IRFH3707TRPBF Infineon Technologies
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна |
|---|---|
| 4000+ | 14.28 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис IRFH3707TRPBF Infineon Technologies
Description: INFINEON - IRFH3707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0094 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Інші пропозиції IRFH3707TRPBF за ціною від 10.43 грн до 50.50 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
|
IRFH3707TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
 Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PQFN T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH3707TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PQFN T/R |
на замовлення 3065 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH3707TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PQFN T/R |
на замовлення 6096 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH3707TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH3707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0094 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH3707TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 15 V |
на замовлення 3462 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH3707TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PQFN T/R |
на замовлення 4000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
 |
IRFH3707TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 12.4mOhms 5.4nC |
на замовлення 2343 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
|
IRFH3707TRPBF | Виробник : INFINEON |
Description: INFINEON - IRFH3707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0094 ohm, PQFN, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 29A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V euEccn: NLR Verlustleistung: 2.8W Bauform - Transistor: PQFN Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: HEXFET productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
на замовлення 3145 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||
|
IRFH3707TRPBF Код товару: 158440
Додати до обраних
Обраний товар
|
Транзистори > Польові N-канальні |
товару немає в наявності
|
|||||||||||||||||||
|
|
IRFH3707TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PQFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
 |
IRFH3707TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PQFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFH3707TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PQFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFH3707TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PQFN T/R |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||
|
|
IRFH3707TRPBF | Виробник : Infineon Technologies |
Description: MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 8-PowerVDFN Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 29A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta) Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3) Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 15 V |
товару немає в наявності |