Продукція > Транзистори > Польові N-канальні > IRFH3707TRPBF

IRFH3707TRPBF

irfh3707pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a2e0b1e78
Код товару: 158440
Додати до обраних Обраний товар

Виробник:
Транзистори > Польові N-канальні

товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Інші пропозиції IRFH3707TRPBF за ціною від 10.37 грн до 74.50 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
IRFH3707TRPBF IRFH3707TRPBF Infineon Technologies Infineon_IRFH3707_DataSheet_v01_01_EN-3363322.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 12.4mOhms 5.4nC
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
7+48.50 грн
10+35.44 грн
100+20.82 грн
500+16.05 грн
1000+12.27 грн
2500+11.89 грн
4000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3707TRPBF IRFH3707TRPBF Infineon Technologies infineonirfh3707datasheetv0101en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PQFN T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
227+74.50 грн
500+46.19 грн
1000+32.24 грн
2000+28.72 грн
4000+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3707TRPBF IRFH3707TRPBF INFINEON INFN-S-A0012814083-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH3707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0124 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3707TRPBF IRFH3707TRPBF INFINEON INFN-S-A0012814083-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH3707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0124 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3707TRPBF Infineon_IRFH3707_DataSheet_v01_01_EN-3363322.pdf
IRFH3707TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 12.4mOhms 5.4nC
на замовлення 2343 шт:
термін постачання 31-40 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
7+48.50 грн
10+35.44 грн
100+20.82 грн
500+16.05 грн
1000+12.27 грн
2500+11.89 грн
4000+10.37 грн
Мінімальне замовлення: 7 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3707TRPBF infineonirfh3707datasheetv0101en.pdf
IRFH3707TRPBF
Виробник: Infineon Technologies
Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PQFN T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
КількістьЦіна без ПДВ
227+74.50 грн
500+46.19 грн
1000+32.24 грн
2000+28.72 грн
4000+26.41 грн
Мінімальне замовлення: 227 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3707TRPBF INFN-S-A0012814083-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH3707TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH3707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0124 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
IRFH3707TRPBF INFN-S-A0012814083-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0
IRFH3707TRPBF
Виробник: INFINEON
Description: INFINEON - IRFH3707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0124 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0124ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
на замовлення 1135 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.