HER308G
Код товару: 186358
Додати до обраних
Обраний товар
Виробник:
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
Відгуки про товар
Написати відгук
Інші пропозиції HER308G за ціною від 9.40 грн до 65.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна |
||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
HER308G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201ADPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
HER308G | YANGJIE TECHNOLOGY |
Category: THT universal diodesDescription: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns Type of diode: rectifying Mounting: THT Max. off-state voltage: 1kV Load current: 3A Semiconductor structure: single diode Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching Kind of package: tape Max. forward impulse current: 125A Case: DO201AD Max. forward voltage: 1.7V Reverse recovery time: 75ns |
на замовлення 75 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
HER308G | Taiwan Semiconductor Corporation |
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201ADPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: DO-201AD, Axial Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 75 ns Technology: Standard Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz Current - Average Rectified (Io): 3A Supplier Device Package: DO-201AD Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V |
на замовлення 4410 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
|
HER308G | Taiwan Semiconductor |
Rectifiers 75ns, 3A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier |
на замовлення 2791 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||
|
HER308G | TAIWAN SEMICONDUCTOR |
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER308G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 AtariffCode: 85411000 Bauform - Diode: DO-201AA Durchlassstoßstrom: 125A euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - isCanonical: Y Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 75ns Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A SVHC: No SVHC (17-Jan-2023) Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Periodische Spitzensperrspannung: 1kV Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 8500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| HER308G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201AD
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1250+ | 16.60 грн |
| 2500+ | 14.54 грн |
| HER308G |
![]() |
Виробник: YANGJIE TECHNOLOGY
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 20+ | 23.16 грн |
| 50+ | 9.40 грн |
| HER308G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
Description: DIODE STANDARD 1000V 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 4410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 61.71 грн |
| 10+ | 36.95 грн |
| 100+ | 23.94 грн |
| 500+ | 17.19 грн |
| HER308G |
![]() |
Виробник: Taiwan Semiconductor
Rectifiers 75ns, 3A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier
Rectifiers 75ns, 3A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier
на замовлення 2791 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 6+ | 64.24 грн |
| 10+ | 39.22 грн |
| 100+ | 22.15 грн |
| 500+ | 16.95 грн |
| 1250+ | 14.77 грн |
| 2500+ | 12.73 грн |
| 5000+ | 11.46 грн |
| HER308G |
![]() |
Виробник: TAIWAN SEMICONDUCTOR
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER308G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassstoßstrom: 125A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER308G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassstoßstrom: 125A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
SVHC: No SVHC (17-Jan-2023)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 1kV
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 8500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 13+ | 65.47 грн |
| 25+ | 33.47 грн |
| 100+ | 23.88 грн |
| 500+ | 18.21 грн |
| 1000+ | 15.68 грн |
З цим товаром купують
| HCPL-3120-300E Код товару: 122265
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Avago
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SO-8
Тип: Драйвер затвора транзистора
Uізол,kV: 3,7 kV
Ton/Toff,µs: 0,5/0,5 µs
Роб.темп.,°С: -40…+100°C
Мікросхеми > Оптрони (оптопари)
Корпус: SO-8
Тип: Драйвер затвора транзистора
Uізол,kV: 3,7 kV
Ton/Toff,µs: 0,5/0,5 µs
Роб.темп.,°С: -40…+100°C
товару немає в наявності
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 76.00 грн |
| 10+ | 69.00 грн |
| 1,5 kOhm 5% 2W вив. (MFR200SSJTB-1K5R – Hitano) Код товару: 55141
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 2W
Номінал: 1,5 kOhm
Точність і ТКО: ±5%, ±100ppm
P ном., W: 2 W
U, роб.: 350 V
Габарити: 9x3 mm; Dвив. = 0,7 mm
Тип: метало-плівкові мініатюрні
Вивідні резистори > 2W
Номінал: 1,5 kOhm
Точність і ТКО: ±5%, ±100ppm
P ном., W: 2 W
U, роб.: 350 V
Габарити: 9x3 mm; Dвив. = 0,7 mm
Тип: метало-плівкові мініатюрні
у наявності: 1800 шт
1800 шт - склад
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 7+ | 3.00 грн |
| 10+ | 2.50 грн |
| 100+ | 2.00 грн |
| 1000+ | 1.60 грн |
| 22 Ohm 5% 5W вив. (MOR500SJTB-22R-Hitano) (резистори метало-оксидні) Код товару: 50064
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Вивідні резистори > 5W (метало-оксидні)
Номінал: 22 Ohm
Точність: ±5%
Потужність: 5 W
Напруга: 700 V
Розмір: 17,0x6,0mm; Dвив.=0,76 mm
Тип: метало-оксидні
Вивідні резистори > 5W (метало-оксидні)
Номінал: 22 Ohm
Точність: ±5%
Потужність: 5 W
Напруга: 700 V
Розмір: 17,0x6,0mm; Dвив.=0,76 mm
Тип: метало-оксидні
у наявності: 130 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Львів
68 шт - РАДІОМАГ-Харків
60 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
68 шт - РАДІОМАГ-Харків
60 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4+ | 5.00 грн |
| 10+ | 4.40 грн |
| 100+ | 3.90 грн |
| 1N4746A Код товару: 38399
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: YJ
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації, Vz: 18 V
Струм стабілізації, Izt: 14mA
Потужність, Pd: 1 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0.06 до 0.09 %/°C
Діоди, діодні мости, стабілітрони > Стабілітрони
Корпус: DO-41
Напруга стабілізації, Vz: 18 V
Струм стабілізації, Izt: 14mA
Потужність, Pd: 1 W
Монтаж: THT
Температурний коефіцієнт: 0.06 до 0.09 %/°C
у наявності: 212 шт
2 шт - РАДІОМАГ-Київ
100 шт - РАДІОМАГ-Львів
110 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
100 шт - РАДІОМАГ-Львів
110 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 10+ | 2.00 грн |
| 15+ | 1.40 грн |
| 100+ | 1.10 грн |
| 1000+ | 0.80 грн |
| MER 3,3uF 400V K (+/-10%), P = 27,5mm, 17x25x30mm (MER335K2GBA-Hitano) (конденсатор плівковий) Код товару: 23350
1
Додати до обраних
Обраний товар
|
![]() |
Виробник: Hitano
Конденсатори > Плівкові конденсатори
Ємність: 3,3 µF
Ном.напруга: 400 VDC
Точність: ±10% K
Крок виводів: 27,5 mm
Діелектрик: Поліестер
Розмір корпуса: 17x25x30 mm
Part Number: MER335K2GBA
Конденсатори > Плівкові конденсатори
Ємність: 3,3 µF
Ном.напруга: 400 VDC
Точність: ±10% K
Крок виводів: 27,5 mm
Діелектрик: Поліестер
Розмір корпуса: 17x25x30 mm
Part Number: MER335K2GBA
у наявності: 742 шт
693 шт - склад
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
17 шт - РАДІОМАГ-Київ
10 шт - РАДІОМАГ-Львів
4 шт - РАДІОМАГ-Харків
18 шт - РАДІОМАГ-Дніпро
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1+ | 32.00 грн |
| 10+ | 28.80 грн |
| 100+ | 25.90 грн |







