NTD4970N-35G onsemi
Виробник: onsemiDescription: MOSFET N-CH 30V 8.5A/36A IPAK
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 36A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V
Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), 24.6W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 774 pF @ 15 V
на замовлення 17337 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 820+ | 27.18 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис NTD4970N-35G onsemi
Description: ONSEMI - NTD4970N-35G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.011 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 11.6A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 24.6W, Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm, SVHC: No SVHC (14-Jun-2023).
Інші пропозиції NTD4970N-35G за ціною від 32.10 грн до 43.67 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
NTD4970N-35G | Виробник : ONSEMI |
Description: ONSEMI - NTD4970N-35G - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 11.6 A, 0.011 ohm, TO-251 (IPAK), Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 11.6A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 24.6W Bauform - Transistor: TO-251 (IPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.011ohm SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) |
на замовлення 17337 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
NTD4970N-35G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
на замовлення 16517 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||
 |
NTD4970N-35G | Виробник : ON Semiconductor |
MOSFET NFET DPAK 30V 38A 11MOHM |
на замовлення 1162 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|||||
 |
NTD4970N-35G | Виробник : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH 30V 11.6A 3-Pin(3+Tab) IPAK Tube |
товару немає в наявності |
|||||
|
|
NTD4970N-35G | Виробник : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 30V 8.5A/36A IPAK Packaging: Bulk Package / Case: TO-251-3 Stub Leads, IPak Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8.5A (Ta), 36A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 11mOhm @ 30A, 10V Power Dissipation (Max): 1.38W (Ta), 24.6W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.2 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 774 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |