Продукція > 2N6
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| 2N6357 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6357 | MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 8000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6358 | MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 7000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6359 | MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N635A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N636 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6360 | MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6365 | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6365A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6367 | на замовлення 100 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N636A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N637 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6370 | MOTOROLA | на замовлення 62 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6371 | MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 4000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6372 | Microsemi | Trans GP BJT NPN 80V 6A 3-Pin(2+Tab) TO-66 | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N6372 | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6372 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6372 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 90Vcbo 90Vcev 85Vcer 80Vceo 40W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6373 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 60V 6A TO66 Power - Max: 40 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 6 A Supplier Device Package: TO-66 (TO-213AA) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-213AA, TO-66-2 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6373 | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6373 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6373 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 70Vcbo 70Vcev 65Vcer 60Vceo 40W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 90 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6373 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 70Vcbo 70Vcev 65Vcer 60Vceo 40W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6374 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6374 | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6374 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50Vcbo 50Vcev 45Vcer 40Vceo 40W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 90 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6374 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 50Vcbo 50Vcev 45Vcer 40Vceo 40W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6375 | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6376 | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6377 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6377 | Microchip Technology | Description: PNP TRANSISTOR Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6377 | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6378 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 100V 50A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6378 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6378 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 100V 50A TO3 Power - Max: 250 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 100 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Supplier Device Package: TO-3 Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6378 | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6378 | Microchip Technology | Trans GP BJT PNP 100V 50A 250000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6379 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6379 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 120V 50A TO204AA Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk Power - Max: 250 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6379 | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N637A | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N638 | MOTOROLA | на замовлення 1000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6380 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6380 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 80V 50A TO63 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6380 | MOT/ON | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6381 | Microchip Technology | Description: TRANS PNP 100V 50A TO63 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6381 | MOT/ON | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6381 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6382 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6382 | Microsemi Corporation | Description: TRANS PNP 120V 50A TO-63 Packaging: Bulk Package / Case: TO-211MB, TO-63-4, Stud Mounting Type: Stud Mount Transistor Type: PNP Supplier Device Package: TO-63 Current - Collector (Ic) (Max): 50 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 120 V Power - Max: 250 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6383 | Microchip Technology | Darlington Transistors Power BJT | на замовлення 92 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6383 | MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6384 | Microchip Technology | Description: TRANS NPN DARL 60V 10A TO204AA Power - Max: 6 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Transistor Type: NPN - Darlington Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bulk | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6384 | MOT | 01+ TO-3 | на замовлення 5000 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6384 | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6384 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Pwr Darlington | на замовлення 776 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6384 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN DARL 60V 10A TO-3 Power - Max: 100 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Supplier Device Package: TO-3 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A Operating Temperature: -65°C ~ 200°C (TJ) Transistor Type: NPN - Darlington Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Tube | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6384 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Darlington Transistors NPN 60Vcbo 60Vceo 5.0Vebo 10A 100W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 180 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6385 | STMicroelectronics | STMicroelectronics | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6385 | Microchip Technology | Trans Darlington NPN 80V 10A 6000mW 3-Pin(2+Tab) TO-3 Tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6385 | NTE Electronics, Inc | Description: TRANS NPN DARL 80V 10A TO204AA Power - Max: 6 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Part Status: Active Supplier Device Package: TO-204AA (TO-3) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Transistor Type: NPN - Darlington Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-204AA, TO-3 Packaging: Bag | на замовлення 184 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N6385 | Microchip Technology | Darlington Transistors Power BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6385 | на замовлення 6600 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| 2N6385P | Microchip Technology | Bipolar Transistors - BJT Power BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6385P | Microchip Technology | Description: POWER BJT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 100 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6386 | Centralsemi | NPN, Uкэ=40V, Iк=8A, 65Вт, 20МГц, TO-200 Транзистори | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6386 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Pwr Darlington | на замовлення 410 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6387 | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N6387 - 2N6387, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 SVHC: No SVHC (14-Jun-2023) | на замовлення 572 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 250 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6387 | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 60V 10A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W | на замовлення 1107 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N6387 | MOTOROLA | на замовлення 1200 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6387 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6387 | Harris Corporation | Description: TRANS NPN DARL 60V 10A TO-220AB Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk Power - Max: 2 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Supplier Device Package: TO-220AB DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V Current - Collector Cutoff (Max): 1mA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: NPN - Darlington Mounting Type: Through Hole | на замовлення 2368 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N6387 | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 60V 10A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6387 | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 1679 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N6387 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 10A 60V Bipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6387 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN Pwr Darlington | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6387 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT NPN 10A 65W 60Vcbo 60Vceo 5.0A 20MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6387G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6387G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N6387G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6387G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 10A 60V Bipolar Power NPN | на замовлення 3707 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6387G | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 60V 10A TO-220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 60 V Power - Max: 2 W | на замовлення 1284 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N6387G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 850 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N6387G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N6387G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 786 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N6387G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 60V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 3 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6388 | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT NPN Power Darlington | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6388 | STMicroelectronics | Description: TRANS NPN DARL 80V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 65 W | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6388 | MULTICOMP PRO | Description: MULTICOMP PRO - 2N6388 - Darlington-Transistor, Darlington, NPN, 80 V, 65 W, 10 A, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 1000hFE Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 10A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 229 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6388 | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 10A 80V Bipolar | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6388 | onsemi | Description: TRANS NPN DARL 80V 10A TO220 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Transistor Type: NPN - Darlington Operating Temperature: -65°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 3V @ 100mA, 10A Current - Collector Cutoff (Max): 1mA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 1000 @ 5A, 3V Supplier Device Package: TO-220 Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Power - Max: 2 W | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6388 PBFREE | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 10A 250mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6388 PBFREE | Central Semiconductor Corp | Description: TRANS NPN DARL 80V 10A TO220 Transistor Type: NPN - Darlington Mounting Type: Through Hole Package / Case: TO-220-3 Packaging: Bulk Power - Max: 65 W Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 80 V Current - Collector (Ic) (Max): 10 A Supplier Device Package: TO-220 Frequency - Transition: 20MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6388 PBFREE | Central Semiconductor | Power Transistors | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 50 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6388 TIN/LEAD | Central Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT 80Vcbo 80Vceo 5.0Vebo 10A 250mA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6388-BP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT NPN Plastic-Encapsulate Biploar Transistors | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6388CST | 07+ | на замовлення 7 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | |||||||||||
| 2N6388G | ON Semiconductor | Trans Darlington NPN 80V 10A 2000mW 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube | на замовлення 116 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||
| 2N6388G | ONSEMI | Description: ONSEMI - 2N6388G - Darlington-Transistor, NPN, 80 V, 65 W, 10 A, TO-220, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 20hFE Qualifikation: - isCanonical: Y usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 65W euEccn: NLR Bauform - HF-Transistor: TO-220 Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 80V Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: NPN DC-Kollektorstrom: 10A Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 1916 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||
| 2N6388G | ON-Semiconductor | Tranzystor Darlington NPN 80V 10A (2N6388 STM *obsolete) 2N6388G ONS T2N6388 кількість в упаковці: 10 шт | на замовлення 37 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
|

