Продукція > BC8
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC857B.215 | BC857B.215 Транзисторы | на замовлення 1090 шт: термін постачання 4 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BC857B/3F | на замовлення 34300 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BC857B/BC847B | NXP | 08+ | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857B/BC857-B-RTK | KEC | 07+ SOT-23 | на замовлення 9000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857B/DG/B3,215 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC857B/DG/B3,215 - BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR ARRAYS - BJT tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 18000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857B/DG/B3,215 | NXP Semiconductors | BC857B/DG/B3,215 | на замовлення 57000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857B/DG/B3,215 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857B/DG/B3,215 | NXP Semiconductors | BC857B/DG/B3,215 | на замовлення 12000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857B/DG/B3215 | NXP USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.1A TO236AB Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857B/DG/B4R | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS PNP 45V 0.1A TO-236AB Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 125 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: TO-236AB Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 250 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857BB5000 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 45V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 270000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BB5000 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC857BB5000 - BC857 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 12659 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857BB5000 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 270000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BB5000SOT23-3FPB-FREE | INFINEON | на замовлення 64000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||||||||||
| BC857BB5003 | на замовлення 48000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||||
| BC857BDW | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 5V 475@2MA,5V 100MA 200MW SOT-36 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BDW | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 5V 475@2MA,5V 100MA 200MW SOT-36 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857BDW1T1 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual PNP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857BDW1T1 | ON | 3 | на замовлення 27000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857BDW1T1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 45V; 0.1A; 0.38W; SC70-6,SC88,SOT363 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.38W Case: SC70-6; SC88; SOT363 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | на замовлення 5917 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BDW1T1G | ON-Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW Automotive BC857BDW1T1G TBC857bdw кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 1900 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 798000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 6175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BDW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC857BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 380mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BCxxx Series Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - | на замовлення 17178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857BDW1T1G | onsemi | Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SC88/SC70 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 96 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 69000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BDW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC857BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 380mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BCxxx Series Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 96 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 96 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857BDW1T1G | ON-Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW Automotive BC857BDW1T1G TBC857bdw кількість в упаковці: 100 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 65435 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BDW1T1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V Dual PNP | на замовлення 26605 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 798000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BDW1T1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC857BDW1T1G - Bipolares Transistor-Array, Universal, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 380mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 150hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-363 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: BCxxx Series Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - | на замовлення 17178 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857BDW1T1G | onsemi | Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SC88/SC70 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 380mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-88/SC70-6/SOT-363 Part Status: Active | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857BDW1T1G | On Semiconductor | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857BDW1T1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 380mW 6-Pin SC-88 T/R | на замовлення 6175 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BE6327 | Infineon Technologies | Description: BIPOLAR GEN PURPOSE TRANSISTOR | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 6389 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857BE6327 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.33W; SOT23 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.33W Case: SOT23 Mounting: SMD Frequency: 250MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 20 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857BE6327 | Infineon | Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 45V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 45000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 41980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 71 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP 45 V 100 mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 23900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BE6327HTSA1 | INFINEON TECHNOLOGIES | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP Type of transistor: PNP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 38318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 6000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 45000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 37298 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 45V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 45000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 45000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 45000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 2900 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BE6327HTSA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 41980 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BE6327HTSA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC857BE6327HTSA1 - BC857 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7519 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857BE6327XT | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP 45 V 100 mA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 45000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857BE6433 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT23 Power - Max: 330 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: PG-SOT23 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Packaging: Bulk | на замовлення 98660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 28660 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 45V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857BE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Bipolar Transistors - BJT PNP Silicon AF TRANSISTOR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857BE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857BE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 40000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857BE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 50000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BE6433HTMA1 | ROCHESTER ELECTRONICS | Description: ROCHESTER ELECTRONICS - BC857BE6433HTMA1 - BC857 - GENERAL PURPOSE TRANSISTOR tariffCode: 85412100 euEccn: TBC hazardous: false rohsCompliant: YES productTraceability: No rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: TBC SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 7519 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857BE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 10000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Description: TRANS PNP 45V 0.1A PG-SOT23 Packaging: Bulk Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: PG-SOT23 Part Status: Last Time Buy Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 330 mW | на замовлення 132000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BE6433HTMA1 | Infineon Technologies | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 330mW Automotive AEC-Q101 3-Pin SOT-23 T/R | на замовлення 40000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BF | PHILIPS | SC-75 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| BC857BFA-7B | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 435mW 3-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 540000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BFA-7B | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 435mW 3-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 930000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BFA-7B | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 435mW 3-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 130000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BFA-7B | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 435mW 3-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 940000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BFA-7B | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 435mW 3-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 930000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BFA-7B | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 435mW 3-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 540000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BFA-7B | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 435mW 3-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 940000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BFA-7B | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 435mW 3-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 930000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BFA-7B | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 435mW 3-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 550000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BFA-7B | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 435mW 3-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 950000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BFA-7B | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 435mW 3-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 930000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BFA-7B | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 435mW 3-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 330000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||||
| BC857BFA-7B | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 435mW 3-Pin X2-DFN T/R | на замовлення 950000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|

