Продукція > STP

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
STP13NK60ZSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP13NK60Z - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 13 A, 0.55 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 13A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.75V
Verlustleistung: 150W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.55ohm
на замовлення 541 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 7500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6+131.47 грн
50+130.79 грн
100+124.63 грн
500+95.64 грн
1000+53.27 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
на замовлення 740 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+247.37 грн
10+155.50 грн
50+119.88 грн
100+101.73 грн
500+82.86 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 13A; 150W; TO220-3
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 13A
Power dissipation: 150W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+207.54 грн
5+150.53 грн
10+129.86 грн
25+104.22 грн
50+90.98 грн
100+85.19 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60Z
Код товару: 81542
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZFPSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 13A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 550mOhm @ 4.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 35W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 92 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2030 pF @ 25 V
на замовлення 758 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+244.28 грн
10+153.42 грн
50+118.22 грн
100+100.31 грн
500+81.66 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZFPSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.2A; 35W; TO220FP; ESD
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: SuperMesh™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 8.2A
Power dissipation: 35W
Case: TO220FP
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 0.55Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Version: ESD
на замовлення 152 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+233.37 грн
10+137.30 грн
25+119.93 грн
50+108.35 грн
100+101.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+196.83 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZFPSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch, 600V-0.48ohms Zener SuperMESH 13A
на замовлення 456 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+241.25 грн
10+120.03 грн
100+93.93 грн
500+76.97 грн
1000+76.32 грн
2000+74.36 грн
5000+71.76 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZFPSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin(3+Tab) TO-220FP Tube
на замовлення 360 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
73+196.83 грн
Мінімальне замовлення: 73 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZFP (TO-220FP)
Код товару: 82192
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK60ZFP.STF13NM60N
на замовлення 38795 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NK90ZFP
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NM50
на замовлення 50 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NM50NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 500V 12A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 320mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 100W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 500 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 960 pF @ 50 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NM60NSTMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ II
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 88 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+327.79 грн
10+203.47 грн
25+182.79 грн
50+167.90 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NM60N
Код товару: 113764
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+107.82 грн
2000+105.16 грн
5000+105.05 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NM60NSTTransistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 360mOhm; 11A; 90W; -55°C ~ 150°C; STP13NM60N TSTP13NM60N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 30 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+85.53 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NM60NSTMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh
на замовлення 1591 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+353.12 грн
10+181.54 грн
100+143.51 грн
500+120.03 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NM60NSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 846 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+356.37 грн
10+228.08 грн
50+178.54 грн
100+152.59 грн
500+126.37 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NM60NSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+107.75 грн
2000+105.10 грн
5000+104.99 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NM60NSTMTransistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 6.93A; 90W; TO220-3 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NM60NDSTMicroelectronicsMOSFET N-CH 600V 0.32Ohm 11A FDMesh II
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NM60NDSTMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP13NM60ND - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 600 V, 11 A, 0.32 ohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 600V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 109W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: FDmesh II
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.32ohm
на замовлення 49 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NM60NDSTMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 380mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 109W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.5 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 845 pF @ 50 V
на замовлення 24 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+347.86 грн
10+222.13 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NM60NDSTMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP1402T-14
на замовлення 73 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP1405T-10
на замовлення 72 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP1405T-18
на замовлення 75 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP1405T-20
на замовлення 25 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP140N4F6STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 40V 80A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Power Dissipation (Max): 168W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 40 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP140N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 896 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+205.01 грн
117+122.03 грн
132+104.28 грн
500+74.86 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP140N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP140N6F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 60V 80A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 158W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 55 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3100 pF @ 10 V
на замовлення 490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+191.71 грн
10+119.25 грн
50+91.01 грн
100+76.87 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP140N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP140N6F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 60 V, 0.0031 Ohm typ., 80 A STripFET F7 Power MOSFET in TO-220 package
на замовлення 6396 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+189.50 грн
10+92.27 грн
100+72.41 грн
500+58.32 грн
1000+52.25 грн
2000+51.73 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP140N6F7STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™; unipolar; 60V; 80A; Idm: 320A; 158W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 80A
Power dissipation: 158W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 3.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 320A
на замовлення 180 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+183.49 грн
5+132.34 грн
10+115.79 грн
25+97.60 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP140N6F7STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP140N6F7 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 3100 µohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 158W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: STripFET F7
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm
на замовлення 1402 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP140N6F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 60V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 900 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
4+205.20 грн
10+122.29 грн
50+122.15 грн
100+104.37 грн
500+74.93 грн
Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP140N6F7
Код товару: 198556
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 1
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP140N8F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP140N8F7STMicroelectronicsMOSFETs N-channel 80 V 3.5 mOhm typ 90 A
на замовлення 1267 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+215.37 грн
10+105.77 грн
100+82.84 грн
500+67.19 грн
1000+61.12 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP140N8F7STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ F7; unipolar; 80V; 90A; Idm: 360A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ F7
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 80V
Drain current: 90A
Power dissipation: 200W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 4.3mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 360A
Gate charge: 96nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP140N8F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
800+192.60 грн
Мінімальне замовлення: 800 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP140N8F7STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 80V 90A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP140N8F7STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 80V 90A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 90A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.3mOhm @ 45A, 10V
Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6340 pF @ 40 V
на замовлення 845 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+217.99 грн
10+135.93 грн
50+104.25 грн
100+88.25 грн
500+71.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP140NF55STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP140NF55STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP140NF55 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 55 V, 80 A, 8000 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 55V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 80A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 300W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 8000µohm
на замовлення 275 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP140NF55STMN-channel 55V - 0.0065. - 80A - D2PAK - I2PAK - TO-220 Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP140NF55STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Not For New Designs
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
на замовлення 383 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+200.99 грн
10+124.91 грн
50+95.42 грн
100+80.62 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP140NF55STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP140NF55STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 55 Volt 80 Amp
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP140NF55STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ II; unipolar; 55V; 80A; Idm: 320A
Case: TO220-3
Mounting: THT
Kind of package: tube
Pulsed drain current: 320A
Power dissipation: 300W
Gate charge: 142nC
Polarisation: unipolar
Technology: STripFET™ II
Drain current: 80A
Kind of channel: enhancement
Drain-source voltage: 55V
Type of transistor: N-MOSFET
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 8mΩ
на замовлення 233 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+160.33 грн
10+109.18 грн
12+84.36 грн
31+79.40 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP140NF55STN-MOSFET 80A 55V 300W STP140NF55 TSTP140NF55
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+162.50 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP140NF55 транзистор
Код товару: 211284
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP140NF75STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+117.36 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP140NF75STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 75V 120A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 120A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.5mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 310W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 75 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 218 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5000 pF @ 25 V
на замовлення 439 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+308.44 грн
10+195.63 грн
50+152.21 грн
100+129.72 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP140NF75STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP140NF75STMicroelectronicsMOSFETs N-Ch 75 Volt 120 Amp
на замовлення 718 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
1+305.18 грн
10+154.53 грн
100+116.77 грн
500+112.20 грн
1000+98.50 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP140NF75STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+465.34 грн
10+306.57 грн
50+238.50 грн
100+208.86 грн
500+159.10 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP140NF75STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; STripFET™ III; unipolar; 75V; 100A; 310W
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: STripFET™ III
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 75V
Drain current: 100A
Power dissipation: 310W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±20V
On-state resistance: 7.5mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
на замовлення 33 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+290.38 грн
10+136.47 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP140NF75STTransistor N-Channel MOSFET; 75V; 75V; 20V; 7,5mOhm; 120A; 310W; -55°C ~ 175°C; STP140NF75 TSTP140NF75
кількість в упаковці: 5 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+106.97 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP140NF75STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+147.19 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP140NF75STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 75V 120A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP140NF75STMICROELECTRONICSDescription: STMICROELECTRONICS - STP140NF75 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 75 V, 120 A, 7500 µohm, TO-220, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 75V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 120A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 310W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7500µohm
на замовлення 242 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP140NF75
Код товару: 44955
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP1410STATICTECCategory: Tapes and Labels
Description: Tape: electrically conductive; ESD; L: 33m; W: 10mm; Thk: 50um
Width: 10mm
Tape application: earthing; shielding
Material: copper
Type of tape: electrically conductive
Version: ESD
Length: 33m
Thickness: 50µm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1149.04 грн
6+1009.07 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP141169AEssentra Access SolutionsDescription: STP141169A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP141169AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP141169CEssentra Access SolutionsDescription: STP141169C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP141169CEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP1412STATICTECCategory: Tapes and Labels
Description: Tape: electrically conductive; ESD; L: 33m; W: 12mm; Thk: 50um
Width: 12mm
Tape application: earthing; shielding
Material: copper
Type of tape: electrically conductive
Version: ESD
Length: 33m
Thickness: 50µm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP1415STATICTECCategory: Tapes and Labels
Description: Tape: electrically conductive; ESD; L: 33m; W: 15mm; Thk: 50um
Width: 15mm
Tape application: earthing; shielding
Material: copper
Type of tape: electrically conductive
Version: ESD
Length: 33m
Thickness: 50µm
на замовлення 4 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+1576.59 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP141NF55STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 29000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+147.45 грн
500+140.32 грн
1000+131.99 грн
10000+120.40 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP141NF55STMMOSFET N-CH 55V 80A TO220AB Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP141NF55STMicroelectronicsMOSFET POWER MOSFET
на замовлення 465 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
2+223.75 грн
10+198.79 грн
25+163.73 грн
100+141.55 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP141NF55STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+147.45 грн
500+140.32 грн
1000+131.99 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP141NF55STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive AEC-Q101 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 313000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
242+147.45 грн
500+140.32 грн
1000+131.99 грн
10000+120.40 грн
Мінімальне замовлення: 242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP141NF55STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 80A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 40A, 10V
Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Grade: Automotive
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 55 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 142 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5300 pF @ 25 V
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 928 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2+209.49 грн
10+130.86 грн
50+100.26 грн
100+84.82 грн
500+68.57 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP1425STATICTECCategory: Tapes and Labels
Description: Tape: electrically conductive; ESD; L: 33m; W: 25mm; Thk: 50um
Width: 25mm
Tape application: earthing; shielding
Material: copper
Type of tape: electrically conductive
Version: ESD
Length: 33m
Thickness: 50µm
на замовлення 14 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1+2396.06 грн
6+2092.58 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP145177Essentra Access SolutionsDescription: STP145177
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP145177EssentraConduit Fittings & Accessories Tapered Plug:Silicone Red
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP145177AEssentra Access SolutionsDescription: STP145177A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP145177AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP145177CEssentra Access SolutionsDescription: STP145177C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP145177CEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP149181AEssentra Access SolutionsDescription: STP149181A
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP149181AEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:SILICON NATURAL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP149181CEssentraConduit Fittings & Accessories TAPERED PLUG:EPDM BLACK
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP149181CEssentra Access SolutionsDescription: STP149181C
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP14N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 30 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP14N80K5STMicroelectronicsCategory: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ K5; unipolar; 800V; 7.4A; Idm: 48A
Type of transistor: N-MOSFET
Technology: MDmesh™ K5
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 800V
Drain current: 7.4A
Power dissipation: 130W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±30V
On-state resistance: 445mΩ
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Pulsed drain current: 48A
Gate charge: 22nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
STP14N80K5STMicroelectronicsDescription: MOSFET N-CHANNEL 800V 12A TO220
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 445mOhm @ 6A, 10V
Power Dissipation (Max): 130W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 100µA
Supplier Device Package: TO-220
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±30V
Drain to Source Voltage (Vdss): 800 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 620 pF @ 100 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 2000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP14N80K5STMicroelectronicsTrans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.