Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > STP13NM60N

STP13NM60N

stp13nm60n.pdf
Код товару: 113764
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції STP13NM60N за ціною від 84.59 грн до 364.94 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
STP13NM60N STP13NM60N STMicroelectronics stp13nm60n.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+126.20 грн
2000+122.05 грн
5000+121.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NM60N STP13NM60N STMicroelectronics stp13nm60n.pdf Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1000+126.39 грн
2000+122.23 грн
5000+122.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NM60N STP13NM60N STMicroelectronics STB13NM60N.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
2+293.11 грн
10+185.31 грн
25+168.76 грн
50+158.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NM60N STP13NM60N STMicroelectronics stp13nm60n.pdf Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+364.94 грн
50+182.83 грн
100+166.50 грн
500+129.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NM60N STP13NM60N STMicroelectronics stp13nm60n.pdf MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NM60N ST stp13nm60n.pdf Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 360mOhm; 11A; 90W; -55°C ~ 150°C; STP13NM60N TSTP13NM60N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
10+84.59 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NM60N stp13nm60n.pdf
STP13NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+126.20 грн
2000+122.05 грн
5000+121.87 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NM60N stp13nm60n.pdf
STP13NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube
на замовлення 5200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1000+126.39 грн
2000+122.23 грн
5000+122.06 грн
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NM60N STB13NM60N.pdf
STP13NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; MDmesh™ ||; unipolar; 600V; 6.93A; 90W
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 600V
Drain current: 6.93A
Power dissipation: 90W
Case: TO220-3
Gate-source voltage: ±25V
On-state resistance: 0.36Ω
Mounting: THT
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
Technology: MDmesh™ ||
на замовлення 93 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
2+293.11 грн
10+185.31 грн
25+168.76 грн
50+158.01 грн
Мінімальне замовлення: 2 шт
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NM60N stp13nm60n.pdf
STP13NM60N
Виробник: STMicroelectronics
Description: MOSFET N-CH 600V 11A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 11A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 360mOhm @ 5.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 90W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±25V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 790 pF @ 50 V
на замовлення 948 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
1+364.94 грн
50+182.83 грн
100+166.50 грн
500+129.41 грн
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NM60N stp13nm60n.pdf
STP13NM60N
Виробник: STMicroelectronics
MOSFETs N-Ch 600 Volt 11 Amp Power MDmesh
на замовлення 538 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
STP13NM60N stp13nm60n.pdf
Виробник: ST
Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 25V; 360mOhm; 11A; 90W; -55°C ~ 150°C; STP13NM60N TSTP13NM60N
кількість в упаковці: 10 шт
на замовлення 40 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
10+84.59 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.