Продукція > RJK

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RJK60S5DPP-E0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 178mOhm @ 10A, 10V
Power Dissipation (Max): 33.7W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 27 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1600 pF @ 25 V
на замовлення 226 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+1204.82 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK60S5DPQ-E0#T2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 20A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK60S7DPK-M0#T0Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO3PSG
Packaging: Tube
Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 227.2W (Tc)
Supplier Device Package: TO-3PSG
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
на замовлення 53 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+532.99 грн
10+437.25 грн
В кошику  од. на суму  грн.
RJK60S7DPP-E0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: N-CHANNEL MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
на замовлення 46800 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+903.10 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RJK60S7DPP-E0#T2Renesas Electronics CorporationDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO220FP
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 125mOhm @ 15A, 10V
Power Dissipation (Max): 34.7W (Tc)
Supplier Device Package: TO-220FP
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): +30V, -20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 600 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 39 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2300 pF @ 25 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK60S7DPQ-E0#T2Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 30A TO-247
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJK60S8DPK-M0#T0Renesas Electronics AmericaDescription: MOSFET N-CH 600V 55A TO3PSG
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RJKST11L
на замовлення 99 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.