Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис BC856AW,115 Nexperia
Description: NEXPERIA - BC856AW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SC-70, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Verlustleistung: 200mW, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: SC-70, Dauerkollektorstrom: 100mA, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: PNP, usEccn: EAR99, Übergangsfrequenz: 100MHz, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Інші пропозиції BC856AW,115 за ціною від 0.81 грн до 24.83 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна |
||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
BC856AW,115 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 846000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BC856AW,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BC856AW,115 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BC856AW,115 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 483000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BC856AW,115 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 42000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BC856AW,115 | Nexperia |
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R |
на замовлення 14400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
|
BC856AW,115 | Nexperia USA Inc. |
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V Power - Max: 200 mW |
на замовлення 3183 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BC856AW,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856AW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SC-70, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BC856AW,115 | Nexperia |
Bipolar Transistors - BJT SOT323 65V .1A PNP B JT |
на замовлення 9045 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||
|
BC856AW,115 | NEXPERIA |
Description: NEXPERIA - BC856AW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SC-70, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SC-70 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C |
на замовлення 2345 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
| BC856AW,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 846000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 17442+ | 0.81 грн |
| BC856AW,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 1.74 грн |
| BC856AW,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14019+ | 2.53 грн |
| BC856AW,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 483000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14019+ | 2.53 грн |
| 100000+ | 2.11 грн |
| BC856AW,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14019+ | 2.53 грн |
| BC856AW,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
Trans GP BJT PNP 65V 0.1A 200mW 3-Pin SC-70 T/R
на замовлення 14400 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 14019+ | 2.53 грн |
| BC856AW,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia USA Inc.
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
Description: TRANS PNP 65V 0.1A SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 5mA, 100mA
Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V
Frequency - Transition: 100MHz
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 65 V
Power - Max: 200 mW
на замовлення 3183 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 37+ | 8.72 грн |
| 58+ | 5.27 грн |
| 100+ | 3.26 грн |
| 500+ | 2.21 грн |
| 1000+ | 1.93 грн |
| BC856AW,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856AW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - BC856AW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 100+ | 10.53 грн |
| 147+ | 5.62 грн |
| 500+ | 3.54 грн |
| 1500+ | 2.78 грн |
| BC856AW,115 |
![]() |
Виробник: Nexperia
Bipolar Transistors - BJT SOT323 65V .1A PNP B JT
Bipolar Transistors - BJT SOT323 65V .1A PNP B JT
на замовлення 9045 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 18+ | 18.42 грн |
| 43+ | 7.70 грн |
| 100+ | 3.59 грн |
| 500+ | 2.40 грн |
| 1000+ | 2.04 грн |
| 3000+ | 1.83 грн |
| BC856AW,115 |
![]() |
Виробник: NEXPERIA
Description: NEXPERIA - BC856AW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Description: NEXPERIA - BC856AW,115 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 65 V, 100 mA, 200 mW, SC-70, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 125hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SC-70
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 65V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Übergangsfrequenz: 100MHz
Betriebstemperatur, max.: 150°C
на замовлення 2345 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 34+ | 24.83 грн |
| 79+ | 10.53 грн |
| 147+ | 5.62 грн |
| 500+ | 3.54 грн |
| 1500+ | 2.78 грн |





