Продукція > BC8
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| BC857BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 5985 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 15000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 212852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | onsemi | Bipolar Transistors - BJT 100mA 50V PNP | на замовлення 14062 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 108000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ONSEMI | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SC75,SOT416 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC75; SOT416 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | на замовлення 5687 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 99000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 171000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 444000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | onsemi | Description: TRANS PNP 45V 0.1A SC75 SOT416 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-75, SOT-416 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SC-75, SOT-416 Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 200 mW | на замовлення 9000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 321000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 252000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 4981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 123000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 342000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 561000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 39000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ON-Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 BC857BT,115 BC857BTT1G TBC857bt кількість в упаковці: 3000 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 252000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 21000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 396000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 30000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 129000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 4981 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 252000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 18000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ONSEMI | Description: ONSEMI - BC857BTT1G - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-416, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 150hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-416 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 27000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 348000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BTT1G | ON Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 3-Pin SOT-416 T/R | на замовлення 212852 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC857BU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - BC857BU3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: N usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 45V 0.1A UMT3 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3826 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | у наявності 3150 шт: | Мінімальне замовлення: 60 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC857BU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW Automotive 3-Pin UMT T/R | на замовлення 600 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 549 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC857BU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 19 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 19 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC857BU3HZGT106 | ROHM | Description: ROHM - BC857BU3HZGT106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 200mW Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) | на замовлення 3520 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 45V 0.1A UMT3 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 250MHz Supplier Device Package: UMT3 Grade: Automotive Part Status: Active Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 200 mW Qualification: AEC-Q101 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 400 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 400 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC857BU3HZGT106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R Automotive AEC-Q101 | на замовлення 3150 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BU3HZGT106 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT SOT-323 BIPOLAR BJT PNP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC857BU3HZGT106 | ROHM SEMICONDUCTOR | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 200mW; SC70,SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SC70; SOT323 Current gain: 210...480 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 250MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC857BU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 100 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 84 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC857BU3T106 | ROHM | Description: ROHM - BC857BU3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 45V 0.1A UMT3 Part Status: Active Supplier Device Package: UMT3 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA | на замовлення 2690 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 17 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 17 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC857BU3T106 | ROHM Semiconductor | Bipolar Transistors - BJT PNP, SOT-323, -45V -100mA, General Purpose Transistor | на замовлення 3594 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R | у наявності 100 шт: | Мінімальне замовлення: 84 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC857BU3T106 | ROHM | Description: ROHM - BC857BU3T106 - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 210hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES DC-Stromverstärkung hFE: 210hFE Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung Pd: 200mW Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Qualifizierungsstandard der Automobilindustrie: - Kollektor-Emitter-Spannung V(br)ceo: 45V Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: No Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 DC-Kollektorstrom: 100mA Übergangsfrequenz: 250MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1530 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BU3T106 | Rohm Semiconductor | Description: TRANS PNP 45V 0.1A UMT3 Frequency - Transition: 250MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 210 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Operating Temperature: 150°C (TJ) Transistor Type: PNP Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SC-70, SOT-323 Packaging: Tape & Reel (TR) Power - Max: 200 mW Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Part Status: Active Supplier Device Package: UMT3 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC857BU3T106 | Rohm Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin UMT T/R | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1924 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC857BV | Yangjie Technology | Description: Transistors - Bipolar (BJT) - Si Supplier Device Package: SOT-563 Frequency - Transition: 100MHz DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Power - Max: 150mW Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Transistor Type: 2 PNP (Dual) Mounting Type: Surface Mount Package / Case: SOT-563, SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) Part Status: Active | на замовлення 300000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BV | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC857BV | PHILILPS | 09+ | на замовлення 8018 шт: термін постачання 14-28 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC857BV,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SOT-666 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs | на замовлення 22651 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BV,115 | Nexperia | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 300mW 6-Pin SOT-666 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 4000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC857BV,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC857BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 200mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - | на замовлення 104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BV,115 | NEXPERIA | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 45V; 0.1A; 250mW; SOT666 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.25W Case: SOT666 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC857BV,115 | Nexperia USA Inc. | Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SOT-666 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: 150°C (TJ) Power - Max: 200mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-666 Part Status: Not For New Designs | на замовлення 20000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BV,115 | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT BC857BV/SOT666/SOT6 | на замовлення 33644 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BV,115 | NEXPERIA | Description: NEXPERIA - BC857BV,115 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA tariffCode: 85412100 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 200mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 200hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-666 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - | на замовлення 104 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BV-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BC857BV-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: N MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 150mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - | на замовлення 705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BV-7 | DIODES INCORPORATED | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP x2; bipolar; 45V; 0.1A; 150mW; SOT563 Type of transistor: PNP x2 Polarisation: bipolar Power dissipation: 0.15W Case: SOT563 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Collector current: 0.1A Collector-emitter voltage: 45V Current gain: 200...475 Quantity in set/package: 3000pcs. Frequency: 100MHz | на замовлення 290 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BV-7 | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT PNP BIPOLAR | на замовлення 1363 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BV-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SOT-563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 2821 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BV-7 | DIODES INC. | Description: DIODES INC. - BC857BV-7 - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA tariffCode: 85411000 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - euEccn: NLR rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y MSL: MSL 1 - unbegrenzt Verlustleistung, PNP: 150mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: Zweifach pnp usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - | на замовлення 705 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BV-7 | Diodes Incorporated | Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SOT-563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC857BV-7 | Diodes Zetex | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 260mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC857BV-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BC857BV-TP - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA tariffCode: 85412900 DC-Stromverstärkung hFE, NPN, min.: - Transistormontage: Oberflächenmontage Übergangsfrequenz, NPN: - euEccn: NLR rohsCompliant: Y-EX hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung, PNP: 150mW Kontinuierlicher Kollektorstrom, PNP: 100mA Übergangsfrequenz, PNP: 100MHz Kollektor-Emitter-Spannung, NPN, max.: - DC-Stromverstärkung hFE, PNP, min.: 220hFE SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Bauform - Transistor: SOT-563 Anzahl der Pins: 6Pin(s) Produktpalette: - Verlustleistung, NPN: - productTraceability: No Wandlerpolarität: Zweifach pnp usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 150°C Kollektor-Emitter-Spannung, PNP, max.: 45V Kontinuierlicher Kollektorstrom, NPN: - | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BV-TP | Micro Commercial Components | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 150mW 6-Pin SOT-563 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC857BV-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SOT-563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 3676 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BV-TP | MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) | Description: MICRO COMMERCIAL COMPONENTS (MCC) - BC857BV-TP - Bipolares Transistor-Array, Zweifach pnp, 45 V, 100 mA tariffCode: 85412900 productTraceability: No rohsCompliant: Y-EX euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BV-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT 100mA -45 | на замовлення 9075 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BV-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SOT-563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP (Dual) Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 200 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 Part Status: Active | на замовлення 3000 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BVP-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SOT-563 Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC857BVP-TP | Micro Commercial Components (MCC) | Bipolar Transistors - BJT DUAL PNP TRANSISTORS, SOT-563 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 15 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC857BVP-TP | Micro Commercial Components | Small Signal Bipolar Transistors | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC857BVP-TP | MCC (Micro Commercial Components) | Description: TRANS 2PNP 45V 100MA SOT-563 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOT-563, SOT-666 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: 2 PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Power - Max: 150mW Current - Collector (Ic) (Max): 100mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45V Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-563 | на замовлення 2975 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BVP-TP | Micro Commercial Components | Small Signal Bipolar Transistors | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC857BW | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC857BW - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 productTraceability: Yes-Date/Lot Code SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: N hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 | на замовлення 1680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BW | onsemi / Fairchild | Bipolar Transistors - BJT SS SC70 GP XSTR PNP 45V | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC857BW | STMicroelectronics | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC857BW | Shenzhen Slkormicro Semicon Co., Ltd. | Description: 45V 150MW 220@2MA,5V 100MA PNP S Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 150 mW | на замовлення 60 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BW | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R | на замовлення 2647 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | Мінімальне замовлення: 1832 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC857BW | Diodes Incorporated | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC857BW | Diotec Semiconductor | Trans GP BJT PNP 45V 0.1A 200mW 3-Pin SOT-323 T/R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 3000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC857BW | YANGJIE TECHNOLOGY | Category: PNP SMD transistors Description: Transistor: PNP; bipolar; 45V; 0.1A; 0.2W; SOT323 Type of transistor: PNP Polarisation: bipolar Collector-emitter voltage: 45V Collector current: 0.1A Power dissipation: 0.2W Case: SOT323 Current gain: 220...475 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Frequency: 100MHz | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 25 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||||||
| BC857BW | Diotec Semiconductor | Description: TRANS PNP 45V 0.1A SOT-323 Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SC-70, SOT-323 Mounting Type: Surface Mount Transistor Type: PNP Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ) Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 650mV @ 5mA, 100mA Current - Collector Cutoff (Max): 15nA (ICBO) DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 220 @ 2mA, 5V Frequency - Transition: 100MHz Supplier Device Package: SOT-323 Current - Collector (Ic) (Max): 100 mA Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 45 V Power - Max: 200 mW | на замовлення 921 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BW Код товару: 160574
Додати до обраних
Обраний товар
| Yangjie | Транзистори > Біполярні PNP Корпус: SOT-323 fT: 100 MHz Uке, В: 45 V Uкб, В: 50 V Iк, А: 0,1 A h21,max: 475 | товару немає в наявності
|
| ||||||||||||||||
| BC857BW | DIOTEC SEMICONDUCTOR | Description: DIOTEC SEMICONDUCTOR - BC857BW - Bipolarer Einzeltransistor (BJT), PNP, 45 V, 100 mA, 200 mW, SOT-323, Oberflächenmontage tariffCode: 85412100 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR rohsCompliant: YES DC-Stromverstärkung (hFE), min.: 220hFE hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - isCanonical: Y Verlustleistung: 200mW SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: SOT-323 Dauerkollektorstrom: 100mA Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 45V productTraceability: Yes-Date/Lot Code Wandlerpolarität: PNP usEccn: EAR99 Übergangsfrequenz: 100MHz Betriebstemperatur, max.: 150°C | на замовлення 1680 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BW | NXP | Tranzystor PNP; 475; 200mW; 45V; 100mA; 100MHz; -65°C ~ 150°C; Odpowiednik: BC857BW RF; BC857BW,115; BC857BW,135; BC857BW-7-F; BC857BW-TP; BC857BWT1G; BC857BWH6327XTSA1; BC857BWH6778XTSA1; BC857BW.115; BC857BW SOT323(T/R) NEXPERIA TBC857bw кількість в упаковці: 500 шт | на замовлення 3000 шт: термін постачання 28-31 дні (днів) |
| ||||||||||||||||
| BC857BW | Nexperia | Bipolar Transistors - BJT | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. |

