Продукція > BC8
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC856A,215 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 250mW; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 125...250 Mounting: SMD Kind of package: 7 inch reel; tape | на замовлення 318 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856A,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 41949 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856A,215 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 4 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 4 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856A,215 | NXP Semiconductors | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 93000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856A,215 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC856A/SOT23/TO-236AB | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 34 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856A,215 | NXP/Nexperia/We-En | Транзистор PNP, Uceo, В = 65, Ic = 100 мА, ft, МГц = 100, hFE = 125 @ 2 мA, 5 В, Icutoff-max = 15 нА, Uceo(sat), В @ Ic, Ib = 0,65 @ 5 мA, 100 мА, Р, Вт = 0,25 Вт, Тексп, °C = -65...+150, Тип монт. = smd,... Транзистори Корпус: SOT-23-3 Од. вим: шт кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 1479 шт: термін постачання 3 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856A-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856A-7-F | Diodes | TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856A-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BC856A-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856A-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 249000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856A-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 147287 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856A-7-F | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 350mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.35W Case: SOT23 Current gain: 125...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Quantity in set/package: 3000pcs. | на замовлення 3990 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856A-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 16 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 16 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856A-7-F | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR | на замовлення 285 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856A-7-F | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BC856A-7-F - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 300 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 200hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 300mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 2838 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856A-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 525000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856A-7-F | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 300 mW | на замовлення 147000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856A-7-F | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 350mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856A-7-F-W | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor SOT23 T&R 3K | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 29 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856A-7-F-W | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856A-7-F-W | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856A-AQ | Diotec Semiconductor | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856A-AQ | Diotec Semiconductor | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856A-AQ | Diotec Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT BJT, SOT-23, 65V, 100mA, PNP, AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 39 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856A-AQ | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 300mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.3W Case: SOT23 Current gain: 125 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz Application: automotive industry Pulsed collector current: 0.2A | на замовлення 425 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856A-AU_R1_000A1 | Panjit International Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 330 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856A-AU_R1_000A1 | Panjit | Bipolar Transistors - BJT PNPGENERALPURPOSETRANSISTORS VCE-65V IC-100mA SOT-23 AEC-Q101 Qualified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 26 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856A-AU_R1_000A1 | Panjit International Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -50°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 330 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 2470 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856A-CDI BC856A | CDIL | Транзистор: PNP; біполярний; 65В; 0,1А; 0,25Вт; SOT23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856A-E6327 | на замовлення 8457 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BC856A-E6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 65V 0.1A PG-SOT23-3-1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 330 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856A-E6327 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC856A-E6327 - BC856 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856A-HF | Comchip Technology | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23-3 Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SOT-23-3 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2.2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 250 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856A-HF | Comchip Technology | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856A-HF | Comchip Technology | Bipolar Transistors - BJT TRANSISTOR -80V -1A | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856A-QR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 106110 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856A-QR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-236AB Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856A-QR | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT SOT23 65V .1A PNP BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 21 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856A-QR | Nexperia | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 250mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856A-QR | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 65V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 250 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856A-T | Rectron | Bipolar Transistors - BJT Transistor PNP | на замовлення 1629 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856A-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856A-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BC856A-TP - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 310 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 310mW Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 200MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856A-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856A-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 310 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856A-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 200mW; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT23 Current gain: 125...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 200MHz | на замовлення 4794 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856A-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP -65V -100mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856A-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856A-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 310 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856A-TP | MCC Corp. | TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856A.215 Код товару: 23457
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-23 fT: 100 MHz Uке, В: 65 V Uкб, В: 80 V Iк, А: 0,1 A h21,max: 250 | товару немає в наявності
|
| |||||||||||||||||||
| BC856AE6327 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 65V 0.1A PG-SOT23-3-1 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23-3-1 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 330 mW Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 39045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856AE6327 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BC856AE6327 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 33045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856AE6327 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC856AE6327 - BC856 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 6000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856AE6327 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 330mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856AFSW-7 | Diodes Zetex | BC856AFSW-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856AFSW-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K | на замовлення 4989 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856AFSW-7 | Diodes Zetex | BC856AFSW-7 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856AFSW-7 | Diodes Zetex | BC856AFSW-7 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856AFSW-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 65V 0.1A UDFN14123/SWP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: U-DFN1412-3/SWP (Type A) Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 450 mW | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856AFSW-7 | Diodes Zetex | BC856AFSW-7 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856AFSW-7 | Diodes Zetex | BC856AFSW-7 | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856AFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC856AFSWQ-7 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856AFSWQ-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS PNP 65V 0.1A UDFN14123/SWP Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 3-UDFN Mounting Type: Surface Mount, Wettable Flank Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: U-DFN1412-3/SWP (Type A) Grade: Automotive Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 450 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856AFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC856AFSWQ-7 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856AFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC856AFSWQ-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856AFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC856AFSWQ-7 | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856AFSWQ-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT General Purpose Transistor U-DFN1412-3 T&R 5K | на замовлення 5000 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856AFSWQ-7 | Diodes Zetex | BC856AFSWQ-7 | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856AHE3-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 310mW 3-Pin SOT-23 T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856AHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 310 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 474 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856AHE3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP SIGNAL TRANSISTOR,SOT-23 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856AHE3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 200MHz Supplier Device Package: SOT-23 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 310 mW Qualification: AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856AL | onsemi | onsemi SS SOT23 GP XSTR PNP 65V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856AL3-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS PNP 65V 0.1A DFN1006-3 Packaging: Bulk Package / Case: SC-101, SOT-883 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 110 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: DFN1006-3 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 150 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856AL3-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT PNP SIGNAL TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856AL3-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 150mW 3-Pin DFN T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 10000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856ALT1 | MOT | на замовлення 4050 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BC856ALT1 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 80V PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856ALT1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 37900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856ALT1 | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC856ALT1 - TRANS PNP 65V 0.1A SOT23 tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 16900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856ALT1 | onsemi | Description: TRANS PNP 65V 100MA SOT23 Packaging: Bulk | на замовлення 227900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856ALT1 | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 190000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 41466 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856ALT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 65V; 0.1A; 0.225W; SOT23,TO236AB Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 65V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.225W Case: SOT23; TO236AB Current gain: 125...250 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | на замовлення 5679 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856ALT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC856ALT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), Universal, PNP, 65 V, 100 mA, 225 mW, SOT-23, Oberflächenmontage tariffCode: 85331000 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 100hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y MSL: - Verlustleistung: 225mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-23 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: BCxxx Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1045 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856ALT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236) Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 300 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 66000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856ALT1G | On Semiconductor | TRANS PNP 65V 100MA SOT23-3 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC856ALT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT23-3 | на замовлення 358085 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 63000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 1881 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 72000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC856ALT1G Код товару: 148854
Додати до обраних
Обраний товар
| Транзистори > Біполярні PNP | товару немає в наявності
| В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BC856ALT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

