Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC849BLT1G
BC849BLT1G

BC849BLT1G ON Semiconductor

bc846alt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33000+1.09 грн
Мінімальне замовлення: 33000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC849BLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 225mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції BC849BLT1G за ціною від 0.82 грн до 11.25 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC849BLT1G BC849BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
33000+1.19 грн
Мінімальне замовлення: 33000
BC849BLT1G BC849BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.86 грн
9000+1.55 грн
24000+1.40 грн
45000+1.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC849BLT1G BC849BLT1G Виробник : onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.91 грн
6000+1.63 грн
9000+1.53 грн
Мінімальне замовлення: 3000
BC849BLT1G BC849BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 75000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
6250+2.00 грн
9000+1.67 грн
24000+1.50 грн
45000+1.34 грн
Мінімальне замовлення: 6250
BC849BLT1G BC849BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 114973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14085+2.22 грн
Мінімальне замовлення: 14085
BC849BLT1G BC849BLT1G Виробник : ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
500+2.28 грн
1500+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 500
BC849BLT1G BC849BLT1G Виробник : ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 6483 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
125+6.15 грн
173+4.46 грн
278+2.77 грн
500+2.28 грн
1500+2.07 грн
Мінімальне замовлення: 125
BC849BLT1G BC849BLT1G Виробник : ONSEMI BC846ALT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
56+6.99 грн
81+4.42 грн
101+3.55 грн
121+2.97 грн
493+1.70 грн
Мінімальне замовлення: 56
BC849BLT1G BC849BLT1G Виробник : ONSEMI BC846ALT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.3W; SOT23
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Case: SOT23
Current gain: 420...800
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 1270 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
34+8.38 грн
49+5.51 грн
61+4.26 грн
100+3.56 грн
493+2.04 грн
1356+1.93 грн
3000+1.85 грн
Мінімальне замовлення: 34
BC849BLT1G BC849BLT1G Виробник : onsemi bc846alt1-d.pdf Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN
на замовлення 21429 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
39+8.39 грн
55+5.83 грн
100+3.22 грн
1000+1.64 грн
3000+1.37 грн
9000+0.96 грн
45000+0.82 грн
Мінімальне замовлення: 39
BC849BLT1G BC849BLT1G Виробник : onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 13377 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
31+9.63 грн
50+5.78 грн
100+3.55 грн
500+2.41 грн
1000+2.11 грн
Мінімальне замовлення: 31
BC849BLT1G BC849BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
56+11.25 грн
103+6.02 грн
104+5.98 грн
226+2.65 грн
250+2.43 грн
500+1.61 грн
Мінімальне замовлення: 56
BC849BLT1G BC849BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 688 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BC849BLT1G BC849BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
BC849BLT1G
Код товару: 183142 		bc846alt1-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності