Продукція > MMD

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
MMDT4401-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS 2NPN 40V 600MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 1500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
20+15.10 грн
100+9.49 грн
500+6.61 грн
1000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4401-TPMicro Commercial ComponentsTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 2000mW 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4401Q-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 200mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4401Q-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS 2NPN 40V 600MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.43 грн
6000+3.84 грн
9000+3.63 грн
15000+3.17 грн
21000+3.04 грн
30000+2.91 грн
75000+2.57 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4401Q-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT NPN 40V 0.6A 200mW Automotive AEC-Q101 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 99000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3897+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 3897 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4401Q-7-FDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT Dual NPN Small Signal Transistor
на замовлення 126 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4401Q-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS 2NPN 40V 600MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Grade: Automotive
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 99510 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+21.16 грн
25+12.53 грн
100+7.83 грн
500+5.42 грн
1000+4.80 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4401_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS 2NPN 40V 600MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 5780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
17+18.81 грн
28+10.79 грн
100+6.75 грн
500+4.66 грн
1000+4.12 грн
Мінімальне замовлення: 17 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4401_R1_00001PanjitBipolar Transistors - BJT DUALPNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VCE40V IC600mA SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4401_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS 2NPN 40V 600MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 NPN (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.79 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4401_R1_10001PanjitBipolar Transistors - BJT DUALPNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VCE40V IC600mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4401_R2_00001PanjitBipolar Transistors - BJT DUALPNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VCE40V IC600mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4401_R2_10001PanjitBipolar Transistors - BJT DUALPNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VCE40V IC600mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4403
на замовлення 500000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4403-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 40V 600MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 30000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4403-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
987+9.80 грн
1000+8.15 грн
Мінімальне замовлення: 987 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4403-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4403-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 40V 600MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 126000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+5.67 грн
6000+4.94 грн
9000+4.67 грн
15000+4.10 грн
21000+3.93 грн
30000+3.77 грн
75000+3.36 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4403-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4403-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMDT4403-7-F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 40 V, 600 mA
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4403-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4403-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 1650 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1444+9.80 грн
Мінімальне замовлення: 1444 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4403-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4403-7-FDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT -40V 200mW
на замовлення 4329 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4403-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 40V 600MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 127788 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
20+15.62 грн
100+9.84 грн
500+6.87 грн
1000+6.10 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4403-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMDT4403-7-F - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 40 V, 600 mA
tariffCode: 85411000
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: -
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: -
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Zweifach pnp
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: -
на замовлення 2225 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4403-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.48 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4403-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS 2PNP 40V 600MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 2440 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
20+15.10 грн
100+9.49 грн
500+6.61 грн
1000+5.87 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4403-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT -600mA -40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4403-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS 2PNP 40V 600MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4403_R1_00001PanjitBipolar Transistors - BJT DUALPNPGENERALPURPOSESWITCHINGTRANSISTOR VCE-40V IC-600mA SOT-363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4403_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS 2PNP 40V 600MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 1885 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
17+18.64 грн
100+11.78 грн
500+8.27 грн
1000+7.37 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4403_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS 2PNP 40V 600MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4413Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 40V 200MW 600MA NPN+PNP SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4413Yangjie Electronic TechnologyMMDT4413
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6303+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 6303 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4413Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 40V 200MW 600MA NPN+PNP SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.16 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4413-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 40V 0.6A SOT363
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4413-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMDT4413-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4413-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4413-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 40V 600MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V / 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 4259 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
10+31.35 грн
17+18.42 грн
100+11.62 грн
500+8.15 грн
1000+7.26 грн
Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4413-7-Fonsemi / FairchildBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4413-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 5660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
989+5.04 грн
3000+3.63 грн
Мінімальне замовлення: 989 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4413-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 5660 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2809+5.04 грн
Мінімальне замовлення: 2809 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4413-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS NPN/PNP 40V 600MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V / 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.78 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4413-7-FDiodes IncorporatedBipolar Transistors - BJT 40 / 40V 200mW
на замовлення 35297 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4413-7-FDIODES INC.Description: DIODES INC. - MMDT4413-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW
tariffCode: 85412100
DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE
Transistormontage: Oberflächenmontage
Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Verlustleistung, PNP: 200mW
Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA
Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V
DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-363
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
Produktpalette: -
Verlustleistung, NPN: 200mW
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V
Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4413-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+9.26 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4413-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS NPN/PNP 40V 600MA SOT-363
Packaging: Bulk
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4413-TPMicro Commercial Components (MCC)Bipolar Transistors - BJT NPN&PNP Transistor
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4413K13
на замовлення 2798 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4413_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS NPN/PNP 40V 600MA SOT-363
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V / 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.45 грн
6000+2.10 грн
9000+1.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4413_R1_00001PanjitBipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYNPN PNPSMALLSIGNALSURGACEMOUNT VCE-40 40V IC-600 600mA
на замовлення 6871 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4413_R1_00001Panjit International Inc.Description: TRANS NPN/PNP 40V 600MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 225mW
Current - Collector (Ic) (Max): 600mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA
Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V / 100 @ 150mA, 2V
Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz
Supplier Device Package: SOT-363
Part Status: Active
на замовлення 13985 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.54 грн
42+7.32 грн
100+4.48 грн
500+3.07 грн
1000+2.69 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4413_R1_10001PanjitBipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYNPN PNPSMALLSIGNALSURGACEMOUNT VCE-40 40V IC-600 600mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4413_R2_00001PanjitBipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYNPN PNPSMALLSIGNALSURGACEMOUNT VCE-40 40V IC-600 600mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT4413_R2_10001PanjitBipolar Transistors - BJT COMPLEMENTARYNPN PNPSMALLSIGNALSURGACEMOUNT VCE-40 40V IC-600 600mA
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 10000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5111WDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMDT5111W - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5111WDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; R1: 10kΩ
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
180+2.75 грн
340+1.30 грн
500+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5111W-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; R1: 10kΩ
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Application: automotive industry
Type of transistor: PNP
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5111W-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMDT5111W-AQ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach PNP, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 30hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: PDTA114E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 50V
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5112WDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; R1: 22kΩ
Mounting: SMD
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: PNP
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 22kΩ
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 22kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
на замовлення 2973 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
180+2.75 грн
340+1.30 грн
500+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5112WDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMDT5112W - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 60hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5112WDiotec SemiconductorDescription: DIGITAL TR SOT-323 50V 100MA
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5114WDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMDT5114W - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5114WDComponentsDescription: DI Trst. 50V, 100mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5114W-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMDT5114W-AQ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, PNP, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: PNP
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5114W-AQDiotec SemiconductorDigital Transistors Biased BJT, SOT-323, PNP, 10k?, 47k?, 50V, 150C, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5210WDiotec SemiconductorDigital Transistors SOT-323, NPN, 47k, 0k, 50V, 150C
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5210WDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; 47kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Current gain: 160...460
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5210W-AQDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; 47kΩ
Mounting: SMD
Type of transistor: NPN
Current gain: 160...460
Kind of package: reel; tape
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 47kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Application: automotive industry
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5210W-AQDiotec SemiconductorDigital Transistors SOT-323, NPN, 47k, 0k, 50V, 150C, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5211WDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMDT5211W - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 10 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 35hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 10kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2780 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5211WDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; R1: 10kΩ
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 10kΩ
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 10kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
на замовлення 2003 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
160+3.03 грн
300+1.43 грн
500+1.28 грн
Мінімальне замовлення: 160 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5212WDIOTEC SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT323; R1: 22kΩ
Mounting: SMD
Kind of transistor: BRT
Type of transistor: NPN
Kind of package: reel; tape
Base-emitter resistor: 22kΩ
Case: SOT323
Frequency: 250MHz
Collector current: 0.1A
Collector-emitter voltage: 50V
Base resistor: 22kΩ
Power dissipation: 0.2W
Polarisation: bipolar
на замовлення 2960 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
180+2.75 грн
340+1.30 грн
500+1.17 грн
Мінімальне замовлення: 180 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5213WTaiwan SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN digital trans 10/4.7kohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5213WDiotec SemiconductorDigital Transistors Digital Transistor, SOT-323, 50V, 100mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5213WDiotec SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin SOT-323
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5213WDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMDT5213W - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5213W-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMDT5213W-AQ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5213W-AQDiotec SemiconductorDigital Transistors Digital Transistor, SOT-323, 50V, 100mA, AEC-Q101
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5214WDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMDT5214W - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5214WDiotec SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5214WDiotec SemiconductorDigital Transistors Digital Transistor, SOT-323, 50V, 100mA
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5214WDiotec SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5214WTaiwan SemiconductorBipolar Transistors - BJT NPN digital trans 4.7/4.7kohm
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5214W-AQDIOTEC SEMICONDUCTORDescription: DIOTEC SEMICONDUCTOR - MMDT5214W-AQ - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT521LWDiotec SemiconductorDigital Transistors BIASED BJT, SOT-323, NPN, 4.7K
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401LITEON
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 150V 200MW 600MA PNP SOT-363
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401onsemiBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401GOODWORKDescription: PNP600mA 150V 300mW SOT-363
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 150V 200MW 600MA PNP SOT-363
на замовлення 2410 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
25+12.54 грн
42+7.32 грн
100+4.55 грн
500+3.10 грн
1000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401-7
на замовлення 136 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401-7Diodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 150V 0.2A SOT363
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401-7-FDIODES/ZETEXTransistor PNP; Bipolar; 240; 6V; 320mW; 150V; 200mA; 300MHz; -55°C~150°C; MMDT5401-7-F TMMDT5401-7-F Diodes
кількість в упаковці: 100 шт
на замовлення 2570 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
200+4.00 грн
Мінімальне замовлення: 200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+8.62 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401-7-FDIODES INCORPORATEDCategory: PNP SMD transistors
Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 150V; 0.2A; 200mW; SOT363
Type of transistor: PNP x2
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 150V
Collector current: 0.2A
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT363
Current gain: 60...240
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 300MHz
Manufacturer standard package: 3000pcs.
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401-7-FDiodes IncorporatedDescription: TRANS 2PNP 150V 200MA SOT-363
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: 2 PNP (Dual)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Power - Max: 200mW
Current - Collector (Ic) (Max): 200mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 150V
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 500mV @ 5mA, 50mA
Current - Collector Cutoff (Max): 50nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 60 @ 10mA, 5V
Frequency - Transition: 300MHz
Supplier Device Package: SOT-363
на замовлення 5735 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+24.30 грн
21+14.49 грн
100+9.11 грн
500+6.35 грн
1000+5.64 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
MMDT5401-7-FDiodes ZetexTrans GP BJT PNP 150V 0.2A 320mW 6-Pin SOT-363 T/R
на замовлення 27000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+6.84 грн
6000+6.13 грн
9000+5.19 грн
15000+4.99 грн
21000+4.39 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.