Продукція > NEXPERIA > PDTA124EQB-QZ
PDTA124EQB-QZ

PDTA124EQB-QZ NEXPERIA

PDTA143_114_124_144EQB-Q_SER.pdf
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA124EQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
100+12.08 грн
108+7.52 грн
500+5.12 грн
1000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PDTA124EQB-QZ NEXPERIA

Description: NEXPERIA - PDTA124EQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm, isCanonical: N, MSL: -, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -, Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 340mW, Bauform - Transistor: DFN1110D, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

Інші пропозиції PDTA124EQB-QZ за ціною від 2.07 грн до 19.97 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
PDTA124EQB-QZ PDTA124EQB-QZ Nexperia PDTA143_114_124_144EQB-Q_SER.pdf Digital Transistors PDTA124EQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
23+14.58 грн
38+8.42 грн
100+3.38 грн
1000+2.97 грн
10000+2.62 грн
25000+2.14 грн
50000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA124EQB-QZ PDTA124EQB-QZ Nexperia USA Inc. PDTA143_114_124_144EQB-Q_SER.pdf Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.31 грн
32+9.35 грн
100+5.80 грн
500+3.98 грн
1000+3.51 грн
2000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA124EQB-QZ PDTA124EQB-QZ NEXPERIA PDTA143_114_124_144EQB-Q_SER.pdf Description: NEXPERIA - PDTA124EQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+19.97 грн
67+12.08 грн
108+7.52 грн
500+5.12 грн
1000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA124EQB-QZ PDTA143_114_124_144EQB-Q_SER.pdf
PDTA124EQB-QZ
Виробник: Nexperia
Digital Transistors PDTA124EQB-Q/SOT8015/DFN1110D-
на замовлення 14500 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
23+14.58 грн
38+8.42 грн
100+3.38 грн
1000+2.97 грн
10000+2.62 грн
25000+2.14 грн
50000+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA124EQB-QZ PDTA143_114_124_144EQB-Q_SER.pdf
PDTA124EQB-QZ
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A 3DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 3-XDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 100mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: DFN1110D-3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 340 mW
Frequency - Transition: 180 MHz
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Qualification: AEC-Q101
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 4900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
20+16.31 грн
32+9.35 грн
100+5.80 грн
500+3.98 грн
1000+3.51 грн
2000+3.11 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PDTA124EQB-QZ PDTA143_114_124_144EQB-Q_SER.pdf
PDTA124EQB-QZ
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - PDTA124EQB-QZ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
MSL: -
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 340mW
Bauform - Transistor: DFN1110D
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
41+19.97 грн
67+12.08 грн
108+7.52 грн
500+5.12 грн
1000+3.72 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.