Продукція > NTD
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| NTD4865NT4G | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTD4865NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 25V 8.5A/44A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 44A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10.9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.27W (Ta), 33.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.8 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 827 pF @ 12 V | на замовлення 540000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4865NT4H | onsemi | Description: RF MOSFET 25V DPAK Packaging: Bulk | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4904N-1G | ON Semiconductor | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTD4904N-35G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 13A/79A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3052 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4904N-35G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 17.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 9675 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4904N-35G | ON Semiconductor | MOSFET NFET IPAK 30V 79A 3.7 mOhm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4904N-35G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 13A/79A IPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 13A (Ta), 79A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.7mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.4W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 41 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3052 pF @ 15 V | на замовлення 22250 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4904N-35G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 17.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 12575 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4904NT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 13A SGL DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4904NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 17.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 1378 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4904NT4G | ON Semiconductor | на замовлення 760 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTD4904NT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET IPAK 30V 79A 3.7 mOhm | на замовлення 1309 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4904NT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 13A SGL DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4904NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 13A/79A DPAK | на замовлення 33167 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4904NT4G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 17.8A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R | на замовлення 26435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4904NT4G Код товару: 91782
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Польові N-канальні | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTD4905N-1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 67A SGL IPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1575 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4905N-35G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 67A SGL IPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1575 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4905NT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 67A SGL DPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4906N-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: IPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), 37.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 54A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4906N-1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTD4906N-1G - NTD4906N-1G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 17450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4906N-1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 17450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4906N-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), 37.5W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 15 V | на замовлення 17450 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4906N-1G | ON Semiconductor | на замовлення 3 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTD4906N-35G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: IPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), 37.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 54A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4906N-35G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 39829 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4906N-35G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: IPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), 37.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 54A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Packaging: Tube | на замовлення 676661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4906N-35G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTD4906N-35G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 54 A, 0.0046 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 54A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.2V euEccn: NLR Verlustleistung: 37.5W Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0046ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 676661 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4906N-35G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 635182 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4906N-35H | ON Semiconductor | NTD4906N-35H | на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4906N-35H | onsemi | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4906N-35H | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTD4906N-35H - NTD4906N-35H, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 9600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4906NA-1G | onsemi | MOSFETs NFET DPAK 30V 54A 5.5 mOhm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4906NA-1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-Ch 30V 14A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail | на замовлення 40158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4906NA-35G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4906NA-35G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTD4906NA-35G - NTD4906NA - MOSFET N-CH 30V 54A SGL IPAK tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4906NA-35G | ON Semiconductor | TRANS MOSFET N-CH 30V 14A 3-PIN(3+TAB) IPAK RAIL | на замовлення 22125 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4906NA-35G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 54A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 15 V | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4906NAT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 54A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4906NAT4G | ON Semiconductor | на замовлення 1 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTD4906NAT4H | на замовлення 2500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTD4906NAT4H | ON Semiconductor | NTD4906NAT4H | на замовлення 2500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4906NAT4H | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTD4906NAT4H - NTD4906NAT4H, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 57500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4906NAT4H | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 54A Packaging: Bulk | на замовлення 57500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4906NAT4H | ON Semiconductor | NTD4906NAT4H | на замовлення 55000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4906NT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 10.3A/54A DPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1932 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: DPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), 37.5W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 5.5mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10.3A (Ta), 54A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Packaging: Tape & Reel (TR) | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4906NT4G | на замовлення 2292 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTD4906NT4H | Sanyo | Description: N-CHANNEL POWER MOSFET Packaging: Bulk | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4906NT4H | Sanyo Electric | NTD4906NT4H | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4906NT4H | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTD4906NT4H - NTD4906NT4H, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 568 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 568 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4909N-1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 41A SGL IPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1350 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4909N-35G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Vgs (Max): ±20V Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Supplier Device Package: IPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Power Dissipation (Max): 1.37W (Ta), 29.4W (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 41A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4909N-35G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 41A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.37W (Ta), 29.4W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314 pF @ 15 V | на замовлення 19225 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4909N-35H | Rochester Electronics, LLC | Description: NTD4909N-35H | на замовлення 14925 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 736 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4909NA-35G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Supplier Device Package: IPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 41A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Packaging: Bulk | на замовлення 23773 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4909NA-35G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 30V 41A 8 mOhm | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4909NA-35G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A/41A IPAK Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1314 pF @ 15 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 17.5 nC @ 10 V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Supplier Device Package: IPAK Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8mOhm @ 30A, 10V Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.8A (Ta), 41A (Tc) FET Type: N-Channel Technology: MOSFET (Metal Oxide) Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Packaging: Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 900 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4909NAT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 41A SGL DPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4909NAT4H | на замовлення 25000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTD4909NAT4H | onsemi | Description: NFET DPAK 30V 41A 8MO Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 157500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4909NT4G | ON Semiconductor | MOSFET NFET DPAK 30V 41A 8.0 mOhm | на замовлення 649 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4909NT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A SGL DPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4909NT4G | ON Semiconductor | на замовлення 201 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTD4909NT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 8.8A SGL DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4909NT4H | onsemi | Description: NFET DPAK 30V 41A 8MO Packaging: Bulk Part Status: Active | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4910N-35G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 8.2A/37A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.37W (Ta), 27.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1203 pF @ 15 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4910N-35G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 8.2A/37A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.2A (Ta), 37A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.37W (Ta), 27.3W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.4 nC @ 10 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1203 pF @ 15 V | на замовлення 11425 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4910NG | на замовлення 237 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTD4910NT4G | ON Semiconductor | на замовлення 1715 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTD4910NT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 37A DPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4913N | ON | 09+ TO-252 | на замовлення 1500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4913N-1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 32A IPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4913N-35G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 32A IPAK TRIMMED | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4913NT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 32A DPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4959N-1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 9A IPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2775 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4959N-35G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 9A/58A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25 nC @ 11.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1456 pF @ 12 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4959N4TG | на замовлення 52500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTD4959NH-1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 9A IPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2325 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4959NH-35G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 9A/58A IPAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 11.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 12 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4959NHT4 | на замовлення 52500 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTD4959NHT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 9A/58A DPAK Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 11.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 12 V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4959NHT4G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 9A/58A DPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 9A (Ta), 58A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 9mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.3W (Ta), 52W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: DPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 11.5V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 44 nC @ 11.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2155 pF @ 12 V | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4959NHT4G | ONSEMI | Description: ONSEMI - NTD4959NHT4G - NTD4959NHT4G, SINGLE MOSFETS tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 7500 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| NTD4959NT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 9A TP-FA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 5000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4960N-1G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4960N-35G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 11.1A IPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4960NT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 11.1A DPAK | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4960NT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 11.1A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4960NT4G | на замовлення 10000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTD4960NT4G | ON Semiconductor | Description: MOSFET N-CH 30V 11.1A DPAK | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4960NT4G(EOL) | на замовлення 7137 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTD4963N-1G | ON Semiconductor | на замовлення 50 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTD4963N-35G | ON Semiconductor | на замовлення 25 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| NTD4963N-35G | Rochester Electronics, LLC | Description: MOSFET N-CH 30V 8.1A/44A IPAK | на замовлення 17340 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1415 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4963NT4G | Rochester Electronics, LLC | Description: MOSFET N-CH 30V 8.1A/44A DPAK | на замовлення 109051 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1603 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4963NT4G | на замовлення 10057 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| NTD4965N | onsemi | MOSFET TRENCH 3.1 30V 4 mOhm NCH | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4965N-1G | onsemi | Description: MOSFET N-CH 30V 68A IPAK-4 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 161 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| NTD4965N-1G | ON Semiconductor | Trans MOSFET N-CH 30V 17.8A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube | на замовлення 6184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

