER30x-DTE.pdf description Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; DO27; 100ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 240 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
40+7.54 грн
50+ 6.36 грн
220+ 4.41 грн
600+ 4.17 грн
Мінімальне замовлення: 40
HER308 R0 HER308 R0 Taiwan Semiconductor her301_d11.pdf Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
HER308-AP HER308-AP Micro Commercial Co HER301_-_HER308.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
HER308-T HER308-T Rectron her301-her308.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
HER308-TP HER308-TP Micro Commercial Co HER301_-_HER308.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
HER308-TP HER308-TP Micro Commercial Components 46930232385051848her301-308do-201ad.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
HER308G Taiwan Semiconductor her301g20series_c10.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
HER308G A0 HER308G A0 Taiwan Semiconductor 79her301g20series_f14.pdf Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
HER308G A0G HER308G A0G Taiwan Semiconductor her301gseries_i2105.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns Automotive 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
HER308G B0G HER308G B0G Taiwan Semiconductor Corporation HER301G%20SERIES_I2105.pdf Description: DIODE GEN PURP 3A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
товар відсутній
HER308G R0 HER308G R0 Taiwan Semiconductor her301gseries_i2105.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
HER308G R0 HER308G R0 Taiwan Semiconductor her301gseries_i2105.pdf Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
HER308G R0G HER308G R0G Taiwan Semiconductor her301gseries_i2105.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
HER308G-AP HER308G-AP Micro Commercial Co HER301G~HER308G(DO-201AD).pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
HER308G-AP HER308G-AP Micro Commercial Components her301gher308gdo-201ad.pdf Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
HER308G-K HER308G-K Taiwan Semiconductor Corporation Description: 75NS, 3A, 1000V, HIGH EFFICIENT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
HER308G-K A0G HER308G-K A0G Taiwan Semiconductor 462her301g-k20series_b1706.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
HER308G-T HER308G-T Rectron her301g-308g.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
HER308G-TP HER308G-TP Micro Commercial Components her301gher308gdo-201ad-v1.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
HER308G-TP HER308G-TP Micro Commercial Co HER301G~HER308G(DO-201AD).pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
HER308GA-G Comchip Technology HER301G-G%20Thru.%20HER308G-G%20RevA.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO27
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
HER308GHA0G Taiwan Semiconductor her301gseries_i2105.pdf 3A,1000V, GLASS PASSIVATED HIGH EFFICIENT RECTIFIER
товар відсутній
HER308GHR0G Taiwan Semiconductor her301g20series_h15.pdf HER308GHR0G
товар відсутній
HER308GT-G Comchip Technology HER301G-G%20Thru.%20HER308G-G%20RevA.pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO27
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
HER308
Код товару: 31476		 description HER301-8_UF5401-8.pdf
HER308
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-201AD
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 3 A
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 70 ns
у наявності: 352 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+4 грн
10+ 3.6 грн
100+ 3.2 грн
Мінімальне замовлення: 2
HER308
Код товару: 172115		 description HER301-8_UF5401-8.pdf
HER308
Виробник: MIC
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
Корпус: DO-201AD
Vrr, V: 1000 V
Iav, A: 0,125
Час зворотнього відновлення Trr, ns: 70 ns
у наявності: 719 шт
Кількість Ціна без ПДВ
2+3 грн
10+ 2.6 грн
100+ 2.1 грн
Мінімальне замовлення: 2
HER308 description HER301_8.pdf
HER308
Виробник: CDIL
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; DO201AD; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 70pF
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 50ns
на замовлення 3475 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+11.83 грн
60+ 5.9 грн
65+ 5.28 грн
175+ 4.6 грн
480+ 4.32 грн
Мінімальне замовлення: 35
HER308 description HER301_SER.pdf
HER308
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
35+11.83 грн
55+ 6.52 грн
100+ 5.83 грн
165+ 4.87 грн
450+ 4.6 грн
Мінімальне замовлення: 35
HER308 description HER30x-DTE.pdf
HER308
Виробник: DC COMPONENTS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; DO27; 100ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 100ns
на замовлення 240 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
60+6.28 грн
70+ 5.11 грн
220+ 3.67 грн
Мінімальне замовлення: 60
HER308 description
Виробник: Yangjie Technology
Випрямний діод вивідний; Io, A = 3; Uзвор, В = 1 000; Uf (max), В = 1,7; If, А = 3; Тексп, °C = -55...+125; DO-27
на замовлення 85 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
85+7.35 грн
100+ 6.24 грн
Мінімальне замовлення: 85
HER308 description
Виробник: DC Components
Випрямний діод вивідний; Io, A = 3; Uзвор, В = 1 000; Uf (max), В = 1,7; If, А = 3; trr, нс = 75 мс; Тексп, °C = -65...+150; I, мкА @ Ur, В = 10 @ 1000; DO-27
на замовлення 368 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
89+7.05 грн
99+ 6.35 грн
111+ 5.65 грн
Мінімальне замовлення: 89
HER308 description HER301_SER.pdf
HER308
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1115 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.19 грн
35+ 8.12 грн
100+ 7 грн
165+ 5.85 грн
450+ 5.52 грн
Мінімальне замовлення: 20
HER308 description HER30x-DTE.pdf
HER308
Виробник: DC COMPONENTS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; DO27; 100ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 240 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+7.54 грн
50+ 6.36 грн
220+ 4.41 грн
600+ 4.17 грн
Мінімальне замовлення: 40
HER308 description HER301_8.pdf
HER308
Виробник: CDIL
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; DO201AD; 50ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Capacitance: 70pF
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 50ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 3475 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+14.19 грн
35+ 7.36 грн
50+ 6.34 грн
175+ 5.52 грн
480+ 5.19 грн
Мінімальне замовлення: 20
HER308; (3A 1000V); 75ns YANGJIE на ленте; корпус: DO-201AD
на замовлення 7110 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
180+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 180
HER308G HER301G_SER.pdf
HER308G
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+19.22 грн
45+ 7.82 грн
100+ 7.07 грн
150+ 5.4 грн
405+ 5.1 грн
Мінімальне замовлення: 20
HER308G HER301G_SER.pdf
HER308G
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1020 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+23.06 грн
30+ 9.75 грн
100+ 8.48 грн
150+ 6.47 грн
405+ 6.12 грн
Мінімальне замовлення: 15
HER308G 13-HER30XG(UF300XG)-(DO-27).pdf
HER308G
Виробник: HY Electronic (Cayman) Limited
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO27
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+17.67 грн
Мінімальне замовлення: 17
HER308G 13-HER30XG(UF300XG)-(DO-27).pdf
HER308G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 1546 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.06 грн
10+ 30.13 грн
100+ 20.94 грн
500+ 15.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
HER308G 13-HER30XG(UF300XG)-(DO-27).pdf
HER308G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1250+13.8 грн
Мінімальне замовлення: 1250
HER308GH
HER308GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 75NS, 3A, 1000V, HIGH EFFICIENT
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.06 грн
10+ 30.13 грн
100+ 20.94 грн
500+ 15.34 грн
Мінімальне замовлення: 8
HER308GH
HER308GH
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 75NS, 3A, 1000V, HIGH EFFICIENT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Grade: Automotive
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1250+13.8 грн
2500+ 11.88 грн
Мінімальне замовлення: 1250
Діод ультрашвидкий HER308 3A 1000V 70ns, DO-27
на замовлення 456 шт:
термін постачання 3 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
67+2.41 грн
Мінімальне замовлення: 67
HER308 description
HER308 Диоды
на замовлення 103 шт:
термін постачання 2-3 дні (днів)
HER308G 13-HER30XG(UF300XG)-(DO-27).pdf
Виробник: Yangzhou Yangjie Electronic Imp & Exp.Co.Ltd
HER308 3.0A 1000V DO-27
на замовлення 370 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
TCDG0ER308
на замовлення 310000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
UF5408 uf5400.pdf
Виробник: LGE
3A; 1000V; ultra fast <75ns packaging: ammo; equivalent: HER308; SF310 UF5408 diode rectifying DP UF5408 q
кількість в упаковці: 1250 шт
на замовлення 1900 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1250+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 1250
UF5408 uf5400.pdf
Виробник: LGE
3A; 1000V; ultra fast <75ns packaging: ammo; equivalent: HER308; SF310 UF5408 diode rectifying DP UF5408 q
кількість в упаковці: 1250 шт
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1250+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 1250
UF5408 uf5400.pdf
Виробник: MIC
3A; 1000V; ultra fast <75ns packaging: ammo; equivalent: HER308; SF310 UF5408 diode rectifying DP UF5408
кількість в упаковці: 1250 шт
на замовлення 6250 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1250+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 1250
UF5408 uf5400.pdf
Виробник: MIC
3A; 1000V; ultra fast <75ns packaging: ammo; equivalent: HER308; SF310 UF5408 diode rectifying DP UF5408
кількість в упаковці: 1250 шт
на замовлення 2930 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1250+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 1250
HER308-AP
Код товару: 15448		 HER301_-_HER308.pdf
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди супершвидкі
товар відсутній
HER308G
Код товару: 186358		 13-HER30XG(UF300XG)-(DO-27).pdf
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
товар відсутній
ER308_R2_00001 ER300_SERIES.pdf
ER308_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товар відсутній
ER308_R2_00001 ER300_SERIES.pdf
ER308_R2_00001
Виробник: Panjit International Inc.
Description: DIODE GEN PURP 800V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 800 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.5 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 800 V
товар відсутній
ECD-G0ER308 ECD-G_%28Hi-Q%29.pdf
ECD-G0ER308
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: CAP CER 0.3PF 25V C0G/NP0 0402
Tolerance: ±0.05pF
Features: High Q, Low Loss
Packaging: Cut Tape (CT)
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: RF, Microwave, High Frequency
Thickness (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Obsolete
Capacitance: 0.3 pF
товар відсутній
ECD-G0ER308 ECD-G_%28Hi-Q%29.pdf
ECD-G0ER308
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: CAP CER 0.3PF 25V C0G/NP0 0402
Tolerance: ±0.05pF
Features: High Q, Low Loss
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: 0402 (1005 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.039" L x 0.020" W (1.00mm x 0.50mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: RF, Microwave, High Frequency
Thickness (Max): 0.022" (0.55mm)
Part Status: Obsolete
Capacitance: 0.3 pF
товар відсутній
ECD-GZER308 ECD-G_%28Hi-Q%29.pdf
ECD-GZER308
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: CAP CER 0.3PF 25V C0G/NP0 0201
Tolerance: ±0.05pF
Features: High Q, Low Loss
Packaging: Tape & Reel (TR)
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: RF, Microwave, High Frequency
Thickness (Max): 0.013" (0.33mm)
Part Status: Obsolete
Capacitance: 0.3 pF
товар відсутній
ECD-GZER308 ECD-G_%28Hi-Q%29.pdf
ECD-GZER308
Виробник: Panasonic Electronic Components
Description: CAP CER 0.3PF 25V C0G/NP0 0201
Packaging: Cut Tape (CT)
Tolerance: ±0.05pF
Features: High Q, Low Loss
Voltage - Rated: 25V
Package / Case: 0201 (0603 Metric)
Temperature Coefficient: C0G, NP0
Size / Dimension: 0.024" L x 0.012" W (0.60mm x 0.30mm)
Mounting Type: Surface Mount, MLCC
Operating Temperature: -55°C ~ 125°C
Applications: RF, Microwave, High Frequency
Thickness (Max): 0.013" (0.33mm)
Part Status: Obsolete
Capacitance: 0.3 pF
товар відсутній
HER308 description HER30x-DTE.pdf
HER308
Виробник: DC COMPONENTS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; DO27; 100ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 100ns
товар відсутній
HER308 description HER30x-DTE.pdf
HER308
Виробник: DC COMPONENTS
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; Ammo Pack; Ifsm: 150A; DO27; 100ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: fast switching
Kind of package: Ammo Pack
Max. forward impulse current: 150A
Case: DO27
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 100ns
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 240 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
40+7.54 грн
50+ 6.36 грн
220+ 4.41 грн
600+ 4.17 грн
Мінімальне замовлення: 40
HER308 R0 her301_d11.pdf
HER308 R0
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
HER308-AP HER301_-_HER308.pdf
HER308-AP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
HER308-T her301-her308.pdf
HER308-T
Виробник: Rectron
Rectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
HER308-TP HER301_-_HER308.pdf
HER308-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Obsolete
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
HER308-TP 46930232385051848her301-308do-201ad.pdf
HER308-TP
Виробник: Micro Commercial Components
Rectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
HER308G her301g20series_c10.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
HER308G A0 79her301g20series_f14.pdf
HER308G A0
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
HER308G A0G her301gseries_i2105.pdf
HER308G A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns Automotive 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
HER308G B0G HER301G%20SERIES_I2105.pdf
HER308G B0G
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 3A DO201AD
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
товар відсутній
HER308G R0 her301gseries_i2105.pdf
HER308G R0
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
HER308G R0 her301gseries_i2105.pdf
HER308G R0
Виробник: Taiwan Semiconductor
Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
HER308G R0G her301gseries_i2105.pdf
HER308G R0G
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
HER308G-AP HER301G~HER308G(DO-201AD).pdf
HER308G-AP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
HER308G-AP her301gher308gdo-201ad.pdf
HER308G-AP
Виробник: Micro Commercial Components
Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
HER308G-K
HER308G-K
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: 75NS, 3A, 1000V, HIGH EFFICIENT
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
HER308G-K A0G 462her301g-k20series_b1706.pdf
HER308G-K A0G
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-201AD Ammo
товар відсутній
HER308G-T her301g-308g.pdf
HER308G-T
Виробник: Rectron
Rectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
HER308G-TP her301gher308gdo-201ad-v1.pdf
HER308G-TP
Виробник: Micro Commercial Components
Rectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-201AD T/R
товар відсутній
HER308G-TP HER301G~HER308G(DO-201AD).pdf
HER308G-TP
Виробник: Micro Commercial Co
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
товар відсутній
HER308GA-G HER301G-G%20Thru.%20HER308G-G%20RevA.pdf
Виробник: Comchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO27
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
HER308GHA0G her301gseries_i2105.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor
3A,1000V, GLASS PASSIVATED HIGH EFFICIENT RECTIFIER
товар відсутній
HER308GHR0G her301g20series_h15.pdf
Виробник: Taiwan Semiconductor
HER308GHR0G
товар відсутній
HER308GT-G HER301G-G%20Thru.%20HER308G-G%20RevA.pdf
Виробник: Comchip Technology
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO27
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товар відсутній
Обрати Сторінку:   1 2  [ Наступна Сторінка >> ]