Продукція > DTC

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DTC114YUBHZGTLRohm SemiconductorDescription: NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBHZGTLROHMDescription: ROHM - DTC114YUBHZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
66+12.44 грн
68+12.11 грн
100+11.79 грн
500+10.64 грн
1000+9.61 грн
Мінімальне замовлення: 66 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBHZGTLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-323FL 50V VCC 0.1A IC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBHZGTLRohm SemiconductorDescription: NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
25+12.15 грн
100+6.60 грн
500+3.81 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBTLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANS DIGI BJT NPN 100MA TR
на замовлення 1728 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMTF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3538+4.00 грн
3650+3.88 грн
5000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 3538 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3F
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-85
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
38+8.15 грн
100+5.02 грн
500+3.43 грн
1000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 200mW 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 5190 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2101 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 5090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2263+6.25 грн
3125+4.53 грн
3589+3.94 грн
4560+2.99 грн
Мінімальне замовлення: 2263 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1725 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Part Status: Not For New Designs
Supplier Device Package: UMT3F
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-85
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 5090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
107+10.13 грн
122+6.20 грн
500+4.33 грн
1000+3.49 грн
3000+2.64 грн
Мінімальне замовлення: 107 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1725 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUKROHM09+
на замовлення 3038 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ZKROHM
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ZUROHM
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ECAHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTC115ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ECAHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 715 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ECAHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 350 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ECAHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTC115ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
178+4.58 грн
204+4.00 грн
246+3.32 грн
Мінімальне замовлення: 178 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ECAHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-23 100kO Input Resist
на замовлення 16932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ECAHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 350 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
38+8.15 грн
100+5.01 грн
500+3.42 грн
1000+3.01 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ECAHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1946+7.27 грн
2014+7.02 грн
2500+6.82 грн
Мінімальне замовлення: 1946 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ECAHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 100kΩ
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Polarisation: bipolar
Current gain: 82
Base-emitter resistor: 100kΩ
Base resistor: 100kΩ
Frequency: 250MHz
Case: SOT23
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ECAT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ECAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ECAT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
на замовлення 2990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
22+14.89 грн
35+8.76 грн
100+5.41 грн
500+3.70 грн
1000+3.26 грн
Мінімальне замовлення: 22 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ECAT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 100mA 50V w/bias resistor
на замовлення 3839 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ECAT116ROHMDescription: ROHM - DTC115ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC115E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ECAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ECAT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SST3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
19+17.24 грн
31+10.04 грн
100+6.22 грн
500+4.27 грн
1000+3.77 грн
Мінімальне замовлення: 19 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ECAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ECAT116ROHMDescription: ROHM - DTC115ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC115E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE FRATLROHMSOT23/SOT323
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE TLROHMSOT23/SOT323
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE-TLROHM
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE/29ROHM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1328+10.65 грн
1455+9.72 грн
1462+9.67 грн
2000+8.86 грн
Мінімальне замовлення: 1328 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.87 грн
20+15.47 грн
100+9.70 грн
500+6.75 грн
1000+5.99 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE3HZGTLROHMDescription: ROHM - DTC115EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
39+21.13 грн
63+13.01 грн
100+8.13 грн
500+5.16 грн
1000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1528+9.26 грн
1579+8.96 грн
Мінімальне замовлення: 1528 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE3HZGTLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE3HZGTLROHMDescription: ROHM - DTC115EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2870 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+5.16 грн
1000+4.05 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE3TLROHMDescription: ROHM - DTC115EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC115E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
44+18.86 грн
63+13.09 грн
111+7.34 грн
500+5.00 грн
1000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 44 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5770 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 282 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.38 грн
26+12.00 грн
100+7.49 грн
500+5.17 грн
1000+4.57 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE3TLROHMDescription: ROHM - DTC115EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC115E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.09 грн
111+7.34 грн
500+5.00 грн
1000+4.08 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.95 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 100 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EEAROHM
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 977 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2778 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
32+9.66 грн
100+5.95 грн
500+4.08 грн
1000+3.59 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EEBTLROHM SemiconductorDigital Transistors Digital Trans w/Res EMT3F
на замовлення 5709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EEFRATLROHMDescription: ROHM - DTC115EEFRATL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC115E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.35 грн
500+7.25 грн
1000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EEFRATLROHMDescription: ROHM - DTC115EEFRATL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 150mW
Bauform - Transistor: SOT-416
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC115E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2425 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+28.53 грн
43+19.18 грн
100+9.35 грн
500+7.25 грн
1000+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
на замовлення 366000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.73 грн
Мінімальне замовлення: 6662 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1ONSEMIDescription: ONSEMI - DTC115EET1 - DTC115EET1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 366000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.74 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 366000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8153+4.34 грн
Мінімальне замовлення: 8153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1ON05+06+
на замовлення 4242000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 36000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14085+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 14085 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 2100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14085+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 14085 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 25318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.32 грн
40+7.70 грн
100+4.76 грн
500+3.25 грн
1000+2.85 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GONSEMIDescription: ONSEMI - DTC115EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
84+9.75 грн
Мінімальне замовлення: 84 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14085+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 14085 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14085+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 14085 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 43293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
97+7.81 грн
164+4.60 грн
165+4.59 грн
174+4.18 грн
250+3.65 грн
500+3.28 грн
1000+3.07 грн
3000+2.85 грн
6000+2.63 грн
Мінімальне замовлення: 97 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GON Semiconductor
на замовлення 7841 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14085+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 14085 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 48603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14085+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 14085 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GONSEMICategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 100mA; 300mW; SC75,SOT416
Quantity in set/package: 3000pcs.
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.3W
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Polarisation: bipolar
Current gain: 80...150
Base-emitter resistor: 100kΩ
Base resistor: 100kΩ
Case: SC75; SOT416
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GonsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.60 грн
6000+2.23 грн
9000+2.09 грн
15000+1.81 грн
21000+1.73 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GonsemiDigital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 6754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 621000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14085+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 14085 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 43293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3465+4.08 грн
3695+3.83 грн
3948+3.58 грн
4250+3.21 грн
6000+2.74 грн
15000+2.42 грн
30000+2.21 грн
Мінімальне замовлення: 3465 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 252000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14085+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 14085 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 92990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14085+2.51 грн
Мінімальне замовлення: 14085 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1GON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EETLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 150mW; SC75A,SOT416
Type of transistor: NPN
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.15W
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Polarisation: bipolar
Current gain: 82
Base-emitter resistor: 100kΩ
Base resistor: 100kΩ
Frequency: 250MHz
Case: SC75A; SOT416
Kind of package: reel; tape
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EETLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 50V 20MA
на замовлення 1763 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMT T/R
на замовлення 5865 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1461+9.68 грн
1510+9.37 грн
2500+9.10 грн
5000+8.54 грн
Мінімальне замовлення: 1461 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EETLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMT T/R
на замовлення 42080 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
409+34.65 грн
509+27.82 грн
577+24.52 грн
1000+23.53 грн
2000+19.15 грн
3000+17.58 грн
6000+16.67 грн
24000+15.76 грн
Мінімальне замовлення: 409 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EETLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V EMT3
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 150 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: EMT3
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EKROME
на замовлення 100 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EKAROHM07+ SOT-23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EKAFSROHMSOT23
на замовлення 2014 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 581 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 575 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EKAT146Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V SMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 20 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3460 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
32+9.43 грн
100+5.84 грн
500+4.01 грн
1000+3.54 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EKAT146ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC59,SOT346
Type of transistor: NPN
Case: SC59; SOT346
Mounting: SMD
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Collector-emitter voltage: 50V
Current gain: 82
Base-emitter resistor: 100kΩ
Base resistor: 100kΩ
Frequency: 250MHz
Kind of package: reel; tape
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
на замовлення 2918 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
36+12.64 грн
59+7.13 грн
100+4.65 грн
500+3.57 грн
1000+3.23 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EKAT146ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGIT NPN 50V 100MA
на замовлення 2759 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EKAT146Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin SMT T/R
на замовлення 1264 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 364 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 4 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 24 28 32 36 40  [ Наступна Сторінка >> ]