Продукція > RN1

Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]
НазваВиробникІнформаціяДоступністьЦіна без ПДВ
RN1303(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 22K x 22Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1303(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R
на замовлення 9670 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3808+3.72 грн
4323+3.27 грн
4688+3.02 грн
6000+2.90 грн
Мінімальне замовлення: 3808 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1303(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1303(XC)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1303,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1303,LFToshibaDigital Transistors TRANS-SS NPN SOT323 50V
на замовлення 9470 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1303,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
на замовлення 2840 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1303,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1303,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
86+9.51 грн
143+5.71 грн
228+3.57 грн
500+2.38 грн
1500+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 86 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1303,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1303,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2850 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.51 грн
143+5.71 грн
228+3.57 грн
500+2.38 грн
1500+1.94 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1303,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1303,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.77 грн
1500+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1303,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1303,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+19.83 грн
98+8.37 грн
125+6.52 грн
500+4.77 грн
1500+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1303,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 5890 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.59 грн
100+8.51 грн
500+5.92 грн
1000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1303,LXHFToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q TR NPN BRT, 22kOhm, 22kOhm, 50V, 0.1A (SOT-323)
на замовлення 7375 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1303,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 22 kOhms
Resistor - Base (R1): 22 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 70 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+3.52 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1303,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1303,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
36+23.17 грн
58+14.14 грн
100+8.86 грн
500+5.65 грн
1000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 36 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1303,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1303,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 22 kohm, 22 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 70hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 22kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 22kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2529 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+8.86 грн
500+5.65 грн
1000+4.54 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1303TE85L(XC)
на замовлення 2040 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1303XC
на замовлення 2552 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1304(TE85L,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 1000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1304(TE85R)
на замовлення 2407 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1304,LFToshibaDigital Transistors Bias Resistor NPN 100mA 50V 47kohm
на замовлення 810 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1304,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
на замовлення 2540 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
23+14.11 грн
38+8.00 грн
100+4.93 грн
500+3.37 грн
1000+2.97 грн
Мінімальне замовлення: 23 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1304,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistors Included: R1 and R2
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1304,LF(BToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin USM
на замовлення 2024 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1516 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1304,LF(TToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R
на замовлення 1750 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1304,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1304,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+1.96 грн
1000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1304,LF(TToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1304,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1304,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
Dauer-Kollektorstrom: 100mA
usEccn: EAR99
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
euEccn: NLR
Verlustleistung: 100mW
Bauform - Transistor: SOT-323
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
304+2.68 грн
371+2.19 грн
378+2.15 грн
500+1.96 грн
1000+1.60 грн
Мінімальне замовлення: 304 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1304,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1304,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+19.83 грн
98+8.37 грн
125+6.52 грн
500+4.77 грн
1500+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1304,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1304,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: No
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.15 грн
1000+3.41 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1304,LXHFToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN , R1=47kOhm, R2=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-323)
на замовлення 8185 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1304,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
на замовлення 2482 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+23.51 грн
22+13.96 грн
100+8.75 грн
500+6.08 грн
1000+5.39 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1304,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistors Included: R1 and R2
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 47 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1304,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1304,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+9.10 грн
500+5.77 грн
1000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1304,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1304,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 47 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 47kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 1424 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.90 грн
56+14.55 грн
100+9.10 грн
500+5.77 грн
1000+4.55 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1304-XD
на замовлення 42000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1304<TE85R,F>TOSHIBASOT23
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1304LF(TToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1304T5L(XD)
на замовлення 5965 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1304TE85LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 100MW USM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1304TE85LFToshibaDigital Transistors X34 Pb-F USM PLN (LF) TRANSISTOR Pd=100mW F=250MHz
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1304TE85R(XD)
на замовлення 5960 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305(T5LND)
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors 100mA 50volts 3Pin 2.2K x 47Kohms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305(TE85L,F)TOSHSOT23
на замовлення 1250 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305(XE)
на замовлення 2890 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LFToshibaDigital Transistors USM PLN TRANSISTOR Pd=100mW F=1MHz
на замовлення 4350 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 4941 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+15.68 грн
34+9.06 грн
100+5.65 грн
500+3.88 грн
1000+3.42 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LF(BToshibaRN1305,LF(B
на замовлення 2500 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1389 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1305,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.83 грн
9000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1305,LF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 51000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.83 грн
9000+2.06 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LF(TToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R
на замовлення 1640 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1305,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.77 грн
1500+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1305,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: -
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+19.83 грн
98+8.37 грн
125+6.52 грн
500+4.77 грн
1500+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LXHFToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN , R1=2.2kOhm, R2=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-323)
на замовлення 5955 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.59 грн
100+8.51 грн
500+5.92 грн
1000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Qualification: AEC-Q101
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 2.2 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Grade: Automotive
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1305,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
40+20.32 грн
45+18.45 грн
100+11.05 грн
500+6.87 грн
1000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 40 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1305,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 2.2 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 2.2kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+11.05 грн
500+6.87 грн
1000+4.87 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305/XETOSHIBASMD
на замовлення 86200 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1305TE85L(XE)
на замовлення 1370 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306TOSHIBASOT23
на замовлення 46000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306(T5LCANCO,F)TOSHIBASOT23/SOT323
на замовлення 2495 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306(T5LFH)ToshibaDigital Transistors
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R
на замовлення 11249 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1743+8.12 грн
1801+7.85 грн
2500+7.62 грн
5000+7.16 грн
10000+6.46 грн
Мінімальне замовлення: 1743 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306(TE85L,F)ToshibaBipolar Transistors - Pre-Biased 100mA 50volts 3Pin 4.7K x 47Kohms
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 6000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
на замовлення 3522 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
29+10.97 грн
45+6.72 грн
100+4.13 грн
500+2.81 грн
1000+2.47 грн
Мінімальне замовлення: 29 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306,LFToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin USM T/R
на замовлення 6 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306,LFToshibaDigital Transistors USM TRANSISTOR Pd 100mW F 250Mhz
на замовлення 9207 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.24 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306,LFToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin USM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306,LF(BToshibaRN1306,LF(B
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
2852+4.96 грн
2936+4.82 грн
Мінімальне замовлення: 2852 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306,LF(BToshibaRN1306,LF(B
на замовлення 179 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 179 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306,LF(TToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R
на замовлення 258 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306,LF(TToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R
у наявності 258 шт:
 Мінімальне замовлення: 63 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1306,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.77 грн
1500+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1306,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+19.83 грн
98+8.37 грн
125+6.52 грн
500+4.77 грн
1500+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306,LXHFToshibaDigital Transistors AUTO AEC-Q Single NPN , R1=4.7kOhm, R2=47kOhm, VCEO=50V, IC=0.1A (SOT-323)
на замовлення 5817 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+4.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306,LXHFToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 100mW 3-Pin USM T/R
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306,LXHFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A SC70
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 4.7 kOhms
Frequency - Transition: 200 MHz
Power - Max: 100 mW
Qualification: AEC-Q101
Grade: Automotive
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
14+22.73 грн
23+13.59 грн
100+8.51 грн
500+5.92 грн
1000+5.25 грн
Мінімальне замовлення: 14 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1306,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
35+23.90 грн
38+21.70 грн
100+13.01 грн
500+7.43 грн
1000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 35 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306,LXHF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1306,LXHF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, NPN, 50 V, 100 mA, 4.7 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412100
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 4.7kohm
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 2745 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
100+13.01 грн
500+7.43 грн
1000+5.27 грн
Мінімальне замовлення: 100 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306/XFTOSHIBA
на замовлення 30000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306LF(TToshibaBipolar Transistors - BJT
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306TE85L
на замовлення 9000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1306TE85L(XF)
на замовлення 2948 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1307(TE85L)TOSHIBASOT323-XH
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1307(TE85L)SOT323-XHTOSHIBA
на замовлення 15000 шт:
термін постачання 14-28 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1307(TE85L,F)ToshibaDigital Transistors 100mA 50volts 3Pin 10K x 47Kohms
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
RN1307(TE85L,F)Toshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 100MW USM
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1307(TE85L,F)ToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 0.1A 100mW 3-Pin USM T/R
на замовлення 28 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
 Мінімальне замовлення: 28 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1307,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Cut Tape (CT)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
20+16.46 грн
24+12.83 грн
100+6.83 грн
500+4.21 грн
1000+2.87 грн
Мінімальне замовлення: 20 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1307,LFToshibaDigital Transistors Bias Resistor NPN 100mA 50V 10kohm
на замовлення 12781 шт:
термін постачання 21-30 дні (днів)
В кошику  од. на суму  грн.
RN1307,LFToshiba Semiconductor and StorageDescription: TRANS PREBIAS NPN 50V 0.1A USM
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 80 @ 10mA, 5V
Current - Collector Cutoff (Max): 500nA
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 300mV @ 250µA, 5mA
Transistor Type: NPN - Pre-Biased
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: SC-70, SOT-323
Packaging: Tape & Reel (TR)
Resistor - Emitter Base (R2): 47 kOhms
Resistor - Base (R1): 10 kOhms
Frequency - Transition: 250 MHz
Power - Max: 100 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 50 V
Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA
Part Status: Active
Supplier Device Package: SC-70
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
3000+2.86 грн
Мінімальне замовлення: 3000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1307,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1307,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 80hFE
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
Basis-Eingangswiderstand R1: 10kohm
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: 50V
Basis-Emitter-Widerstand R2: 47kohm
Verlustleistung: 100mW
SVHC: No SVHC (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: SOT-323
Dauerkollektorstrom: 100mA
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Wandlerpolarität: Einfach NPN
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
41+19.83 грн
98+8.37 грн
125+6.52 грн
500+4.77 грн
1500+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 41 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1307,LXGF(TToshibaTrans Digital BJT NPN 50V 100mA 3-Pin USM Automotive AEC-Q101
на замовлення 2700 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
1581+8.95 грн
2110+6.70 грн
2113+6.69 грн
Мінімальне замовлення: 1581 шт
В кошику  од. на суму  грн.
RN1307,LXGF(TTOSHIBADescription: TOSHIBA - RN1307,LXGF(T - Bipolarer Transistor, pre-biased/digital, Einfach NPN, 50 V, 100 mA, 10 kohm, 47 kohm
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
rohsCompliant: YES
euEccn: NLR
isCanonical: N
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
usEccn: EAR99
Produktpalette: -
на замовлення 3000 шт:
термін постачання 21-31 дні (днів)
500+4.77 грн
1500+3.76 грн
Мінімальне замовлення: 500 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Обрати Сторінку:   [  << Попередня Сторінка ]  1 2 4 6 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 22 24 26 28 29  [ Наступна Сторінка >> ]