Продукція > BC8
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC849BE6327HTSA1 | Infineon | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BC849BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 78000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849BE6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC849BE6327HTSA1 - BC849 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: TBC hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 8369 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849BE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 100mA; 330mW; SC59 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.33W Case: SC59 Current gain: 200 Mounting: SMD Frequency: 250MHz | на замовлення 21000 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849BLT1 | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 33000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849BLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 36730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849BLT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 666 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849BLT1G | ON Semiconductor | Транзистор NPN, ft,МГц =100, Ic =100mA, Ptot,Вт =225mW, VCEO,В =30, Тип монт. smd,... Транзистори Корпус: SOT-23 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849BLT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN | на замовлення 37651 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849BLT1G Код товару: 183142
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні NPN | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BC849BLT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849BLT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 36730 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849BLT1G | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849BLT1G | ONSEMI | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 200...450 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | на замовлення 5993 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849BLT3 | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849BLT3G | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849BMTF | onsemi | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Obsolete Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 310 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849BW | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849BW | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849BW | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849BW | PHILIPS | SOT323 | на замовлення 24000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849BW | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-323, 30V, 100mA, NPN | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849BW | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849BW | Diotec Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323 Packaging: Bulk Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849BW RF | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V, 0.1A, NPN Bipolar Transistor | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849BW RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW | на замовлення 17990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849BW RFG | Taiwan Semiconductor Corporation | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849BW RFG | Taiwan Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849BW RFG | Taiwan Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 30V, 0.1A, NPN Bipolar Transistor | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849BW,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849BW,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849BW,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 608920 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849BW,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 1466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849BW,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849BW,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC849BW/SOT323/SC-70 | на замовлення 3074 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849BW,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC849BW,115 - TRANSISTOR, BIPOLAR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849BW,115 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 153000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849BW,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849BW,115 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849BW,135 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC849BW/SOT323/SC-70 | на замовлення 8529 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849BW,135 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC849BW,135 - TRANSISTOR, BIPOLAR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849BW,135 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849BW,135 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849BW,135 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 290000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849BW,135 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 200 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849BW_R1_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE30V IC100mA SOT-323 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 120000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849BW_R1_10001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE30V IC100mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849BW_R2_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE30V IC100mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849BW_R2_10001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE30V IC100mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849B_R1_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE30V IC100mA SOT-23 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 120000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849B_R1_00001 | PanJit Semiconductor | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849B_R1_00001 | Panjit International Inc. | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849B_R1_10001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE30V IC100mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849B_R2_00001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE30V IC100mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849B_R2_10001 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT NPNGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE30V IC100mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849C | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849C | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849C | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849C | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 192000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849C | NPN 30V, 0.1A general purpose transistors SOT-23-3 | на замовлення 259 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| |||||||||||||||||||
| BC849C | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 200...1000 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 150MHz | на замовлення 1700 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849C | Diotec Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW | на замовлення 10693 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849C | DIOTEC | Description: DIOTEC - BC849C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: N Verlustleistung: 250mW SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025) Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849C | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 42059 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849C | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 30V, 100mA, NPN | на замовлення 24700 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849C | Diotec | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849C | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 111000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849C | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23 Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23 Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 300MHz Pulsed collector current: 0.2A | на замовлення 42059 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849C | Diotec Semiconductor | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 300MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849C | DIOTEC | Description: DIOTEC - BC849C - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 110hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 250mW SVHC: 2,2',6,6'-tetrabromo-4,4'-isopropylidenediphenol (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: - Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2655 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849C | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 192000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849C | NXP | SOT23NPN30V.1A.2WB=420-800 Транзистори | на замовлення 30 шт: термін постачання 5 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849C (біполярний транзистор NPN) Код товару: 2031
Додати до обраних
Обраний товар
| Infineon | Транзистори > Біполярні NPN Корпус: SOT-23 Гранична частота fT: 100 МГц Напруга колектор-емітер Uceo, В: 30 В Напруга колектор-база Ucbo, В: 30 В Струм колектора Ic, А: 0,1 А Коефіцієнт передачі струму h21: 450 Монтаж: SMD | у наявності: 207 шт
|
| ||||||||||||||||||
| BC849C /T3 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849C T/R | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849C,215 | NXP USA Inc. | Description: TRANSISTOR NPN 30V 100MA SOT23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849C,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849C,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 338 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849C,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC849C/SOT23/TO-236AB | на замовлення 84825 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849C,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849C,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849C,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 38318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849C,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC849C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 18611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849C,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849C,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1656 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849C,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 7303 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849C,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 33000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849C,215 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape Frequency: 100MHz | на замовлення 128 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849C,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849C,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC849C,215 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), NPN, 30 V, 100 mA, 250 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 420hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 250mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 18611 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849C,215 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 1900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC849C,235 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC849C,235 - TRANSISTOR, BIPOLAR MSL: MSL 1 - unbegrenzt SVHC: No SVHC (17-Jan-2022) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849C,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849C,235 | NEXPERIA | Category: NPN SMD transistors Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: NPN Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 30V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 420...800 Mounting: SMD Kind of package: 11 inch reel; tape Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849C,235 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS NPN 30V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849C,235 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC849C/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849C,235 | Nexperia | Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC849C-AP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT-23 Power - Max: 225 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Obsolete Supplier Device Package: SOT-23 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 420 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 100nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: -55°C ~ 150°C Transistor Type: NPN Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Box (TB) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

