Продукція > PDT
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| PDTA123YT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123YT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 367000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123YT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA123YT,215 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123YT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123YT,215 | NXP | Description: NXP - PDTA123YT,215 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 1332000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123YT,215 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | на замовлення 19475 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123YT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 150000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123YT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA123YT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 153000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123YT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 51000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123YT,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 35 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA123YT,215 | Nexperia | Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 227 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123YT,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 1655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123YT,215 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin TO-236AB T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123YT,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 367000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123YU | NXP | SOT23/SOT323 | на замовлення 2902 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA123YU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 2576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123YU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123YU,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Kind of transistor: BRT Collector-emitter voltage: 50V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 35 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Base resistor: 2.2kΩ Base-emitter resistor: 10kΩ | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA123YU,115 | Nexperia | Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 2935 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123YU,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 35 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 10 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA123YU,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA123YU,115 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 205 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123YU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1mA 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA123YU,115 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA123YU-QX | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA123YU-Q/SOT323/SC-70 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA123YU115 | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA123Y SERIES - PNP RESISTOR-E Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA124EE | NXP | Цифровой транзистор 22 кОм / 22 кОм, SOT-416 (SMD) Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA124EE | PHILIPS | 01+ SOT-423 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA124EE,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R | на замовлення 71010 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EE,115 | NXP | Description: NXP - PDTA124EE,115 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 127458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EE,115 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 150mW Automotive 3-Pin SC-75 T/R | на замовлення 54948 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EE,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SC75 Packaging: Bulk Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SC-75 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 150 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 127458 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EEF | на замовлення 88000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTA124EK | PHI | на замовлення 6000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||
| PDTA124EK,115 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A SMT3 Resistors Included: R1 and R2 Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 22 kOhms Power - Max: 250 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: SMT3; MPAK DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA124EK\05 | PHILIPS | SOT-23 | на замовлення 9100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA124EM,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA124EM,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EM,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 79340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EM,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA124EM,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EM,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V SOT883 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: SOT-883 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 9870 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EM,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EM,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN T/R | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EM,315 | NXP | Description: NXP - PDTA124EM,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 80000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EM,315 | Nexperia | Digital Transistors The factory is currently not accepting orders for this product. | на замовлення 9 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EM-QYL | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA124EM-Q/SOT883/XQFN3 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA124EM-QYL | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT PDTA124EM-Q/SOT883/XQFN3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA124EMB,315 | NXP | Description: NXP - PDTA124EMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EMB,315 | Nexperia | Digital Transistors PDTA124EMB/SOT883B/XQFN3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 14 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA124EMB,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 110000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS Packaging: Bulk | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EMB,315 | NXP Semiconductors | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW Automotive 3-Pin DFN-B T/R | на замовлення 19990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EMB,315 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA124EMB,315 - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EMB,315 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 250mW 3-Pin DFN-B T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 90000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EMB,315 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1006B-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 129990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EQA | Nexperia USA Inc. | Description: PDTA143/114/124/144EQA SERIES - Packaging: Bulk Part Status: Active | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA124EQA147 | Nexperia USA Inc. | Description: NEXPERIA, PDTA124E - PNP RESISTO Packaging: Bulk | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA124EQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1010D-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 280 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA124EQAZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA124EQAZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 397680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EQAZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 35000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EQAZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Bulk Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1010D-3 Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 280 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 397680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EQAZ | Nexperia | Digital Transistors SOT1215 50V .1A PNP RET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA124EQAZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 440mW 3-Pin DFN-D EP T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 360000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EQB-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 340 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA124EQB-QZ | Nexperia | Digital Transistors PDTA124EQB-Q/SOT8015/DFN1110D- | на замовлення 14500 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EQB-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA124EQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: DFN1110D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EQB-QZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 420mW Automotive 3-Pin DFN-D EP T/R | на замовлення 14500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EQB-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA124EQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 340mW Bauform - Transistor: DFN1110D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EQB-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 340 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 4900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EQBZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA124EQBZ - SCHOTTKY RECTIFIER DIODES tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 25000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EQBZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1110D-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 340 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA124EQBZ | Nexperia | Bipolar Transistors - Pre-Biased PDTA124EQB/SOT8015/DFN1110D-3 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA124EQC-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA124EQC-QZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EQC-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA124EQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: N MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EQC-QZ | Nexperia | Digital Transistors SOT8009 50V .1A PNP RET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA124EQC-QZ | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA124EQC-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm isCanonical: Y MSL: - usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 360mW Bauform - Transistor: DFN1412D Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 2467 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EQC-QZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 4995 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EQCZ | Nexperia | Digital Transistors SOT8009 50V .1A PNP RET | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 21 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA124EQCZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EQCZ | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 0.1A 450mW 3-Pin DFN-D T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124EQCZ | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: DFN1412D-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 360 mW Frequency - Transition: 180 MHz Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistors Included: R1 and R2 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124ES | на замовлення 20000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTA124ES,126 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO92-3 Resistors Included: R1 and R2 Transistor Type: PNP - Pre-Biased Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads Packaging: Tape & Box (TB) Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Resistor - Base (R1): 22 kOhms Power - Max: 500 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Supplier Device Package: TO-92-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 1µA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA124ET | NXP | Tranzystor PNP; 60; 250mW; 50V; 100mA; 180MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: PDTA124ET,215; PDTA124ET; PDTA124ET,215 TPDTA124et кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 2980 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124ET | Nexperia | Digital Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA124ET T/R | NXP Semiconductors | Digital Transistors TRANS RET TAPE-7 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA124ET(P05) | на замовлення 17850 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| PDTA124ET,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA124ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 24477 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 77255 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124ET,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - PDTA124ET,215 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, BRT, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 250mW Bauform - Transistor: SOT-23 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: PDTA124E Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 880 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||
| PDTA124ET,215 | Nexperia | Trans Digital BJT PNP 50V 100mA 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 677 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 527 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||
| PDTA124ET,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PREBIAS PNP 50V TO236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 150mV @ 500µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 1µA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 250 mW Resistor - Base (R1): 22 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms Grade: Automotive Qualification: AEC-Q100 Resistors Included: R1 and R2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

