NTD4970N-35G onsemi
Виробник: onsemi
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A/36A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), 24.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 774 pF @ 15 V
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD4970N-35G onsemi
Description: ONSEMI - NTD4970N-35G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.011 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 24.6W, Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTD4970N-35G за ціною від 37.38 грн до 45.47 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTD4970N-35G | ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 16517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||
 |
NTD4970N-35G | ON Semiconductor |
MOSFET NFET DPAK 30V 38A 11MOHM |
на замовлення 1162 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||
 |
NTD4970N-35G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD4970N-35G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.011 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 24.6W Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 17337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. |
| NTD4970N-35G |
|
Виробник: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube
на замовлення 16517 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 776+ | 45.47 грн |
| 1000+ | 41.92 грн |
| 10000+ | 37.38 грн |
| NTD4970N-35G |
|
Виробник: ON Semiconductor
MOSFET NFET DPAK 30V 38A 11MOHM
MOSFET NFET DPAK 30V 38A 11MOHM
на замовлення 1162 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| NTD4970N-35G |
|
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - NTD4970N-35G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.011 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24.6W
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
Description: ONSEMI - NTD4970N-35G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.011 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 11.6A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 24.6W
Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 17337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)