Продукція > DTC

НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
DTC114YU3T106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3045 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.20 грн
38+8.00 грн
100+4.96 грн
500+3.39 грн
1000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YU3T106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 6216 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+18.59 грн
66+11.50 грн
108+7.05 грн
500+4.90 грн
1000+3.97 грн
3000+3.09 грн
6000+2.71 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAROHM SemiconductorBipolar Transistors - BJT Digital Transistor NPN
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 68@5MA,5V 200MW 100MA 50V SOT-32
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+1.64 грн
6000+1.40 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAShenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd.Description: 68@5MA,5V 200MW 100MA 50V SOT-32
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 1840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+8.54 грн
60+5.01 грн
100+3.06 грн
500+2.07 грн
1000+1.81 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUALUGUANG ELECTRONICCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 70mA; 0.2W; SOT323; R1: 10kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 70mA
Power dissipation: 0.2W
Case: SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 25 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAYangjie Electronic TechnologyDTC114YUA
на замовлення 60000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8242+1.72 грн
Мінімальне замовлення: 8242 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUA-HFComchip TechnologyDescription: TRANS PREBIAS NPN SOT323
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUA-HFComchip TechnologyDigital Transistor
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUA-HFComchip TechnologyDigital Transistors TRANS DIGITAL NPN 50V 200mW SOT-323
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUA-TPMicro Commercial ComponentsTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUA-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors NPN 10KOhms 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUA-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - DTC114YUA-TP - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUA-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUA-TPMICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC)Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - DTC114YUA-TP - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: -
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: -
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (04-Feb-2026)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUA-TPMCC (Micro Commercial Components)Description: TRANS PREBIAS NPN 50V SOT323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SOT-323
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAFROHMSOT23
на замовлення 1048 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAFRAT106ROHMDescription: ROHM - DTC114YUAFRAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAFRAT106ROHMDescription: ROHM - DTC114YUAFRAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 720 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAHE3-TPMicro Commercial Components (MCC)Digital Transistors NPN 50Vcc -6Vin 40V
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAT106ROHMDescription: ROHM - DTC114YUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114Y Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 87000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 7001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
37+20.45 грн
62+12.33 грн
3000+4.02 грн
6000+3.44 грн
Мінімальне замовлення: 37 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 7001 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1131+12.54 грн
3473+4.08 грн
6000+3.62 грн
Мінімальне замовлення: 1131 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAT106ROHM SemiconductorDigital Transistors DIGIT NPN 50V 100MA SOT-323
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAT106ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Power dissipation: 0.2W
Case: SC70; SOT323
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Frequency: 250MHz
Base resistor: 10kΩ
Base-emitter resistor: 47kΩ
Current gain: 68
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2605+5.44 грн
Мінімальне замовлення: 2605 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAT106ROHMDescription: ROHM - DTC114YUAT106 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC114Y Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (08-Jul-2021)
на замовлення 3 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAT106Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-70, SOT-323
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 14 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUAT106Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUB TLROHMSOT23/SOT323
на замовлення 8776 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBHZGTLROHMDescription: ROHM - DTC114YUBHZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBHZGTLRohm SemiconductorDescription: NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
на замовлення 913 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.20 грн
25+12.04 грн
100+6.54 грн
500+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBHZGTLROHMDescription: ROHM - DTC114YUBHZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 68hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 200mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-323FL
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1367 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBHZGTLRohm SemiconductorDescription: NPN DIGITAL TRANSISTOR (WITH BUI
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBHZGTLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-323FL 50V VCC 0.1A IC
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 2980 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.20 грн
38+8.08 грн
100+4.97 грн
500+3.39 грн
1000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 2369 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1725 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 5090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1420+9.99 грн
2187+6.48 грн
3007+4.72 грн
3457+3.95 грн
4399+2.88 грн
Мінімальне замовлення: 1420 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V UMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-85
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 68 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: UMT3F
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 70 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 5090 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
45+17.02 грн
76+9.99 грн
117+6.48 грн
500+4.55 грн
1000+3.66 грн
3000+2.76 грн
Мінімальне замовлення: 45 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3538+4.01 грн
3650+3.88 грн
5000+3.78 грн
Мінімальне замовлення: 3538 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBTLROHM SemiconductorDigital Transistors TRANS DIGI BJT NPN 100MA TR
на замовлення 18 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMTF T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 200mW 3-Pin UMTF T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1725 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUBTLROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; 50V; 200mW
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Collector-emitter voltage: 50V
Power dissipation: 0.2W
Mounting: SMD
Frequency: 250MHz
на замовлення 11369 шт:
термін постачання 14-30 дні (днів)
1544+2.26 грн
4000+1.70 грн
5000+1.67 грн
10000+1.62 грн
Мінімальне замовлення: 1544 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114YUKROHM09+
на замовлення 3038 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ZKROHM
на замовлення 500 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC114ZUROHM
на замовлення 700 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ECAHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTC115ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 284 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ECAHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 1950 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 715 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ECAHZGT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN SOT-23 100kO Input Resist
на замовлення 16932 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ECAHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 350 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.72 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ECAHZGT116ROHMDescription: ROHM - DTC115ECAHZGT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 350mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 284 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ECAHZGT116ROHM SEMICONDUCTORCategory: NPN SMD transistors
Description: Transistor: NPN; bipolar; BRT; 50V; 0.1A; 200mW; SOT23; R1: 100kΩ
Type of transistor: NPN
Polarisation: bipolar
Kind of transistor: BRT
Collector-emitter voltage: 50V
Collector current: 0.1A
Case: SOT23
Mounting: SMD
Kind of package: reel; tape
Base resistor: 100kΩ
Base-emitter resistor: 100kΩ
Power dissipation: 0.2W
Current gain: 82
Frequency: 250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ECAHZGT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Power - Max: 350 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 4854 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
24+13.20 грн
38+8.08 грн
100+4.97 грн
500+3.39 грн
1000+2.98 грн
Мінімальне замовлення: 24 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ECAHZGT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1946+7.29 грн
2014+7.04 грн
2500+6.83 грн
Мінімальне замовлення: 1946 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ECAT116ROHMDescription: ROHM - DTC115ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC115E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 39 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ECAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ECAT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
на замовлення 3750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.31 грн
32+9.65 грн
100+6.01 грн
500+4.13 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ECAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 88 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 88 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ECAT116ROHMDescription: ROHM - DTC115ECAT116 - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 200mW
Bauform - Transistor: SOT-23
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC115E Series
productTraceability: No
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 39 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ECAT116ROHM SemiconductorDigital Transistors NPN 100mA 50V w/bias resistor
на замовлення 3309 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ECAT116Rohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SST3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: SST3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.12 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115ECAT116Rohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 350mW 3-Pin SOT-23 T/R
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1174 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE FRATLROHMSOT23/SOT323
на замовлення 2748 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE TLROHMSOT23/SOT323
на замовлення 2695 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE-TLROHM
на замовлення 12000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE/29ROHM
на замовлення 6000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1328+10.68 грн
1455+9.74 грн
1462+9.70 грн
2000+8.88 грн
Мінімальне замовлення: 1328 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
844+16.80 грн
1347+10.53 грн
1825+7.77 грн
2140+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 844 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE3HZGTLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5000 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE3HZGTLROHMDescription: ROHM - DTC115EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE3HZGTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Grade: Automotive
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Qualification: AEC-Q101
на замовлення 2798 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
13+25.63 грн
20+15.33 грн
100+9.61 грн
500+6.69 грн
1000+5.93 грн
Мінімальне замовлення: 13 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 970 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 962 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE3HZGTLROHMDescription: ROHM - DTC115EE3HZGTL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2070 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE3HZGTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R Automotive AEC-Q101
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
63+16.80 грн
100+10.53 грн
500+7.77 грн
1000+6.39 грн
Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE3TLROHMDescription: ROHM - DTC115EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC115E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 10 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 10 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
69+12.73 грн
100+8.41 грн
500+6.44 грн
Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.93 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 282 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE3TLROHMDescription: ROHM - DTC115EE3TL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: Y-EX
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC115E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2350 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE3TLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 150mW 3-Pin EMT T/R
на замовлення 600 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 69 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE3TLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A EMT3
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: PNP - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 500µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA (ICBO)
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 33 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3
Part Status: Active
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistors Included: R1 and R2
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
16+20.19 грн
26+11.89 грн
100+7.42 грн
500+5.13 грн
1000+4.53 грн
Мінімальне замовлення: 16 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EE3TLROHM SemiconductorDigital Transistors NPN, SOT-416, R1=R2 Potential Divider Type Digital Transistor (Bias Resistor Built-in Transistor)
на замовлення 5760 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EEAROHM
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
на замовлення 2200 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.31 грн
32+9.57 грн
100+5.89 грн
500+4.04 грн
1000+3.56 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 1280 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 977 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EEBTLRohm SemiconductorDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A EMT3F
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-89, SOT-490
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 82 @ 5mA, 5V
Supplier Device Package: EMT3F (SOT-416FL)
Part Status: Not For New Designs
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 150 mW
Frequency - Transition: 250 MHz
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EEBTLROHM SemiconductorDigital Transistors Digital Trans w/Res EMT3F
на замовлення 5709 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EEBTLRohm SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin EMTF T/R
на замовлення 2841 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 2778 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EEFRATLROHMDescription: ROHM - DTC115EEFRATL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC115E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EEFRATLROHMDescription: ROHM - DTC115EEFRATL - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 82hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
Verlustleistung: 150mW
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: SOT-416
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: DTC115E Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1925 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 5 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1ON SemiconductorTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 366000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
8153+4.35 грн
Мінімальне замовлення: 8153 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 24000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1ONSEMIDescription: ONSEMI - DTC115EET1 - DTC115EET1, SINGLE BIPOLAR TRANSISTORS
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
SVHC: No SVHC (14-Jun-2023)
на замовлення 366000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
DTC115EET1onsemiDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Packaging: Bulk
Package / Case: SC-75, SOT-416
Mounting Type: Surface Mount
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Power - Max: 200 mW
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
на замовлення 366000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
6662+3.70 грн
Мінімальне замовлення: 6662 шт
В кошику  од. на суму  грн.