Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMCXB900UEZ
PMCXB900UEZ

PMCXB900UEZ Nexperia USA Inc.

PMCXB900UE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 265mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+6.63 грн
10000+5.84 грн
15000+5.60 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMCXB900UEZ Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel Complementary, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 265mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA, 500mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1010B-6.

Інші пропозиції PMCXB900UEZ за ціною від 6.26 грн до 37.55 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMCXB900UEZ PMCXB900UEZ Виробник : Nexperia PMCXB900UE.pdf MOSFETs 20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET
на замовлення 6889 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
11+32.49 грн
15+24.39 грн
100+13.66 грн
500+10.26 грн
1000+8.30 грн
2500+7.62 грн
5000+6.26 грн
Мінімальне замовлення: 11
В кошику  од. на суму  грн.
PMCXB900UEZ PMCXB900UEZ Виробник : Nexperia USA Inc. PMCXB900UE.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 265mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
на замовлення 94221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+37.55 грн
15+22.32 грн
100+14.16 грн
500+9.99 грн
1000+8.44 грн
2000+7.91 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMCXB900UEZ Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003513061-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - PMCXB900UEZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1684401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+8.47 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
PMCXB900UEZ PMCXB900UEZ Виробник : NEXPERIA 803290550361061pmcxb900ue.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6-Pin DFN-B EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMCXB900UEZ Виробник : NEXPERIA PMCXB900UE.pdf PMCXB900UEZ Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.