Продукція > TAIWAN SEMICONDUCTOR CORPORATION > HER308G
HER308G

HER308G Taiwan Semiconductor Corporation

HER301G SERIES_I2105.pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1250+15.22 грн
Мінімальне замовлення: 1250
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HER308G Taiwan Semiconductor Corporation

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER308G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AA, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.7V, Sperrverzögerungszeit: 75ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Periodische Spitzensperrspannung: 1kV, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (17-Jan-2023).

Інші пропозиції HER308G за ціною від 5.31 грн до 45.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
HER308G HER308G Виробник : HY Electronic (Cayman) Limited 13-HER30XG(UF300XG)-(DO-27).pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO27
Packaging: Bulk
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
18+18.86 грн
Мінімальне замовлення: 18
В кошику  од. на суму  грн.
HER308G HER308G Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B489CEA7F7300A16&compId=HER301G_SER.pdf?ci_sign=d0b237332202120bd9f7c6a28c4951805142873c Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
на замовлення 465 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
25+20.07 грн
50+8.05 грн
100+7.34 грн
170+5.61 грн
455+5.31 грн
Мінімальне замовлення: 25
В кошику  од. на суму  грн.
HER308G HER308G Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY pVersion=0046&contRep=ZT&docId=005056AB752F1ED7B489CEA7F7300A16&compId=HER301G_SER.pdf?ci_sign=d0b237332202120bd9f7c6a28c4951805142873c Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 465 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
15+24.08 грн
30+10.04 грн
100+8.81 грн
170+6.73 грн
455+6.37 грн
Мінімальне замовлення: 15
В кошику  од. на суму  грн.
HER308G HER308G Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation HER301G SERIES_I2105.pdf Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 3245 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
8+41.00 грн
10+32.14 грн
100+22.93 грн
500+16.47 грн
Мінімальне замовлення: 8
В кошику  од. на суму  грн.
HER308G HER308G Виробник : Taiwan Semiconductor HER301G SERIES_I2105.pdf HER301G-HER308G%20N1632%20REV.B.pdf 13-HER30XG(UF300XG)-(DO-27).pdf Rectifiers 75ns, 3A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier
на замовлення 4185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
9+43.33 грн
10+35.56 грн
100+22.06 грн
500+16.90 грн
1250+13.95 грн
2500+10.61 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
HER308G HER308G Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0013443267-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER308G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassstoßstrom: 125A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
на замовлення 11242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
19+45.49 грн
23+38.43 грн
100+27.46 грн
500+19.50 грн
1000+14.50 грн
5000+11.01 грн
Мінімальне замовлення: 19
В кошику  од. на суму  грн.
HER308G Виробник : Yangjie Electronic Technology HER301G SERIES_I2105.pdf HER301G-HER308G%20N1632%20REV.B.pdf 13-HER30XG(UF300XG)-(DO-27).pdf Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-27
на замовлення 48750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
1675+7.25 грн
Мінімальне замовлення: 1675
В кошику  од. на суму  грн.
HER308G HER301G SERIES_I2105.pdf HER301G-HER308G%20N1632%20REV.B.pdf 13-HER30XG(UF300XG)-(DO-27).pdf HER308 3.0A 1000V DO-27
на замовлення 1130 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
HER308G
Код товару: 186358
Додати до обраних Обраний товар

HER301G SERIES_I2105.pdf HER301G-HER308G%20N1632%20REV.B.pdf 13-HER30XG(UF300XG)-(DO-27).pdf Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER308G Виробник : Taiwan Semiconductor her301g20series_c10.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-201AD
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER308G HER308G Виробник : SMC Diode Solutions HER301G-HER308G%20N1632%20REV.B.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
HER308G HER308G Виробник : SMC Diode Solutions HER301G-HER308G%20N1632%20REV.B.pdf Description: DIODE STANDARD 50V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 50pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -65°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 50 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.