Продукція > AS4
| Назва | Виробник | Інформація | Доступність | Ціна без ПДВ | ||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| AS4C32M16MD1A-5BCNTR | Alliance Memory | DRAM Mobile DDR, 512M 1.8V,200MHz,32M x 16 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16MD1A-5BIN | Alliance Memory | DRAM Mobile DDR, 512M 1.8V,200MHz,32M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16MD1A-5BINTR | Alliance Memory | DRAM Mobile DDR, 512M 1.8V,200MHz,32M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16MD1B-5BIN | ALLIANCE MEMORY | Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16MD1B-5BIN - DRAM, 512MBIT, 200MHZ, FPBGA-60 tariffCode: 85423239 DRAM-Ausführung: Mobile DDR1 euEccn: NLR rohsCompliant: TBA IC-Montage: Surface Mount hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FPBGA Speicherdichte: 512Mbit Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 16bit directShipCharge: 25 | на замовлення 258 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16MD1B-5BIN | ALLIANCE MEMORY | Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16MD1B-5BIN - DRAM, Mobile DDR1, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 200 MHz, FPBGA, 60 Pin(s) tariffCode: 85423290 DRAM-Ausführung: Mobile DDR1 euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FPBGA Speicherdichte: 512Mbit Versorgungsspannung, nom.: 1.8V Taktfrequenz, max.: 200MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 60Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit | на замовлення 733 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16MS-6BIN | Alliance Memory | DRAM 512M 1.8V 166MHz 32Mx16 LP MSDR | на замовлення 904 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16MS-6BINTR | Alliance Memory | DRAM 512M 1.8V 166MHz 32Mx16 LP MSDR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16MS-7BCN | Alliance Memory | DRAM 512M 1.8V 133MHz 32Mx16 LP MSDR | на замовлення 2534 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16MSA-6BIN | Alliance Memory | DRAM 512M 166MHz 32Mx16 Mobile LP SDRAM IT | на замовлення 630 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16MSA-6BIN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA | на замовлення 285 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16MSA-6BINTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 54-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile SDRAM Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8) Memory Interface: Parallel Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16MSA-6BINTR | Alliance Memory | DRAM 512M 166MHz 32Mx16 Mobile LP SDRAM IT | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16MSB-6BIN | Alliance Memory | DRAM LPSDRAM, 512M, 32M X 16, 1.8V, 54 BALL, BGA, 8 X 8MM, 166MHZ INDUSTRIAL TEMP, B Die | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16MSB-6BIN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT LVCMOS 54FBGA Packaging: Tray Package / Case: 54-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile SDRAM Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: LVCMOS Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 32M x 16 | на замовлення 140 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AS4C32M16MSB-6BINTR | Alliance Memory | DRAM LPSDRAM, 512M, 32M X 16, 1.8V, 54 BALL, BGA, 8 X 8MM, 166MHZ INDUSTRIAL TEMP, T&R, B Die | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16MSB-6BINTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT LVCMOS 54FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 54-TFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPSDR Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-FBGA (8x8) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: LVCMOS Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 32M x 16 | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SA-7BCN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 54FBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SA-7BCN | Alliance Memory | DRAM SDRAM,512M,3.3V 143MHz, 32M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SA-7BCNTR | Alliance Memory | DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 COM TEMP | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SA-7BCNTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC SDRAM 32M X 16 3.3V 54FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SA-7BIN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 512M PARALLEL 54FBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SA-7BIN | Alliance Memory | DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 IND TEMP | на замовлення 347 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SA-7BINTR | Alliance Memory | DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 IND TEMP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SA-7BINTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC SDRAM 32M X 16 3.3V 54FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SA-7TCN | Alliance Memory | DRAM 512M, 3.3V, 32M x 16 SDRAM | на замовлення 692 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SA-7TCN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 143 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 2ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5.4 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 108 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SA-7TCNTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 143 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TSOP II Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 2ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5.4 ns Memory Organization: 32M x 16 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SA-7TCNTR | Alliance Memory | DRAM 512M, 3.3V, 32M x 16 SDRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SA-7TIN | Alliance Memory | DRAM 512M, 3.3V, 32M x 16 SDRAM | на замовлення 1074 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SA-7TIN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 143 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 2ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5.4 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 108 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SA-7TINTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC SDRAM 32M X 16 3.3V 54-TSOP | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SA-7TINTR | Alliance Memory | DRAM 512M, 3.3V, 32M x 16 SDRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SB-6TIN | Alliance Memory | DRAM 512M 3.3V 133MHz 32M x 16 SDRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SB-6TIN | ALLIANCE MEMORY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 166MHz; 5ns; -40÷85°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 8Mx16bitx4 Operating voltage: 3.3V Clock frequency: 166MHz Access time: 5ns Case: TSOP54 II Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SB-6TIN | ALLIANCE MEMORY | Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16SB-6TIN - DRAM, SDRAM, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 166 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: SDRAM rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 512Mbit usEccn: EAR99 Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 166MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C euEccn: NLR Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) | на замовлення 78 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SB-6TIN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 166 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 12ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SB-6TINTR | ALLIANCE MEMORY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 166MHz; 5ns; -40÷85°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 8Mx16bitx4 Operating voltage: 3.3V Clock frequency: 166MHz Access time: 5ns Case: TSOP54 II Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: reel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SB-6TINTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SB-6TINTR | Alliance Memory | DRAM 512M 3.3V 133MHz 32M x 16 SDRAM | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SB-7BIN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54FBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SB-7BIN | ALLIANCE MEMORY | Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16SB-7BIN - DRAM, SDRAM, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 143 MHz, FBGA, 54 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: SDRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: FBGA Speicherdichte: 512Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 143MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit | на замовлення 105 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SB-7BIN | Alliance Memory | DRAM SDR, 512Mb, 32M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 143MHz, Industrial Temp, B Die | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SB-7BIN | ALLIANCE MEMORY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 8Mx16bitx4 Operating voltage: 3.3V Clock frequency: 143MHz Access time: 5.4ns Case: TSOP54 II Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: in-tray | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 348 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SB-7BINTR | Alliance Memory | DRAM SDR, 512Mb, 32M x 16, 3.3V, 54-ball FBGA, 143MHz, Industrial Temp, B Die,T&R | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SB-7BINTR | ALLIANCE MEMORY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; reel Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 8Mx16bitx4 Operating voltage: 3.3V Clock frequency: 143MHz Access time: 5.4ns Case: TSOP54 II Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of package: reel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SB-7BINTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2500 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SB-7TCN | ALLIANCE MEMORY | Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16SB-7TCN - DRAM, SDRAM, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 143 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: SDRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 512Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 143MHz Betriebstemperatur, min.: 0°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 70°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit | на замовлення 7 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SB-7TCN | Alliance Memory | Динамічна енергозалежна пам'ять SDRAM, Uживл, В = 3,3, Об'єм RAM = 512 Мбайт, Орг. пам. = 32M x 16, Тдост/Частота = 143, Тексп, °C = -40...+85, Тип інтерф. = Паралельний,... Інтегральні мікросхеми Корпус: TSOPII-54 Очікується: 11 Од. вим: шт кількість в упаковці: 108 шт | на замовлення 1 шт: термін постачання 3-4 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AS4C32M16SB-7TCN | ALLIANCE MEMORY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; 0÷70°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 8Mx16bitx4 Clock frequency: 143MHz Case: TSOP54 II Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray Operating voltage: 3.3V Access time: 5.4ns | на замовлення 482 шт: термін постачання 14-30 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AS4C32M16SB-7TCN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 143 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 14ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5.4 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 1445 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AS4C32M16SB-7TCN | Alliance Memory | DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 SDRAM | на замовлення 130 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SB-7TCNTR | Alliance Memory | DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 SDRAM | на замовлення 3100 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SB-7TCNTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 143 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 14ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5.4 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 452 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AS4C32M16SB-7TCNTR | ALLIANCE MEMORY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; 0÷70°C Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 8Mx16bitx4 Operating voltage: 3.3V Clock frequency: 143MHz Access time: 5.4ns Case: TSOP54 II Mounting: SMD Operating temperature: 0...70°C Kind of interface: parallel Kind of package: reel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SB-7TCNTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 143 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 14ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5.4 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SB-7TIN | ALLIANCE MEMORY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 8Mx16bitx4 Operating voltage: 3.3V Clock frequency: 143MHz Access time: 5.4ns Case: TSOP54 II Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: in-tray | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SB-7TIN | ALLIANCE MEMORY | Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16SB-7TIN - DRAM, SDRAM, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 143 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: SDRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 512Mbit MSL: MSL 3 - 168 Stunden Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 143MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit | на замовлення 41 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SB-7TIN | Alliance Memory | DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 SDRAM | на замовлення 265 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SB-7TIN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 143 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 14ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5.4 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 448 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AS4C32M16SB-7TINTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 143 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 14ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5.4 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 158 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AS4C32M16SB-7TINTR | Alliance Memory | DRAM 512M 3.3V 143MHz 32M x 16 SDRAM | на замовлення 387 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SB-7TINTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 143 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 14ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5.4 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SB-7TINTR | ALLIANCE MEMORY | Category: DRAM memories - integrated circuits Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 143MHz; 5.4ns; reel Type of integrated circuit: DRAM memory Kind of memory: SDRAM Memory: 512Mb DRAM Memory organisation: 8Mx16bitx4 Operating voltage: 3.3V Clock frequency: 143MHz Access time: 5.4ns Case: TSOP54 II Mounting: SMD Operating temperature: -40...85°C Kind of interface: parallel Kind of package: reel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SB7BINTR | Alliance Memory | SDR, 512Mb, 32M x 16, 33V, 54ball FBGA, 143MHz, Industrial Temp, B Die,T&R | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SC-7TIN | ALLIANCE MEMORY | Description: ALLIANCE MEMORY - AS4C32M16SC-7TIN - DRAM, SDRAM, 512 Mbit, 32M x 16 Bit, 133 MHz, TSOP-II, 54 Pin(s) tariffCode: 85423231 DRAM-Ausführung: SDRAM euEccn: NLR rohsCompliant: YES IC-Montage: Oberflächenmontage hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y IC-Gehäuse / Bauform: TSOP-II Speicherdichte: 512Mbit Versorgungsspannung, nom.: 3.3V Taktfrequenz, max.: 133MHz Betriebstemperatur, min.: -40°C SVHC: No SVHC (04-Feb-2026) Anzahl der Pins: 54Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Betriebstemperatur, max.: 85°C Speicherkonfiguration: 32M x 16 Bit | на замовлення 15 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SC-7TIN | Alliance Memory | DRAM 512Mb 32Mx16 3.3V 143MHz SDRAM I-Temp | на замовлення 535 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SC-7TIN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 133 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TSOP II Part Status: Active Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 17 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | на замовлення 576 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) |
| ||||||||||||
| AS4C32M16SC-7TINTR | Alliance Memory | DRAM 512Mb 32Mx16 3.3V 143MHz SDRAM I-Temp | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SC-7TINTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 133 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 17 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SM-7TCN | Alliance Memory | DRAM 512Mb, 3.3v, 133Mhz 32M x 16 SDR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SM-7TCN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II Packaging: Tray Package / Case: 54-TSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 512Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 3V ~ 3.6V Technology: SDRAM Clock Frequency: 133 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 54-TSOP II Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5.4 ns Memory Organization: 32M x 16 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SM-7TCNTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC SDRAM 512MBIT 32MX16 54TSOPII | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SM-7TIN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC SDRAM 512MBIT 32MX16 54TSOPII | на замовлення 509 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SM-7TIN | Alliance Memory | DRAM 512Mb, 3.3v, 133Mhz 32M x 16 SDR | на замовлення 13 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M16SM-7TINTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC SDRAM 512MBIT 32MX16 54TSOPII | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M32MD1-5BCN | Alliance Memory | DRAM 1G, 1.8V, 200Mhz 32M x 32 Mobile DDR | на замовлення 51 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M32MD1-5BCN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M32MD1-5BCNTR | Alliance Memory | DRAM 1G, 1.8V, 200Mhz 32M x 32 Mobile DDR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M32MD1-5BCNTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC SDRAM 32MX32 200MHZ 90FPBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M32MD1-5BIN | Alliance Memory | DRAM 1G, 1.8V, 200Mhz 32M x 32 Mobile DDR | на замовлення 317 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M32MD1-5BIN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M32MD1-5BINTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC SDRAM 32MX32 200MHZ 90FPBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M32MD1-5BINTR | Alliance Memory | DRAM 1G, 1.8V, 200Mhz 32M x 32 Mobile DDR | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M32MD1A-5BIN | Alliance Memory | DRAM 1G 1.8V 32M x 32 Mobile DDR I-Temp | на замовлення 290 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M32MD1A-5BIN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 90FBGA Packaging: Tray Package / Case: 90-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TJ) Voltage - Supply: 1.7V ~ 1.9V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 90-FBGA (8x13) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 5 ns Memory Organization: 32M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M32MD1A-5BINTR | Alliance Memory | DRAM 1G 1.8V 32M x 32 Mobile DDR I-Temp | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M32MD1A-5BINTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 1G PARALLEL 90FBGA | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 2000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M32MD2-25BCN | Alliance Memory | DRAM 1G 1.2V/1.8V 400MHz 32Mx32 Mobile DDR2 | на замовлення 242 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M32MD2-25BCN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA Packaging: Tray Package / Case: 134-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -30°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 134-FBGA (10x11.5) Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Memory Organization: 32M x 32 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M32MD2-25BCNTR | Alliance Memory | DRAM 1G 1.2V/1.8V 400MHz 32Mx32 Mobile DDR2 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M32MD2A-25BIN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA Packaging: Tray Package / Case: 134-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 134-FBGA (10x11.5) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Memory Organization: 32M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M32MD2A-25BIN | Alliance Memory | DRAM LPDDR2, 1G, 32M X 32, 1.2V, 134ball BGA, (A-DIE), INDUSTRIAL TEMP - Tray | на замовлення 78 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M32MD2A-25BINTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 1GBIT PARALLEL 134FBGA Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 134-VFBGA Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 1Gbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: -40°C ~ 85°C (TC) Voltage - Supply: 1.14V ~ 1.3V, 1.7V ~ 1.95V Technology: SDRAM - Mobile LPDDR2 Clock Frequency: 400 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 134-FBGA (10x11.5) Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: HSUL_12 Access Time: 5.5 ns Memory Organization: 32M x 32 DigiKey Programmable: Not Verified | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M32MD2A-25BINTR | Alliance Memory | DRAM LPDDR2, 1G, 32M X 32, 1.2V, 134ball BGA, (A-DIE), INDUSTRIAL TEMP - Tape & Reel | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M8D1-5TCN | Alliance Memory | DRAM | на замовлення 108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M8D1-5TCN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M8D1-5TCNTR | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: 66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width) Mounting Type: Surface Mount Memory Size: 256Mbit Memory Type: Volatile Operating Temperature: 0°C ~ 70°C (TA) Voltage - Supply: 2.3V ~ 2.7V Technology: SDRAM - DDR Clock Frequency: 200 MHz Memory Format: DRAM Supplier Device Package: 66-TSOP II Part Status: Obsolete Write Cycle Time - Word, Page: 15ns Memory Interface: Parallel Access Time: 700 ps Memory Organization: 32M x 8 | товару немає в наявності | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M8D1-5TCNTR | Alliance Memory | DRAM | товару немає в наявності | Мінімальне замовлення: 1000 шт В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M8D1-5TIN | Alliance Memory | DRAM | на замовлення 108 шт: термін постачання 21-30 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. | ||||||||||||
| AS4C32M8D1-5TIN | Alliance Memory, Inc. | Description: IC DRAM 256MBIT PAR 66TSOP II | на замовлення 103 шт: термін постачання 21-31 дні (днів) | В кошику од. на суму грн. |

