HER308G

HER308G Taiwan Semiconductor Corporation


13-HER30XG(UF300XG)-(DO-27).pdf Виробник: Taiwan Semiconductor Corporation
Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 1250 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1250+13.81 грн
Мінімальне замовлення: 1250
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис HER308G Taiwan Semiconductor Corporation

Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER308G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: DO-201AA, Durchlassstoßstrom: 125A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.7V, Sperrverzögerungszeit: 75ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

Інші пропозиції HER308G за ціною від 5.05 грн до 45.14 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
HER308G HER308G Виробник : HY Electronic (Cayman) Limited 13-HER30XG(UF300XG)-(DO-27).pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO27
Packaging: Tape & Box (TB)
Package / Case: DO-201AA, DO-27, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 30pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-27
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 1000 V
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+17.7 грн
Мінімальне замовлення: 17
HER308G HER308G Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY HER301G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
20+20.05 грн
45+ 8.11 грн
100+ 7.35 грн
150+ 5.34 грн
410+ 5.05 грн
Мінімальне замовлення: 20
HER308G HER308G Виробник : YANGJIE TECHNOLOGY HER301G_SER.pdf Category: THT universal diodes
Description: Diode: rectifying; THT; 1kV; 3A; tape; Ifsm: 125A; DO201AD; 75ns
Type of diode: rectifying
Mounting: THT
Max. off-state voltage: 1kV
Load current: 3A
Semiconductor structure: single diode
Features of semiconductor devices: glass passivated; superfast switching
Kind of package: tape
Max. forward impulse current: 125A
Case: DO201AD
Max. forward voltage: 1.7V
Reverse recovery time: 75ns
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 1025 шт:
термін постачання 7-14 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
15+24.06 грн
30+ 10.1 грн
100+ 8.82 грн
150+ 6.41 грн
410+ 6.06 грн
Мінімальне замовлення: 15
HER308G HER308G Виробник : Taiwan Semiconductor Corporation 13-HER30XG(UF300XG)-(DO-27).pdf Description: DIODE GEN PURP 1KV 3A DO201AD
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: DO-201AD, Axial
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 75 ns
Technology: Standard
Capacitance @ Vr, F: 35pF @ 4V, 1MHz
Current - Average Rectified (Io): 3A
Supplier Device Package: DO-201AD
Operating Temperature - Junction: -55°C ~ 150°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 1000 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 1000 V
на замовлення 1586 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+37.1 грн
10+ 30.16 грн
100+ 20.96 грн
500+ 15.36 грн
Мінімальне замовлення: 8
HER308G HER308G Виробник : TAIWAN SEMICONDUCTOR TWSC-S-A0013443267-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: TAIWAN SEMICONDUCTOR - HER308G - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 1 kV, 3 A, Einfach, 1.7 V, 75 ns, 125 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: DO-201AA
Durchlassstoßstrom: 125A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.7V
Sperrverzögerungszeit: 75ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 3A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 1kV
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 16710 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
17+45.14 грн
20+ 37.74 грн
100+ 23.6 грн
500+ 17.11 грн
1000+ 11.48 грн
5000+ 11.23 грн
Мінімальне замовлення: 17
HER308G Виробник : Yangjie Electronic Technology 13-HER30XG(UF300XG)-(DO-27).pdf Diode Switching 1KV 3A 2-Pin DO-27
на замовлення 48750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
1675+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 1675
HER308G Виробник : Yangzhou Yangjie Electronic Imp & Exp.Co.Ltd 13-HER30XG(UF300XG)-(DO-27).pdf HER308 3.0A 1000V DO-27
на замовлення 370 шт:
термін постачання 5 дні (днів)
HER308G
Код товару: 186358
13-HER30XG(UF300XG)-(DO-27).pdf Діоди, діодні мости, стабілітрони > Діоди випрямні й імпульсні
товар відсутній
HER308G Виробник : Taiwan Semiconductor her301g20series_c10.pdf Rectifier Diode Switching 1KV 3A 75ns 2-Pin DO-201AD
товар відсутній
HER308G HER308G Виробник : Taiwan Semiconductor 13-HER30XG(UF300XG)-(DO-27).pdf Rectifiers 75ns, 3A, 1000V, High Efficient Recovery Rectifier
товар відсутній