Продукція > IRF

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна
IRFF9113CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9120Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9120Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 100V 4A 3-Pin TO-39
на замовлення 544 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1+1206.41 грн
10+1194.34 грн
25+1182.38 грн
50+1128.84 грн
100+1034.74 грн
500+983.39 грн
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9120HARRIS
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9120PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9120RHARRIS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9121IOR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9121RHARRIS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9122Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Power Dissipation (Max): 20W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
на замовлення 422 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
265+88.77 грн
Мінімальне замовлення: 265 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9122IOR
на замовлення 2900 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9122RHARRIS
на замовлення 2280 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9123CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9130Harris CorporationDescription: 6.5A, 100V, 0.3OHM, P-CHANNEL MO
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Packaging: Bulk
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
FET Type: P-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9130IR
на замовлення 2100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9130Semelab (TT electronics)Trans MOSFET P-CH 100V 5.8A 3-Pin TO-39
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 120 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9130RHARRIS
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9131Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 32 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9131IR
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9131RHARRIS
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9132IR
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9132Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5.5A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 400mOhm @ 3A, 10V
Power Dissipation (Max): 25W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 45 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 500 pF @ 25 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9132RHARRIS
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9133International RectifierDescription: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL POWE
Drain to Source Voltage (Vdss): 80 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Power Dissipation (Max): 25W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6.5A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Packaging: Bulk
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9133IR
на замовлення 2300 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9133RHARRIS
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9210International Rectifier(MFET,N-CH,15W,200V,1.6A,TO-205) Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9210Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9210Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 200V 1.5A Automotive 3-Pin TO-39
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9210IOR
на замовлення 1090 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9210PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9210RHARRIS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9211CAN
на замовлення 254 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9211International RectifierDescription: AUTOMOTIVE HEXFET P-CHANNEL
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9212IR
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9213CAN
на замовлення 146 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9213International RectifierDescription: MOSFET N-CH 150V 1.3A TO205AF
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9220IRTO-39
на замовлення 10000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9220Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9220PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9220RHARRIS
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9221International RectifierDescription: MOSFET N-CH 150V 2.5A TO205AF
на замовлення 194 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
194+154.73 грн
Мінімальне замовлення: 194 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9221IOR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9221Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9221RHARRIS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9222IOR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9222Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 2.4Ohm @ 1.5A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 22 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 350 pF @ 25 V
на замовлення 2106 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
140+144.68 грн
Мінімальне замовлення: 140 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9222RHARRIS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9223CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9230Infineon TechnologiesTrans MOSFET P-CH 200V 4A 3-Pin TO-39
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9230IOR
на замовлення 1290 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9230Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9230PBFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9230RHARRIS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9231International RectifierDescription: MOSFET N-CH 150V 4A TO205AF
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Power Dissipation (Max): 25W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 4A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Packaging: Bulk
Mounting Type: Through Hole
на замовлення 3214 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
70+323.37 грн
Мінімальне замовлення: 70 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9231CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9232CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9232Harris CorporationDescription: P-CHANNEL POWER MOSFET
Packaging: Bulk
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A (Tc)
Power Dissipation (Max): 25W
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Part Status: Active
Drain to Source Voltage (Vdss): 200 V
на замовлення 582 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+120.71 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9233International RectifierDescription: AUTOMOTIVE HEXFET N-CHANNEL
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-205AF (TO-39)
Power Dissipation (Max): 25W
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.5A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-205AF Metal Can
Packaging: Bulk
на замовлення 289 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
185+116.02 грн
Мінімальне замовлення: 185 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9233CAN
на замовлення 1030 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9310IOR
на замовлення 1160 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9310RHARRIS
на замовлення 1100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9321IOR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9321RHARRIS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9322IOR
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9322RHARRIS
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9330IOR
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFF9330RHARRIS
на замовлення 1200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFG110Infineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFG4PC30FIR07+;
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFG4PC40SIRMODULE
на замовлення 87 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFG9110IR01+
на замовлення 1 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3702Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3702PbFInfineon / IRMOSFET
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3702TRInternational RectifierTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP IRFH3702TR2 IRFH3702TR TIRFH3702
кількість в упаковці: 50 шт
на замовлення 200 шт:
термін постачання 28-31 дні (днів)
50+17.34 грн
Мінімальне замовлення: 50 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3702TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 42A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 16A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Part Status: Obsolete
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3702TR2PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 16A 7.1mOhm 9.6nC
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3702TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
на замовлення 3600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3600+28.68 грн
Мінімальне замовлення: 3600 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3702TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/42A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1343 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
5+70.70 грн
10+42.36 грн
100+27.66 грн
500+20.02 грн
1000+18.11 грн
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3702TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 16A 8PQFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3702TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH3702TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0057 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 4 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3702TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 16A 8-Pin PQFN EP T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3702TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 16A/42A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1510 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 14 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 7.1mOhm @ 16A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta), 42A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 4000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3702TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 7.1mOhms 9.6nC
на замовлення 37 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
6+56.05 грн
10+42.32 грн
100+26.39 грн
500+20.39 грн
1000+18.43 грн
2000+18.36 грн
4000+15.36 грн
Мінімальне замовлення: 6 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3702TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH3702TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 16 A, 0.0057 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0057ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 4 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3707Infineon TechnologiesMOSFETs
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3707TR2PBFInfineon / IRMOSFET MOSFT 30V 12A 12.4mOhm 5.4nC
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3707TR2PBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 15 V
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1200 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3707TR2PBF (транзисторы)
Код товару: 54545
Додати до обраних Обраний товар
Різні комплектуючі > Різні комплектуючі 2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3707TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 15 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 29A (Tc)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: 8-PowerVDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 313 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
7+51.85 грн
10+30.79 грн
100+19.87 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3707TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH3707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0124 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+24.36 грн
500+17.40 грн
1000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3707TRPBF
Код товару: 158440
Додати до обраних Обраний товар
Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3707TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 15 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3707TRPBFInfineon TechnologiesMOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 12.4mOhms 5.4nC
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
8+44.72 грн
10+32.68 грн
100+19.20 грн
500+14.80 грн
1000+11.31 грн
2500+10.96 грн
4000+9.57 грн
Мінімальне замовлення: 8 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3707TRPBFINFINEONDescription: INFINEON - IRFH3707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0124 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
15+57.76 грн
22+37.39 грн
100+24.36 грн
500+17.40 грн
1000+13.69 грн
Мінімальне замовлення: 15 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3707TRPBFInfineon TechnologiesTrans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PQFN T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+71.63 грн
500+44.42 грн
1000+31.00 грн
2000+27.61 грн
4000+25.40 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3707TRPBFInternational RectifierMOSFET N-CH 30V 12A PQFN Транзистори
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4201TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 49A 8PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4201TRPBFInfineon / IRMOSFET 25V Single N-Ch HEXFET PWR 50A
на замовлення 1735 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4201TRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 49A 8PQFN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH4209DTRPBFInfineon TechnologiesDescription: MOSFET N-CH 25V 44A/260A PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerTDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Ta), 260A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.1mOhm @ 50A, 10V
Power Dissipation (Max): 3.5W (Ta), 125W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.1V @ 100µA
Supplier Device Package: PQFN (5x6)
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 25 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 74 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4620 pF @ 13 V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 22 44 66 88 110 117 118 119 120 121 122 123 124 125 126 127 132 154 176 198 220 223  [ Наступна Сторінка >> ]