Продукція > ON SEMICONDUCTOR > BC849BLT1G
BC849BLT1G

BC849BLT1G ON Semiconductor

bc846alt1-d.pdf Виробник: ON Semiconductor
Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
21000+1.55 грн
Мінімальне замовлення: 21000
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис BC849BLT1G ON Semiconductor

Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SOT-23, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: NPN, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024).

Інші пропозиції BC849BLT1G за ціною від 0.99 грн до 9.49 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC849BLT1G BC849BLT1G Виробник : onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.74 грн
6000+1.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC849BLT1G BC849BLT1G Виробник : ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
3000+1.92 грн
Мінімальне замовлення: 3000
В кошику  од. на суму  грн.
BC849BLT1G BC849BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 114973 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
14219+2.19 грн
100000+1.83 грн
Мінімальне замовлення: 14219
В кошику  од. на суму  грн.
BC849BLT1G BC849BLT1G Виробник : ONSEMI BC846ALT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна
100+4.35 грн
167+2.43 грн
226+1.80 грн
258+1.57 грн
500+1.19 грн
1000+1.05 грн
1500+0.99 грн
Мінімальне замовлення: 100
В кошику  од. на суму  грн.
BC849BLT1G BC849BLT1G Виробник : ONSEMI BC846ALT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
кількість в упаковці: 1 шт
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 14-21 дні (днів)
Кількість Ціна
60+5.23 грн
100+3.02 грн
136+2.15 грн
155+1.88 грн
500+1.43 грн
1000+1.26 грн
1500+1.18 грн
Мінімальне замовлення: 60
В кошику  од. на суму  грн.
BC849BLT1G BC849BLT1G Виробник : onsemi bc846alt1-d.pdf Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 7791 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
40+8.40 грн
61+5.34 грн
100+3.25 грн
500+2.20 грн
1000+1.93 грн
Мінімальне замовлення: 40
В кошику  од. на суму  грн.
BC849BLT1G BC849BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 348 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна
75+9.49 грн
126+5.64 грн
128+5.58 грн
206+3.33 грн
Мінімальне замовлення: 75
В кошику  од. на суму  грн.
BC849BLT1G BC849BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 33000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
BC849BLT1G
Код товару: 183142
Додати до обраних Обраний товар

bc846alt1-d.pdf Транзистори > Біполярні NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC849BLT1G BC849BLT1G Виробник : ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC849BLT1G BC849BLT1G Виробник : ON Semiconductor bc846alt1-d.pdf Trans GP BJT NPN 30V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC849BLT1G BC849BLT1G Виробник : ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 225mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
SVHC: No SVHC (27-Jun-2024)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
BC849BLT1G BC849BLT1G Виробник : onsemi BC846ALT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.