Продукція > ALLIANCE MEMORY, INC. > AS4C32M16SB-6TINTR
AS4C32M16SB-6TINTR

AS4C32M16SB-6TINTR Alliance Memory, Inc.

AllianceMemory_512M_SDRAM_Bdie_AS4C32M16SB-7TXN-6TIN-7BIN_Rev1.2_March2020.pdf
Виробник: Alliance Memory, Inc.
Description: IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
Відгуки про товар
Написати відгук

Технічний опис AS4C32M16SB-6TINTR Alliance Memory, Inc.

Category: DRAM memories - integrated circuits, Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 166MHz; 5ns; -40÷85°C, Type of integrated circuit: DRAM memory, Kind of memory: SDRAM, Memory: 512Mb DRAM, Memory organisation: 8Mx16bitx4, Operating voltage: 3.3V, Clock frequency: 166MHz, Access time: 5ns, Case: TSOP54 II, Mounting: SMD, Operating temperature: -40...85°C, Kind of interface: parallel, Kind of package: reel.

Інші пропозиції AS4C32M16SB-6TINTR

Фото Назва Виробник Інформація Доступність Ціна без ПДВ
AS4C32M16SB-6TINTR AS4C32M16SB-6TINTR Alliance Memory AllianceMemory_512M_SDRAM_Bdie_AS4C32M16SB_7TXN_6TIN_7BIN_Rev1.2_March2020.pdf DRAM 512M 3.3V 133MHz 32M x 16 SDRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C32M16SB-6TINTR AS4C32M16SB-6TINTR ALLIANCE MEMORY as4c32m16sb.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 166MHz; 5ns; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Operating voltage: 3.3V
Clock frequency: 166MHz
Access time: 5ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel
товару немає в наявності
 Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C32M16SB-6TINTR AllianceMemory_512M_SDRAM_Bdie_AS4C32M16SB_7TXN_6TIN_7BIN_Rev1.2_March2020.pdf
AS4C32M16SB-6TINTR
Виробник: Alliance Memory
DRAM 512M 3.3V 133MHz 32M x 16 SDRAM
товару немає в наявності
В кошику  од. на суму  грн.
AS4C32M16SB-6TINTR as4c32m16sb.pdf Alliance_Selection_Guide _Print2025.pdf
AS4C32M16SB-6TINTR
Виробник: ALLIANCE MEMORY
Category: DRAM memories - integrated circuits
Description: IC: DRAM memory; 512MbDRAM; 8Mx16bitx4; 3.3V; 166MHz; 5ns; -40÷85°C
Type of integrated circuit: DRAM memory
Kind of memory: SDRAM
Memory: 512Mb DRAM
Memory organisation: 8Mx16bitx4
Operating voltage: 3.3V
Clock frequency: 166MHz
Access time: 5ns
Case: TSOP54 II
Mounting: SMD
Operating temperature: -40...85°C
Kind of interface: parallel
Kind of package: reel
товару немає в наявності
Мінімальне замовлення: 1000 шт
В кошику  од. на суму  грн.