Продукція > Транзистори > Біполярні NPN > BC849BLT1G

BC849BLT1G

BC846ALT1-D.PDF
Код товару: 183142
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Біполярні NPN

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції BC849BLT1G за ціною від 1.27 грн до 152.58 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна
BC849BLT1G BC849BLT1G onsemi BC846ALT1-D.PDF Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.62 грн
6000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC849BLT1G BC849BLT1G ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 37215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+2.23 грн
1500+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC849BLT1G BC849BLT1G ONSEMI 2237008.pdf Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 37215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
98+8.47 грн
177+4.67 грн
248+3.32 грн
500+2.23 грн
1500+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC849BLT1G BC849BLT1G onsemi BC846ALT1-D.PDF Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 71631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.72 грн
59+5.19 грн
100+3.21 грн
500+2.17 грн
1000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC849BLT1G BC849BLT1G onsemi BC846ALT1-D.PDF Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN
на замовлення 45671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
36+9.21 грн
58+5.59 грн
100+3.03 грн
500+2.18 грн
1000+1.97 грн
3000+1.48 грн
6000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC849BLT1G BC849BLT1G ONSEMI BC846ALT1G.PDF Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
3+152.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC849BLT1G BC846ALT1-D.PDF
BC849BLT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 69000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
3000+1.62 грн
6000+1.38 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC849BLT1G 2237008.pdf
BC849BLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 37215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
500+2.23 грн
1500+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC849BLT1G 2237008.pdf
BC849BLT1G
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - BC849BLT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, NPN, 30 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 290hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 225mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 30V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 37215 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
98+8.47 грн
177+4.67 грн
248+3.32 грн
500+2.23 грн
1500+1.82 грн
Мінімальне замовлення: 98 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC849BLT1G BC846ALT1-D.PDF
BC849BLT1G
Виробник: onsemi
Description: TRANS NPN 30V 0.1A SOT23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30 V
Power - Max: 300 mW
на замовлення 71631 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна
37+8.72 грн
59+5.19 грн
100+3.21 грн
500+2.17 грн
1000+1.90 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC849BLT1G BC846ALT1-D.PDF
BC849BLT1G
Виробник: onsemi
Bipolar Transistors - BJT 100mA 30V NPN
на замовлення 45671 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
КількістьЦіна
36+9.21 грн
58+5.59 грн
100+3.03 грн
500+2.18 грн
1000+1.97 грн
3000+1.48 грн
6000+1.27 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
BC849BLT1G BC846ALT1G.PDF
BC849BLT1G
Виробник: ONSEMI
Category: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 30V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 30V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.225W
Case: SOT23; TO236AB
Current gain: 200...450
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 100MHz
на замовлення 3 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
КількістьЦіна
3+152.58 грн
Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.