PMCXB900UEZ NXP Semiconductors
Виробник: NXP SemiconductorsDescription: MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad
Mounting Type: Surface Mount
Configuration: N and P-Channel Complementary
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Power - Max: 265mW
Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA, 500mA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V
FET Feature: Logic Level Gate
Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA
Supplier Device Package: DFN1010B-6
на замовлення 1484547 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 1061+ | 20.31 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис PMCXB900UEZ NXP Semiconductors
Description: MOSFET N/P-CH 20V 0.6A 6DFN, Packaging: Bulk, Package / Case: 6-XFDFN Exposed Pad, Mounting Type: Surface Mount, Configuration: N and P-Channel Complementary, Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), Power - Max: 265mW, Drain to Source Voltage (Vdss): 20V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 600mA, 500mA, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 21.3pF @ 10V, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 620mOhm @ 600mA, 4.5V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 0.7nC @ 4.5V, FET Feature: Logic Level Gate, Vgs(th) (Max) @ Id: 950mV @ 250µA, Supplier Device Package: DFN1010B-6.
Інші пропозиції PMCXB900UEZ за ціною від 6.44 грн до 33.42 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
PMCXB900UEZ | Виробник : Nexperia |
MOSFETs 20 V, complementary N/P-channel Trench MOSFET |
на замовлення 6889 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
| PMCXB900UEZ | Виробник : NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - PMCXB900UEZ - MISCELLANEOUS MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 1684401 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
|||||||||||||||||
 |
PMCXB900UEZ | Виробник : NEXPERIA |
Trans MOSFET N/P-CH 20V 0.6A/0.5A 6-Pin DFN-B EP T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
| PMCXB900UEZ | Виробник : NEXPERIA |
Category: Multi channel transistors Description: Transistor: N/P-MOSFET; Trench; unipolar; 20/-20V; 400/-300mA Case: DFN1010B-6; SOT1216 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Technology: Trench Polarisation: unipolar Pulsed drain current: -2...2.5A Gate charge: 700pC/2.1nC Drain current: 400/-300mA On-state resistance: 1/2.1Ω Gate-source voltage: ±8/±8V Drain-source voltage: 20/-20V Kind of channel: enhancement Version: ESD Type of transistor: N/P-MOSFET |
товару немає в наявності |