Продукція > NEXPERIA USA INC. > PMCXB900UEZ
PMCXB900UEZ

PMCXB900UEZ Nexperia USA Inc.

PMCXB900UE.pdf Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 265mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
на замовлення 90000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+6.45 грн
10000+5.68 грн
15000+5.45 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис PMCXB900UEZ Nexperia USA Inc.

Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel Complementary, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 265mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA, 500mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1010B-6.

Інші пропозиції PMCXB900UEZ за ціною від 5.72 грн до 36.52 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
PMCXB900UEZ PMCXB900UEZ Виробник : Nexperia PMCXB900UE-2938482.pdf MOSFETs PMCXB900UE/SOT1216/DFN1010B-6
на замовлення 9409 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
12+29.45 грн
16+22.45 грн
100+10.86 грн
1000+6.83 грн
5000+6.46 грн
10000+5.80 грн
25000+5.72 грн
Мінімальне замовлення: 12
В кошику  од. на суму  грн.
PMCXB900UEZ PMCXB900UEZ Виробник : Nexperia USA Inc. PMCXB900UE.pdf Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 265mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
на замовлення 94221 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
9+36.52 грн
15+21.71 грн
100+13.78 грн
500+9.72 грн
1000+8.21 грн
2000+7.70 грн
Мінімальне замовлення: 9
В кошику  од. на суму  грн.
PMCXB900UEZ Виробник : NEXPERIA NEXP-S-A0003513061-1.pdf?t.download=true&u=5oefqw Description: NEXPERIA - PMCXB900UEZ - MISCELLANEOUS MOSFETS
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1684401 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
5000+8.23 грн
Мінімальне замовлення: 5000
В кошику  од. на суму  грн.
PMCXB900UEZ PMCXB900UEZ Виробник : NEXPERIA 803290550361061pmcxb900ue.pdf Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6-Pin DFN-B EP T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
PMCXB900UEZ Виробник : NEXPERIA PMCXB900UE.pdf PMCXB900UEZ Multi channel transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.