IRFH3707TRPBF

IRFH3707TRPBF Infineon Technologies


irfh3707pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a2e0b1e78 Виробник: Infineon Technologies
Description: MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 15 V
на замовлення 4000 шт:

термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
4000+11.94 грн
Мінімальне замовлення: 4000
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис IRFH3707TRPBF Infineon Technologies

Description: INFINEON - IRFH3707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0094 ohm, PQFN, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 29A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 2.8W, Bauform - Transistor: PQFN, Anzahl der Pins: 8Pins, Produktpalette: HEXFET, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).

Інші пропозиції IRFH3707TRPBF за ціною від 9.65 грн до 71.81 грн

Фото Назва Виробник Інформація Доступність
Ціна без ПДВ
IRFH3707TRPBF IRFH3707TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012814083-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH3707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0094 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
на замовлення 11085 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
100+22.6 грн
500+ 16.31 грн
1000+ 10.87 грн
5000+ 9.65 грн
Мінімальне замовлення: 100
IRFH3707TRPBF IRFH3707TRPBF Виробник : Infineon Technologies Infineon_IRFH3707_DataSheet_v01_01_EN-3363322.pdf MOSFETs 30V 1 N-CH HEXFET 12.4mOhms 5.4nC
на замовлення 6200 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
8+41.11 грн
10+ 34.63 грн
100+ 19.73 грн
500+ 15.37 грн
1000+ 11.93 грн
4000+ 11.23 грн
8000+ 9.76 грн
Мінімальне замовлення: 8
IRFH3707TRPBF IRFH3707TRPBF Виробник : INFINEON INFN-S-A0012814083-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: INFINEON - IRFH3707TRPBF - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 30 V, 29 A, 0.0094 ohm, PQFN, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 29A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 1.8V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 2.8W
Bauform - Transistor: PQFN
Anzahl der Pins: 8Pins
Produktpalette: HEXFET
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0094ohm
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 9490 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
18+43.78 грн
22+ 37.01 грн
100+ 23.07 грн
500+ 16.75 грн
1000+ 11.2 грн
5000+ 9.86 грн
Мінімальне замовлення: 18
IRFH3707TRPBF IRFH3707TRPBF Виробник : Infineon Technologies irfh3707pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a2e0b1e78 Description: MOSFET N-CH 30V 12A/29A 8PQFN
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerVDFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 12A (Ta), 29A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 12.4mOhm @ 12A, 10V
Power Dissipation (Max): 2.8W (Ta)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.35V @ 25µA
Supplier Device Package: 8-PQFN (3x3)
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4.5V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 30 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.1 nC @ 4.5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 755 pF @ 15 V
на замовлення 6593 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
6+52.4 грн
10+ 31.3 грн
100+ 20.23 грн
500+ 14.49 грн
1000+ 13.04 грн
2000+ 11.82 грн
Мінімальне замовлення: 6
IRFH3707TRPBF IRFH3707TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh3707-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PQFN T/R
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість Ціна без ПДВ
170+71.81 грн
274+ 44.43 грн
425+ 28.7 грн
426+ 27.58 грн
556+ 19.56 грн
1000+ 16.87 грн
2000+ 15.3 грн
4000+ 14 грн
Мінімальне замовлення: 170
IRFH3707TRPBF
Код товару: 158440
irfh3707pbf.pdf?fileId=5546d462533600a40153561a2e0b1e78 Транзистори > Польові N-канальні
товару немає в наявності
IRFH3707TRPBF IRFH3707TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh3707-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PQFN T/R
товару немає в наявності
IRFH3707TRPBF IRFH3707TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh3707-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PQFN T/R
товару немає в наявності
IRFH3707TRPBF IRFH3707TRPBF Виробник : Infineon Technologies infineon-irfh3707-datasheet-v01_01-en.pdf Trans MOSFET N-CH 30V 12A 8-Pin PQFN T/R
товару немає в наявності