Технічний опис DTC115EET1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - DTC115EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SC-75, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DTC115EET1G за ціною від 1.72 грн до 13.30 грн
| Фото | Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
|
DTC115EET1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DTC115EET1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 252000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DTC115EET1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DTC115EET1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 621000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DTC115EET1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 2100000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DTC115EET1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 48603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DTC115EET1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 92990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DTC115EET1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DTC115EET1G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Resistor - Base (R1): 100 kOhms Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Tape & Reel (TR) |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DTC115EET1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 43293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DTC115EET1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 43293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DTC115EET1G | onsemi |
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms Resistor - Base (R1): 100 kOhms Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Current - Collector Cutoff (Max): 500nA Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Transistor Type: NPN - Pre-Biased Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-75, SOT-416 Packaging: Cut Tape (CT) |
на замовлення 25318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||
|
DTC115EET1G | ON Semiconductor |
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R |
на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
|
DTC115EET1G | onsemi |
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN |
на замовлення 6754 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
|
DTC115EET1G | ONSEMI |
Description: ONSEMI - DTC115EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohmtariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-75 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
Мінімальне замовлення: 5 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||||
| DTC115EET1G | ON Semiconductor |
|
на замовлення 7841 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
В кошику од. на суму грн. |
| DTC115EET1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 24000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14085+ | 2.50 грн |
| DTC115EET1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 252000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14085+ | 2.50 грн |
| DTC115EET1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 18000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14085+ | 2.50 грн |
| DTC115EET1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 621000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14085+ | 2.50 грн |
| DTC115EET1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 2100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14085+ | 2.50 грн |
| DTC115EET1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 48603 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14085+ | 2.50 грн |
| DTC115EET1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 92990 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14085+ | 2.50 грн |
| DTC115EET1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 14085+ | 2.50 грн |
| DTC115EET1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 21000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3000+ | 2.59 грн |
| 6000+ | 2.22 грн |
| 9000+ | 2.09 грн |
| 15000+ | 1.81 грн |
| 21000+ | 1.72 грн |
| DTC115EET1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 43293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 3465+ | 4.07 грн |
| 3695+ | 3.82 грн |
| 3948+ | 3.58 грн |
| 4250+ | 3.20 грн |
| 6000+ | 2.74 грн |
| 15000+ | 2.41 грн |
| 30000+ | 2.20 грн |
| DTC115EET1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 43293 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 97+ | 7.79 грн |
| 164+ | 4.59 грн |
| 165+ | 4.58 грн |
| 174+ | 4.17 грн |
| 250+ | 3.64 грн |
| 500+ | 3.27 грн |
| 1000+ | 3.06 грн |
| 3000+ | 2.85 грн |
| 6000+ | 2.63 грн |
| DTC115EET1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
Description: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC75
Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms
Resistor - Base (R1): 100 kOhms
Power - Max: 200 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-75, SOT-416
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-75, SOT-416
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 25318 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| Кількість | Ціна без ПДВ |
|---|---|
| 24+ | 13.30 грн |
| 40+ | 7.68 грн |
| 100+ | 4.75 грн |
| 500+ | 3.24 грн |
| 1000+ | 2.85 грн |
| DTC115EET1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
Trans Digital BJT NPN 50V 100mA 300mW 3-Pin SOT-416 T/R
на замовлення 199 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DTC115EET1G |
![]() |
Виробник: onsemi
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
Digital Transistors 100mA 50V BRT NPN
на замовлення 6754 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
| DTC115EET1G |
![]() |
Виробник: ONSEMI
Description: ONSEMI - DTC115EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Description: ONSEMI - DTC115EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 300mW
Bauform - Transistor: SC-75
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 98 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
| DTC115EET1G |
![]() |
Виробник: ON Semiconductor
на замовлення 7841 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)





