Продукція > PMC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
PMCXB900UEL147NXP USA Inc.Description: P-CHANNEL MOSFET
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3396 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMCXB900UELZNexperiaMOSFETs SOT1216 NPCH 20V .6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMCXB900UELZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMCXB900UELZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.47 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.47ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 380mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.47ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 380mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
27+31.05 грн
50+20.81 грн
250+10.97 грн
1000+8.38 грн
3000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 27 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMCXB900UELZNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 20/-20V; 400/-300mA
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 400/-300mA
Pulsed drain current: -2...2.5A
Case: DFN1010B-6; SOT1216
Gate-source voltage: ±8/±8V
On-state resistance: 1/2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 700pC/2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMCXB900UELZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMCXB900UELZ - Dual-MOSFET, Komplementärer n- und p-Kanal, 20 V, 20 V, 600 mA, 600 mA, 0.47 ohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id, p-Kanal: 600mA
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Drain-Source-Spannung Vds, p-Kanal: 20V
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Dauer-Drainstrom Id, n-Kanal: 600mA
Drain-Source-Durchgangswiderstand, p-Kanal: 0.47ohm
Verlustleistung, p-Kanal: 380mW
Drain-Source-Spannung Vds, n-Kanal: 20V
euEccn: NLR
Bauform - Transistor: DFN1010B
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: Trench Series
Drain-Source-Durchgangswiderstand, n-Kanal: 0.47ohm
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: Komplementärer n- und p-Kanal
Verlustleistung, n-Kanal: 380mW
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 14425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+20.81 грн
250+10.97 грн
1000+8.38 грн
3000+7.59 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMCXB900UELZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
на замовлення 2717 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8+39.97 грн
13+23.85 грн
100+15.17 грн
500+10.72 грн
1000+9.58 грн
2000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMCXB900UELZNexperiaTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6-Pin DFN-B EP T/R
на замовлення 996 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
12+63.79 грн
20+39.64 грн
50+28.75 грн
100+24.31 грн
Мінімальне замовлення: 12 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMCXB900UELZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMCXB900UELZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 5900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+7.67 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMCXB900UELZNexperia USA Inc.Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 380mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMCXB900UEZNXP SemiconductorsDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Supplier Device Package: DFN1010B-6
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
FET Feature: Logic Level Gate
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA, 500mA
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Power - Max: 265mW
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Configuration: N and P-Channel Complementary
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Packaging: Bulk
на замовлення 1484547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1061+18.96 грн
Мінімальне замовлення: 1061 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMCXB900UEZNXP SemiconductorsTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6-Pin DFN-B EP T/R
на замовлення 227875 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1761+20.08 грн
10000+17.91 грн
100000+15.00 грн
Мінімальне замовлення: 1761 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMCXB900UEZNEXPERIADescription: NEXPERIA - PMCXB900UEZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1684401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5000+8.13 грн
Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMCXB900UEZNXP SemiconductorsTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6-Pin DFN-B EP T/R
на замовлення 1053866 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1761+20.08 грн
10000+17.91 грн
100000+15.00 грн
Мінімальне замовлення: 1761 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMCXB900UEZNexperiaMOSFETs SOT1216 NPCH 20V .6A
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMCXB900UEZNEXPERIACategory: Multi channel transistors
Description: Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 20/-20V; 400/-300mA
Type of transistor: N/P-MOSFET
Technology: Trench
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 20/-20V
Drain current: 400/-300mA
Pulsed drain current: -2...2.5A
Case: DFN1010B-6; SOT1216
Gate-source voltage: ±8/±8V
On-state resistance: 1/2.1Ω
Mounting: SMD
Gate charge: 700pC/2.1nC
Kind of package: reel; tape
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 5000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMCXB900UEZNXP SemiconductorsTrans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6-Pin DFN-B EP T/R
на замовлення 81501 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1761+20.08 грн
10000+17.91 грн
Мінімальне замовлення: 1761 шт
В кошику  од. на суму  грн.
PMCY1400TQM-AK
на замовлення 185 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 3 4 5 6 7 8 9 10