MMDT4413-7-F Diodes Zetex
на замовлення 132000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 3000+ | 5.34 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис MMDT4413-7-F Diodes Zetex
Description: DIODES INC. - MMDT4413-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW, tariffCode: 85412100, DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE, Transistormontage: Oberflächenmontage, Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Verlustleistung, PNP: 200mW, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA, Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V, DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE, euEccn: NLR, Bauform - Transistor: SOT-363, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, Verlustleistung, NPN: 200mW, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V, Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції MMDT4413-7-F за ціною від 4.20 грн до 34.22 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
MMDT4413-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
 Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMDT4413-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MMDT4413-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN/PNP 40V 600MA SOT-363 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V / 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MMDT4413-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMDT4413-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 200mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4700 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMDT4413-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 5640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMDT4413-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
на замовлення 5640 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMDT4413-7-F | Виробник : DIODES INC. |
Description: DIODES INC. - MMDT4413-7-F - Bipolares Transistor-Array, zweifach, Komplementär NPN und PNP, 40 V, 40 V, 600 mA, 600 mA, 200 mW tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: 100hFE Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: 250MHz rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Verlustleistung, PNP: 200mW MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 600mA Übergangsfrequenz, PNP: 200MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 40V DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 100hFE euEccn: NLR Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: 200mW productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Komplementär NPN und PNP Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 40V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: 600mA SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 4280 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
 |
MMDT4413-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Bipolar Transistors - BJT 40 / 40V 200mW |
на замовлення 38509 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
|
MMDT4413-7-F | Виробник : Diodes Incorporated |
Description: TRANS NPN/PNP 40V 600MA SOT-363 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 1 NPN, 1 PNP Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 600mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 40V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 50mA, 500mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 100 @ 150mA, 1V / 100 @ 150mA, 2V Frequency - Transition: 250MHz, 200MHz Supplier Device Package: SOT-363 |
на замовлення 22769 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
| MMDT4413-7-F |
|
на замовлення 3000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
| MMDT4413-7-F | Виробник : DIODES INCORPORATED |
MMDT4413-7-F Complementary transistors |
товару немає в наявності |
||||||||||||||||||||
|
|
MMDT4413-7-F | Виробник : Diodes Zetex |
Trans GP BJT NPN/PNP 40V 0.6A 200mW 6-Pin SOT-363 T/R |
товару немає в наявності |