
HER308G Taiwan Semiconductor Corporation

Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
1250+ | 15.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис HER308G Taiwan Semiconductor Corporation
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER308G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AA, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.7V, Sperrverzögerungszeit: 75ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).
Інші пропозиції HER308G за ціною від 5.36 грн до 45.93 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
HER308G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns Max. off-state voltage: 1kV Max. forward voltage: 1.7V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 75ns Max. forward impulse current: 125A Kind of package: tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching Mounting: THT Case: DO201AD |
на замовлення 535 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
HER308G | Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY |
![]() Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns Max. off-state voltage: 1kV Max. forward voltage: 1.7V Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Reverse recovery time: 75ns Max. forward impulse current: 125A Kind of package: tape Type of diode: rectifying Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching Mounting: THT Case: DO201AD кількість в упаковці: 5 шт |
на замовлення 535 шт: термін постачання 14-21 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
HER308G | Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
на замовлення 3505 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
HER308G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() ![]() |
на замовлення 4185 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
![]() |
HER308G | Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR |
![]() tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AA Durchlassstoßstrom: 125A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 75ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) |
на замовлення 11412 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
HER308G | Виробник : Yangjie Electronic Technology |
![]() ![]() |
на замовлення 48750 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||
HER308G |
![]() ![]() |
на замовлення 1130 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
|||||||||||||||||
HER308G Код товару: 186358
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() ![]() |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||
HER308G | Виробник : Taiwan Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||
![]() |
HER308G | Виробник : SMC Diode Solutions |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||
![]() |
HER308G | Виробник : SMC Diode Solutions |
![]() Packaging: Tape & Box (TB) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V |
товару немає в наявності |