
DTC115EET1G ON Semiconductor
на замовлення 2100000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
Кількість | Ціна |
---|---|
14085+ | 2.16 грн |
Відгуки про товар
Написати відгук
Технічний опис DTC115EET1G ON Semiconductor
Description: ONSEMI - DTC115EET1G - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 100 kohm, 100 kohm, tariffCode: 85412100, Transistormontage: Oberflächenmontage, rohsCompliant: YES, DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm, Dauer-Kollektorstrom: 100mA, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V, Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm, euEccn: NLR, Verlustleistung: 300mW, Bauform - Transistor: SC-75, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Wandlerpolarität: Einfach NPN, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -, SVHC: No SVHC (23-Jan-2024).
Інші пропозиції DTC115EET1G за ціною від 1.54 грн до 13.87 грн
Фото | Назва | Виробник | Інформація |
Доступність |
Ціна | ||||||||||||||||||||
---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
![]() |
DTC115EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 621000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
DTC115EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 36000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
DTC115EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 24000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
DTC115EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 92990 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
DTC115EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 252000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
DTC115EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
DTC115EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 48603 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
DTC115EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
DTC115EET1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms |
на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
DTC115EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 43293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
DTC115EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 43293 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
DTC115EET1G | Виробник : ONSEMI |
![]() tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - Basis-Eingangswiderstand R1: 100kohm Dauer-Kollektorstrom: 100mA MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V Basis-Emitter-Widerstand R2: 100kohm euEccn: NLR Verlustleistung: 300mW Bauform - Transistor: SC-75 Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Einfach NPN Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: - SVHC: No SVHC (23-Jan-2024) |
на замовлення 98 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
DTC115EET1G | Виробник : onsemi |
![]() Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: NPN - Pre-Biased Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 250mV @ 300µA, 10mA Current - Collector Cutoff (Max): 500nA DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 5mA, 10V Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V Power - Max: 200 mW Resistor - Base (R1): 100 kOhms Resistor - Emitter Base (R2): 100 kOhms |
на замовлення 25318 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
DTC115EET1G | Виробник : onsemi |
![]() |
на замовлення 6754 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
|
||||||||||||||||||||
![]() |
DTC115EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 199 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
|||||||||||||||||||||
DTC115EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
на замовлення 7841 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) |
||||||||||||||||||||||
![]() |
DTC115EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
DTC115EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |
|||||||||||||||||||||
![]() |
DTC115EET1G | Виробник : ON Semiconductor |
![]() |
товару немає в наявності |